上海光宇睿芯微電子有限公司座落于上海浦東張江高科技園區內，是專業從事半導體過電壓保護器件、功率MOSFET器件、集成電路的設計與銷售的****，是國內掌握半導體過壓保護器件和集成電路設計技術的供應商之一。公司產品品種多，覆蓋范圍廣，已廣泛應用于通訊系統的接口保護、手機接口保護、掌上數碼產品接口保護、電源系統的過壓保護、鋰電池的BMS和電機驅動。TO-220F/TO-251/TO-252NPLMOS金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一種可以使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effecttransistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型”的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。 越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現。上海高壓P管MOSFET技術參數

過去數十年來，MOSFET的尺寸不斷地變小。早期的集成電路MOSFET制程里，通道長度約在幾個微米（micrometer）的等級。但是到了 的集成電路制程，這個參數已經縮小了幾十倍甚至超過一百倍。2006年初，Intel開始以65納米（nanometer）的技術來制造新一代的微處理器，實際的元件通道長度可能比這個數字還小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不斷縮小，讓集成電路的效能 提升，而從歷史的角度來看，這些技術上的突破和半導體制程的進步有著密不可分的關系。杭州高壓P管MOSFET開關管MOSFET箭頭方向永遠從P端指向N端。

理解MOSFET的幾個常用參數VDS，即漏源電壓，這是MOSFET的一個極限參數，表示MOSFET漏極與源極之間能夠承受的較大電壓值。需要注意的是，這個參數是跟結溫相關的，通常結溫越高，該值較大。RDS(on)，漏源導通電阻，它表示MOSFET在某一條件下導通時，漏源極之間的導通電阻。這個參數與MOSFET結溫，驅動電壓Vgs相關。在一定范圍內，結溫越高，Rds越大;驅動電壓越高，Rds越小。Qg，柵極電荷，是在驅動信號作用下，柵極電壓從0V上升至終止電壓(如15V)所需的充電電荷。也就是MOSFET從截止狀態到完全導通狀態，驅動電路所需提供的電荷，是一個用于評估MOSFET的驅動電路驅動能力的主要參數。Id，漏極電流，漏極電流通常有幾種不同的描述方式。根據工作電流的形式有，連續漏級電流及一定脈寬的脈沖漏極電流。

NMOS邏輯同樣驅動能力的NMOS通常比PMOS所占用的面積小，因此如果只在邏輯門的設計上使用NMOS的話也能縮小芯片面積。不過NMOS邏輯雖然占的面積小，卻無法像CMOS邏輯一樣做到不消耗靜態功率，因此在1980年代中期后已經漸漸退出市場。功率MOSFET功率晶體管單元的截面圖。通常一個市售的功率晶體管都包含了數千個這樣的單元。主條目：功率晶體管功率MOSFET和前述的MOSFET元件在結構上就有著 的差異。一般集成電路里的MOSFET都是平面式（planar）的結構，晶體管內的各端點都離芯片表面只有幾個微米的距離。而所有的功率元件都是垂直式（vertical）的結構，讓元件可以同時承受高電壓與高電流的工作環境。一個功率MOSFET能耐受的電壓是雜質摻雜濃度與N型磊晶層（epitaxial layer）厚度的函數，而能通過的電流則和元件的通道寬度有關，通道越寬則能容納越多電流。MOSFET簡稱金氧半場效晶體管。

常見的N溝道增強型MOSFET的基本結構圖。為了改善某些參數的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導通電阻、提高開關特性等有不同的結構及工藝，構成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結構。雖然有不同的結構，但其工作原理是相同的，這里就不一一介紹了。要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。若先不接VGS（即VGS=0），在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結處于反向，因此漏源之間不能導電。MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導體主動元件中極快的一種。上海低壓N+PMOSFET

Vgs，柵源極較大驅動電壓，這是MOSFET的一個極限參數。上海高壓P管MOSFET技術參數

MOSFET知識介紹：Eoss，輸出容能量，表示輸出電容Coss在MOSFET存儲的能量大小。由于MOSFET的輸出電容Coss有非常明顯的非線性特性，隨Vds電壓的變化而變化。所以如果datasheet提供了這個參數，對于評估MOSFET的開關損耗很有幫助。并非所有的MOSFET手冊中都會提供這個參數，事實上大部分datasheet并不提供。Body Diode di/dt 體二極管的電流變化率，它反應了MOSFET體二極管的反向恢復特性。因為二極管是雙極型器件，它受到電荷存儲的影響，當二極管反向偏置時，PN結儲存的電荷必須清理。上海高壓P管MOSFET技術參數

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