MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。平面N溝道增強型NMOSFET的剖面圖。它用一塊P型硅半導體材料作襯底，在其面上擴散了兩個N型區，再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiO2）絕緣層， 在N區上方用腐蝕的方法做成兩個孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內做成三個電極：G(柵極）、S（源極）及D（漏極）金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以 使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET簡稱金氧半場效晶體管。功率MOSFET廠家直銷

MOSFET計算系統的散熱要求，設計人員必須考慮兩種不同的情況，即較壞情況和真實情況。建議采用針對較壞情況的計算結果，因為這 個結果提供更大的安全余量，能確保系統不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數據；比如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻，以及較 大的結溫。開關損耗其實也是一個很重要的指標。導通瞬間的電壓電流乘積相當大，一定程度上決定了器件的開關性能。不過，如果系統對開關性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。江蘇MOSFET批發價MOSFET有什么應用優勢？

功率MOSFET的工作原理：截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區與N漂移區之間形成的PN結J1反偏，漏源極之間無電流流過。導電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P區中的空穴推開，而將P區中的少子—電子吸引到柵極下面的P區表面，當UGS大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時，柵極下P區表面的電子濃度將超過空穴濃度，使P型半導體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結J1消失，漏極和源極導電。值得一提的是采用平面式結構的功率MOSFET也并非不存在，這類元件主要用在高級的音響放大器中。平面式的功率MOSFET在飽和區的特性比垂直結構的MOSFET更好。垂直式功率MOSFET則取其導通電阻（turn-on resistance）非常小的優點，多半用來做開關切換之用。

截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區與N漂移區之間形成的PN結J1反偏，漏源極之間無電流流過。導電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P區中的空穴推開，而將P區中的少子—電子吸引到柵極下面的P區表面當UGS大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時，柵極下P區表面的電子濃度將超過空穴濃度，使P型半導體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結J1消失，漏極和源極導電。值得一提的是采用平面式結構的功率MOSFET也并非不存在，這類元件主要用在高級的音響放大器中。平面式的功率MOSFET在飽和區的特性比垂直結構的MOSFET更好。垂直式功率MOSFET則取其導通電阻（turn-on resistance）非常小的優點，多半用來做開關切換之用。MOSFET的面積越小，制造芯片的成本就可以降低，在同樣的封裝里可以裝下更高密度的芯片。

模擬電路有一段時間，MOSFET并非模擬電路設計工程師的 ，因為模擬電路設計重視的性能參數，如晶體管的轉導（transconductance）或是電流的驅動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術的不斷演進， 的CMOS技術也已經可以符合很多模擬電路的規格需求。再加上MOSFET因為結構的關系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代傳統的多晶硅電阻（poly resistor），或是MOS電容本身可以用來取代常用的多晶硅—絕緣體—多晶硅電容（PIP capacitor），甚至在適當的電路控制下可以表現出電感（inductor）的特性，這些好處都是BJT很難提供的。也就是說，MOSFET除了扮演原本晶體管的角色外，也可以用來作為模擬電路中大量使用的被動元件（passive device）。這樣的優點讓采用MOSFET實現模擬電路不但可以滿足規格上的需求，還可以有效縮小芯片的面積，降低生產成本。MOSFET柵極使用多晶硅取代了金屬。浙江雙柵極MOSFET

MOSFET在導通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為模擬信號的開關。功率MOSFET廠家直銷

當VGS繼續增大，負電荷增加，導電溝道擴大，電阻降低，ID也隨之增加，并且呈較好線性關系，如圖3所示。此曲線稱為轉換特性。因此在一定范圍內可以認為，改變VGS來控制漏源之間的電阻，達到控制ID的作用。由于這種結構在VGS=0時，ID=0，稱這種MOSFET為增強型。另一類MOSFET，在VGS=0時也有一定的ID（稱為IDSS），這種MOSFET稱為耗盡型。它的結構如圖4所示，它的轉移特性如圖5所示。VP為夾斷電壓（ID=0）。耗盡型與增強型主要區別是在制造SiO2絕緣層中有大量的正離子，使在P型襯底的界面上感應出較多的負電荷，即在兩個N型區中間的P型硅內形成一N型硅薄層而形成一導電溝道，所以在VGS=0時，有VDS作用時也有一定的ID(IDSS）；當VGS有電壓時（可以是正電壓或負電壓），改變感應的負電荷數量，從而改變ID的大小。VP為ID=0時的-VGS，稱為夾斷電壓。功率MOSFET廠家直銷

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