功率MOSFET的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子（多子）參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷β蔒OSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為VMOSFET（Vertical MOSFET），大幅提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動(dòng)元件中極快的一種。大型MOSFET廠家供應(yīng)

DMOS是雙重?cái)U(kuò)散MOSFET（double-Diffused MOSFET）的縮寫，它主要用于高壓，屬于高壓MOS管范疇。以MOSFET實(shí)現(xiàn)模擬開關(guān)：MOSFET在導(dǎo)通時(shí)的通道電阻低，而截止時(shí)的電阻近乎無限大，所以適合作為模擬信號(hào)的開關(guān)（信號(hào)的能量不會(huì)因?yàn)殚_關(guān)的電阻而損失太多）。MOSFET作為開關(guān)時(shí)，其源極與漏極的分別和其他的應(yīng)用是不太相同的，因?yàn)樾盘?hào)可以從MOSFET柵極以外的任一端進(jìn)出。對(duì)NMOS開關(guān)而言，電壓負(fù)的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓正的一端是源極。MOSFET開關(guān)能傳輸?shù)男盘?hào)會(huì)受到其柵極—源極、柵極—漏極，以及漏極到源極的電壓限制，如果超過了電壓的上限可能會(huì)導(dǎo)致MOSFET燒毀。MOSFET開關(guān)的應(yīng)用范圍很廣，舉凡需要用到取樣持有電路（sample-and-hold circuits）或是截波電路（chopper circuits）的設(shè)計(jì)，例如類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器（A/D converter）或是切換電容濾波器（switch-capacitor filter）上都可以見到MOSFET開關(guān)的蹤影。大型MOSFET廠家供應(yīng)MOSFET的尺寸變小意味著柵極面積減少。

NPN型的MOSFET是怎么導(dǎo)通的呢？首先，在柵極加正電壓，這樣就會(huì)排斥襯底——P型硅中的正電荷，同時(shí)吸引負(fù)電荷，這樣在漏極與源極之間形成一層負(fù)電荷區(qū)域，這時(shí)再火上澆油在漏極加上正電壓，源極加上負(fù)電壓。至于怎么分辨MOSFET的電路符號(hào)是N溝道還是P溝道。溝道的正負(fù)，就是襯底中通道的正負(fù)。電路符號(hào)中的箭頭表示的是電子的流向。可以看到N溝道的電路符號(hào)中的箭頭是指向柵極的，襯底下堆積的就是一層負(fù)電子，而這層負(fù)電子從漏極和源極的角度看，就是一條電子從源極通往漏極的溝，所以這個(gè)溝就叫做negative溝道，簡稱N溝道。

MOSFET的結(jié)構(gòu)：用一塊P型硅半導(dǎo)體材料作襯底，在其面上擴(kuò)散了兩個(gè)N型區(qū)，再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiO2）絕緣層，在N區(qū)上方用腐蝕的方法做成兩個(gè)孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個(gè)孔內(nèi)做成三個(gè)電極：G(柵極）、S（源極）及D（漏極），出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的，D與S之間有兩個(gè)PN結(jié)。一般情況下，襯底與源極在內(nèi)部連接在一起，這樣，相當(dāng)于D與S之間有一個(gè)PN結(jié)。常見的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的基本結(jié)構(gòu)圖。為了改善某些參數(shù)的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導(dǎo)通電阻、提高開關(guān)特性等有不同的結(jié)構(gòu)及工藝，構(gòu)成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結(jié)構(gòu)。雖然有不同的結(jié)構(gòu)，但其工作原理是相同的。MOSFET的臨界電壓是由柵極與通道材料的功函數(shù)之間的差異來決定的 。

當(dāng)MOSFET的尺寸縮的非常小、柵極氧化層也變得非常薄時(shí)，例如編輯此文時(shí) 制程可以把氧化層縮到一納米左右的厚度，一種過去沒有發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象也隨之產(chǎn)生，這種現(xiàn)象稱為“多晶硅耗盡”。當(dāng)MOSFET的反轉(zhuǎn)層形成時(shí)，有多晶硅耗盡現(xiàn)象的MOSFET柵極多晶硅靠近氧化層處，會(huì)出現(xiàn)一個(gè)耗盡層（depletion layer），影響MOSFET導(dǎo)通的特性。要解決這種問題，金屬柵極是 的方案。可行的材料包括鉭（Tantalum）、鎢、氮化鉭（Tantalum Nitride），或是氮化鈦（Titalium Nitride）。這些金屬柵極通常和高介電常數(shù)物質(zhì)形成的氧化層一起構(gòu)成MOS電容。另外一種解決方案是將多晶硅完全的合金化，稱為FUSI（FUlly-SIlicide polysilicon gate）制程。雙柵極MOSFET通常用在射頻集成電路，這種MOSFET的兩個(gè)柵極都可以控制電流大小。嘉興MOSFET多少錢

MOSFET的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。大型MOSFET廠家供應(yīng)

MOSFET里的氧化層位于其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度 有數(shù)十至數(shù)百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不過有些新的進(jìn)階制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做為氧化層之用。 半導(dǎo)體元件的材料通常以硅（silicon）為 ，但是也有些半導(dǎo)體公司發(fā)展出使用其他半導(dǎo)體材料的制程，當(dāng)中 的例如IBM使用硅與鍺（germanium）的混合物所發(fā)展的硅鍺制程（silicon-germanium process,SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（gallium arsenide,GaAs），因?yàn)闊o法在表面長出品質(zhì)夠好的氧化層，所以無法用來制造MOSFET元件。大型MOSFET廠家供應(yīng)

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