MOSFET常常用在頻率較高的場合。開關損耗在頻率提高時愈來愈占主要位置。降低柵電荷，可有效降低開關損耗。為了降低柵電荷，從減小電容的角度很容易理解在制造上應采取的措施。為減小電容，增加絕緣層厚度（在這兒是增加氧化層厚度）當然是措施之一。減低電容板一側的所需電荷（現在是降低溝道區的攙雜濃度）也是一個相似的措施。此外，就需要縮小電容板的面積，這也就是要減小柵極面積。縮小原胞面積增加原胞密度從單個原胞來看，似乎可以縮小多晶層的寬度，但從整體來講，其總的柵極覆蓋面積實際上是增加的。從這一點來看，增加原胞密度和減小電容有一定的矛盾。MOSFET應該到哪里進行購買？張家港DUAL P-CHANNELMOSFET技術參數

如何選擇用于熱插拔的MOSFET？當電源與其負載突然斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產生巨大的尖峰電壓，對電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護應用類似，此處MOSFET可以將輸入電源與其他電路隔離開來。但此時，FET的作用并不是立即斷開輸入與輸出之間的連接，而是減輕那些具有破壞力的浪涌電流帶來的嚴重后果。這需要通過一個控制器來調節輸入電壓（VIN）和輸出電壓（VOUT）之間MOSFET上的柵源偏壓，使MOSFET處于飽和狀態，從而阻止可能通過的電流。杭州高壓P管MOSFET廠家MOSFET的注意事項有哪些？

MOSFET主要參數：場效應管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但一般使用時關注以下主要參數：1、IDSS—飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。2、UP—夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。3、UT—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。4、gM—跨導。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應管放大能力的重要參數。5、BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能承受的漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。6、PDSM—耗散功率。也是一項極限參數，是指場效應管性能不變壞時所允許的漏源耗散功率。使用時，場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—漏源電流。是一項極限參數，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的電流。場效應管的工作電流不應超過IDSM 。

MOSFET主要參數：IDSS—飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。UP—夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。UT—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。gM—跨導。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應管放大能力的重要參數。BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能承受的較大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。MOSFET的使用應該注意什么事項？

為什么MOSFET的尺寸能越小越好？MOSFET的尺寸變小意味柵極面積減少，如此可以降低等效的柵極電容。此外，越小的柵極通常會有更薄的柵極氧化層，這可以讓前面提到的通道單位電阻值降低。不過這樣的改變同時會讓柵極電容反而變得較大，但是和減少的通道電阻相比，獲得的好處仍然多過壞處，而MOSFET在尺寸縮小后的切換速度也會因為上面兩個因素加總而變快。MOSFET的面積越小，制造芯片的成本就可以降低，在同樣的封裝里可以裝下更高密度的芯片。一片集成電路制程使用的晶圓尺寸是固定的，所以如果芯片面積越小，同樣大小的晶圓就可以產出更多的芯片，于是成本就變得更低了。數字電路對MOSFET的幫助：使得MOSFET操作速度越來越快，成為各種半導體主動元件中較快的一種。廈門低壓MOSFET廠家

為什么MOSFET的尺寸能越小越好？張家港DUAL P-CHANNELMOSFET技術參數

為何要把MOSFET的尺寸縮小？基于以下幾個理由，我們希望MOSFET的尺寸能越小越好。第1，越小的MOSFET象征其通道長度減少，讓通道的等效電阻也減少，可以讓更多電流通過。雖然通道寬度也可能跟著變小而讓通道等效電阻變大，但是如果能降低單位電阻的大小，那么這個問題就可以解決。其次，MOSFET的尺寸變小意味著柵極面積減少，如此可以降低等效的柵極電容。此外，越小的柵極通常會有更薄的柵極氧化層，這可以讓前面提到的通道單位電阻值降低。不過這樣的改變同時會讓柵極電容反而變得較大，但是和減少的通道電阻相比，獲得的好處仍然多過壞處，而MOSFET在尺寸縮小后的切換速度也會因為上面兩個因素加總而變快。第三個理由是MOSFET的面積越小，制造芯片的成本就可以降低，在同樣的封裝里可以裝下更高密度的芯片。一片集成電路制程使用的晶圓尺寸是固定的，所以如果芯片面積越小，同樣大小的晶圓就可以產出更多的芯片，于是成本就變得更低了。張家港DUAL P-CHANNELMOSFET技術參數

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