MOSFET的結構：用一塊P型硅半導體材料作襯底，在其面上擴散了兩個N型區，再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiO2）絕緣層，在N區上方用腐蝕的方法做成兩個孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內做成三個電極：G(柵極）、S（源極）及D（漏極），出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的，D與S之間有兩個PN結。一般情況下，襯底與源極在內部連接在一起，這樣，相當于D與S之間有一個PN結。常見的N溝道增強型MOSFET的基本結構圖。為了改善某些參數的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導通電阻、提高開關特性等有不同的結構及工藝，構成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結構。雖然有不同的結構，但其工作原理是相同的。MOSFET是一種可以普遍使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。四川MOSFET批發

MOSFET也被稱為電壓控制器件，因為柵極的電壓量控制著電流從漏極到源極的流動。同樣，沒有電流從柵極流出。還有另一種稱為耗盡型的MOSFET。除了在摻雜時也形成溝道以外，與增強型相似，即，默認情況下，耗盡型存在由增強型的柵極電壓形成的溝道，所有其他工作原理都相同，不同的是，耗盡型需要一個負柵極電壓來關閉它，它通常打開（常閉），而增強型通常關閉（常開）。每個電路符號均有四個端子，即源極，柵極，漏極和襯底，其中，源極和襯底內部連接。如果箭頭指向襯底，則其N溝道或電子流向柵極以形成N溝道，否則，其P溝道或電子從柵極流走以形成P溝道。四川耗盡型MOSFETMOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型。

當MOSFET的尺寸縮的非常小、柵極氧化層也變得非常薄時，例如編輯此文時 制程可以把氧化層縮到一納米左右的厚度，一種過去沒有發現的現象也隨之產生，這種現象稱為“多晶硅耗盡”。當MOSFET的反轉層形成時，有多晶硅耗盡現象的MOSFET柵極多晶硅靠近氧化層處，會出現一個耗盡層（depletion layer），影響MOSFET導通的特性。要解決這種問題，金屬柵極是 的方案。可行的材料包括鉭（Tantalum）、鎢、氮化鉭（Tantalum Nitride），或是氮化鈦（Titalium Nitride）。這些金屬柵極通常和高介電常數物質形成的氧化層一起構成MOS電容。另外一種解決方案是將多晶硅完全的合金化，稱為FUSI（FUlly-SIlicide polysilicon gate）制程。

MOSFET計算系統的散熱要求，設計人員必須考慮兩種不同的情況，即較壞情況和真實情況。建議采用針對較壞情況的計算結果，因為這 個結果提供更大的安全余量，能確保系統不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數據；比如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻，以及較 大的結溫。開關損耗其實也是一個很重要的指標。導通瞬間的電壓電流乘積相當大，一定程度上決定了器件的開關性能。不過，如果系統對開關性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。MOSFET的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數。

常見的N溝道增強型MOSFET的基本結構圖。為了改善某些參數的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導通電阻、提高開關特性等有不同的結構及工藝，構成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結構。雖然有不同的結構，但其工作原理是相同的，這里就不一一介紹了。要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。若先不接VGS（即VGS=0），在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結處于反向，因此漏源之間不能導電。越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現。杭州常用MOSFET

雙柵極MOSFET通常用在射頻集成電路，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。四川MOSFET批發

MOSFET當一個夠大的電位差施于MOSFET的柵極與源極（source）之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時所謂的“反型層”（inversion channel）就會形成。通道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設漏極和源極是N型，那么通道也會是N型。通道形成后，MOSFET即可讓電流通過，而依據施于柵極的電壓值不同，可由MOSFET的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。 半導體元件的材料通常以硅（silicon）為 ，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的制程四川MOSFET批發

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