在脈沖充放電電路，鉭電容器會不斷承受峰值功率可能達到幾十安培的浪涌電流沖擊，而且有時候充放電的頻率也可能達到幾百甚至幾千HZ；在此類電壓基本穩定，浪涌電流不斷的電路，鉭電容器的可靠性不光取決于產品耐壓高低及伏安特性和高低溫性能，還取決于產品的等效串聯電阻ESR的高低，因為ESR值較大的產品在高浪涌時瞬間就會產生更多的熱量積累，非常容易導致產品出現擊穿。因此，鉭電容器ESR值的高低直接可以決定產品的抗直流浪涌能力。鉭電容在電視顯示屏驅動電路中通過儲能功能，緩沖電壓波動，保障畫面顯示穩定性。GCA41-B-50V-0.22uF-K

隨著信息技術和電子設備的快速發展及國際制造業向中國轉移，電容器需求呈現出整體上升態勢，我國電容器產業也快速發展成為世界電容器生產大國和出口大國。電容器產量約占整個電子元件的40%，且需求不斷擴大。鉭電容器誕生于1956年，是四大電容產品（MLCC/鋁電解/鉭電容/薄膜電容）之一。鉭電容器產量較小，價格較貴，在整個電容器市場的應用占比較低；且擁有高能量密度、高可靠性、穩定的電性能、較寬的工作溫度范圍等特點，尤其是具有“自愈性”；鉭電容相應成本也高，主要應用于高可靠性電子設備，以及5G等民品市場。CAK45F-E-50V-10uF-K基美鉭電容，低阻抗特性突出，有效降低電路能量損耗，提升效率。

KEMET鉭電容的低等效串聯電阻（ESR）特性是其提升電路效率的關鍵。低ESR意味著電容在充放電過程中的能量損耗大幅降低，能更快速地響應電路中的電壓變化，減少因電阻產生的熱量。在開關電源、DC-DC轉換器等高頻電路中，這一優勢尤為明顯，可使電路的能量轉換效率提升5%-10%。同時，低ESR還能降低電路的紋波電壓，改善輸出信號的平滑度，讓電子設備在運行過程中更加節能、穩定，尤其適合對能效要求嚴格的新能源設備與便攜式電子裝置。

    片式高分子固體電解質鉭電容器是一種電子元件，用于存儲和釋放電荷。它由鉭金屬電極、高分子固體電解質和導電聚合物組成。這種電容器具有較高的電容密度和較低的ESR（等效串聯電阻），適用于高性能電子設備和電路中的能量存儲和濾波應用。高分子固體電解質是一種具有固態結構的電解質材料，具有較高的離子導電性能和較低的電子導電性能。它可以提供穩定的電解質界面，并具有較高的化學穩定性和熱穩定性。這種固體電解質可以替代傳統的液體電解質，提供更高的安全性和可靠性。鉭電容器是一種電容器的類型，使用鉭金屬作為電極材料。鉭具有較高的電容密度和較低的ESR，能夠提供更高的能量存儲和更低的能量損耗。鉭電容器通常用于高性能電子設備和電路中，如移動通信設備、計算機和汽車電子等。片式高分子固體電解質鉭電容器結合了高分子固體電解質和鉭電容器的優點，具有較高的電容密度、較低的ESR和較高的安全性。它在電子設備和電路中廣泛應用，以滿足高性能和高可靠性的要求。 在通信基站中，鉭電容通過高頻濾波減少信號干擾，提升無線信號傳輸質量與覆蓋范圍。

    鉭外殼封裝非固體電解質鉭電容器是一種電子元件，用于存儲和釋放電荷。它具有鉭金屬外殼，內部填充有非固體電解質，通常是液體或凝膠態的電解質。這種電容器的主要特點是具有高電容密度、低ESR（等效串聯電阻）和低ESL（等效串聯電感），能夠提供穩定的電容性能和快速的響應速度。非固體電解質鉭電容器通常用于高頻和高功率應用，如通信設備、計算機、電源系統等。它們能夠在較小的尺寸下提供較大的電容值，同時具有較低的內阻和較好的高頻特性，適用于需要高性能和高可靠性的電路設計。需要注意的是，非固體電解質鉭電容器在使用時需要遵循一定的工作電壓和溫度范圍，以確保其正常工作和壽命。此外，由于非固體電解質的特性，這種電容器在長時間不使用時可能會出現漏電現象，因此需要定期檢查和維護。 鉭電容封裝采用Ta?O?介質膜，厚度均勻性直接影響電容性能，賦能工序是關鍵工藝環節。CAK55-Z-35V-330uF-M

鉭電容的一個獨特特性是自愈作用。GCA41-B-50V-0.22uF-K

AVX鉭電容是用鉭粉壓制成型，經過燒結后作為電容器的陽極，后經過化學方法在其表面生成氧化膜作為介質，再在表面生成二氧化錳作為陰極。由于使用金屬鉭做介質，不需要像普通電解電容那樣使用電解液，也不需像普通電解電容那樣使用鍍了鋁膜的電容紙燒制，所以本身幾乎沒有電感，但同時也限制了它的容量。此外，鉭電容內部沒有電解液，很適合在高溫下工作。產品特點：性能穩定：由于金屬鉭的固有本性，AVX 鉭電容性能穩定，不易隨環境的變化而改變。容量較大：能做到較大的容值，在大容量濾波等場景表現出色，例如在 CPU 插槽附近常可見到鉭電容，多與陶瓷電容、電解電容配合使用。體積小巧：具有體積小容量大的特點，適用于空間較小的電子設備。溫度特性好：隨溫度的升高，穩定性要優于瓷片電容。等效串聯電阻低：尤其是低阻抗系列的 AVX 鉭電容，如 TPS 系列，直流電阻小于 1 歐，一般在 100 毫歐到 500 毫歐之間，特殊的可以低到 40 毫歐，在高頻電路中能有效減少能量損耗。GCA41-B-50V-0.22uF-K