選擇正確的MOSFET的方式：計算導通損耗，MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對便攜式設計來說，采用較低的電壓比較容易 （較為普遍），而對于工業設計，可采用較高的電壓。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微上升。計算系統的散熱要求，設計人員必須考慮兩種不同的情況，即壞情況和真實情況。建議采用針對壞情況的計算結果，因為這 個結果提供更大的安全余量，能確保系統不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數據；比如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻，以及大的結溫。開關損耗其實也是一個很重要的指標。導通瞬間的電壓電流乘積相當大，一定程度上決定了器件的開關性能。不過，如果系統對開關性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。為什么MOSFET的尺寸能越小越好？無錫低壓N管MOSFET封裝

單一MOSFET開關當NMOS用來做開關時，其基極接地，柵極為控制開關的端點。當柵極電壓減去源極電壓超過其導通的臨界電壓時，此開關的狀態為導通。柵極電壓繼續升高，則NMOS能通過的電流就更大。NMOS做開關時操作在線性區，因為源極與漏極的電壓在開關為導通時會趨向一致。PMOS做開關時，其基極接至電路里電位 的地方，通常是電源。柵極的電壓比源極低、超過其臨界電壓時，PMOS開關會打開。NMOS開關能容許通過的電壓上限為（Vgate-Vthn），而PMOS開關則為（Vgate+Vthp），這個值通常不是信號原本的電壓振幅，也就是說單一MOSFET開關會有讓信號振幅變小、信號失真的缺點。上海高壓P管MOSFET封裝MOSFET的面積越小，制造芯片的成本就可以降低。

MOSFET的 ：金屬—氧化層—半導體電容gM—跨導。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應管放大能力的重要參數。5、BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能承受的 漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。6、PDSM—最大耗散功率。也是一項極限參數，是指場效應管性能不變壞時所允許的 漏源耗散功率。使用時，場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM— 漏源電流。是一項極限參數，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過IDSM 。

MOSFET在導通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為模擬信號的開關（信號的能量不會因為開關的電阻而損失太多）。MOSFET作為開關時，其源極與漏極的分別和其他的應用是不太相同的，因為信號可以從MOSFET柵極以外的任一端進出。對NMOS開關而言，電壓較負的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓較正的一端是源極。MOSFET開關能傳輸的信號會受到其柵極—源極、柵極—漏極，以及漏極到源極的電壓限制，如果超過了電壓的上限可能會導致MOSFET燒毀。MOSFET電壓和電流的選擇，額定電壓越大，器件的成本就越高。

常見的MOSFET技術：雙柵極MOSFET，雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數用來做增益、混頻器或是頻率轉換的控制。耗盡型MOSFET，一般而言，耗盡型（depletion mode）MOSFET比前述的增強型（enhancement mode）MOSFET少見。耗盡型MOSFET在制造過程中改變摻雜到通道的雜質濃度，使得這種MOSFET的柵極就算沒有加電壓，通道仍然存在。如果想要關閉通道，則必須在柵極施加負電壓。耗盡型MOSFET的應用是在“常閉型”（normally-off）的開關，而相對的，加強式MOSFET則用在“常開型”（normally-on）的開關上。MOSFET的柵極選擇電性良好的導體，多晶硅在經過重摻雜之后的導電性可以用在MOSFET的柵極上。深圳P-CHANNELMOSFET廠家

越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現。無錫低壓N管MOSFET封裝

功率MOSFET的設計過程中采取措施使其中的寄生晶體管盡量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB 盡量小。因為只有在漏極N區下的橫向電阻流過足夠電流為這個N區建立正偏的條件時，寄生的雙極性晶閘管才開始發難。然而在嚴峻的動態條件下，因du/dt 通過相應電容引起的橫向電流有可能足夠大。此時這個寄生的雙極性晶體管就會起動，有可能給MOSFET帶來損壞。所以考慮瞬態性能時對功率MOSFET器件內部的各個電容（它是dv/dt的通道）都必須予以注意。瞬態情況是和線路情況密切相關的，這方面在應用中應給予足夠重視。對器件要有深入了解，才能有利于理解和分析相應的問題。無錫低壓N管MOSFET封裝

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