模擬電路有一段時間，MOSFET并非模擬電路設計工程師的 ，因為模擬電路設計重視的性能參數，如晶體管的轉導（transconductance）或是電流的驅動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術的不斷演進， 的CMOS技術也已經可以符合很多模擬電路的規格需求。再加上MOSFET因為結構的關系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代傳統的多晶硅電阻（poly resistor），或是MOS電容本身可以用來取代常用的多晶硅—絕緣體—多晶硅電容（PIP capacitor），甚至在適當的電路控制下可以表現出電感（inductor）的特性，這些好處都是BJT很難提供的。也就是說，MOSFET除了扮演原本晶體管的角色外，也可以用來作為模擬電路中大量使用的被動元件（passive device）。這樣的優點讓采用MOSFET實現模擬電路不但可以滿足規格上的需求，還可以有效縮小芯片的面積，降低生產成本。MOSFET在數字電路上應用的大優勢是對直流（DC）信號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大。DUAL N-CHANNELMOSFET失效分析

MOSFET有什么應用優勢？1、場效應晶體管是電壓控制元件，而雙極結型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用雙極晶體管。2、有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比雙極晶體管好。3、場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而雙極結型晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。因此被稱之為雙極型器件。4、場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣闊的應用。由于MOSFET元件的性能逐漸提升，除了傳統上應用于諸如微處理器、微控制器等數位信號處理的場合上，也有越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現。南通低壓P管MOSFET封裝MOSFET的兩種類型通常又稱為NMOSFET與PMOSFET。

功率MOSFET的設計過程中采取措施使其中的寄生晶體管盡量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB盡量小。因為只有在漏極N區下的橫向電阻流過足夠電流為這個N區建立正偏的條件時，寄生的雙極性晶閘管 才開始發難。然而在嚴峻的動態條件下，因dv/dt通過相應電容引起的橫向電流有可能足夠大。此時這個寄生的雙極性晶體管就會起動，有可能給MOSFET帶來損壞。所以考慮瞬態性能時對功率MOSFET器件內部的各個電容（它是dv/dt的通道）都必須予以注意。瞬態情況是和線路情況密切相關的，這方面在應用中應給予足夠重視。對器件要有深入了解，才能有利于理解和分析相應的問題。

為什么MOSFET的尺寸能越小越好？MOSFET的尺寸變小意味柵極面積減少，如此可以降低等效的柵極電容。此外，越小的柵極通常會有更薄的柵極氧化層，這可以讓前面提到的通道單位電阻值降低。不過這樣的改變同時會讓柵極電容反而變得較大，但是和減少的通道電阻相比，獲得的好處仍然多過壞處，而MOSFET在尺寸縮小后的切換速度也會因為上面兩個因素加總而變快。MOSFET的面積越小，制造芯片的成本就可以降低，在同樣的封裝里可以裝下更高密度的芯片。一片集成電路制程使用的晶圓尺寸是固定的，所以如果芯片面積越小，同樣大小的晶圓就可以產出更多的芯片，于是成本就變得更低了。一般集成電路里的MOSFET都是平面式（planar）的結構。

MOSFET里的氧化層位于其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度 有數十至數百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不過有些新的進階制程已經可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做為氧化層之用。 半導體元件的材料通常以硅（silicon）為 ，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的制程，當中 的例如IBM使用硅與鍺（germanium）的混合物所發展的硅鍺制程（silicon-germanium process,SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（gallium arsenide,GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來制造MOSFET元件。MOSFET箭頭方向永遠從P端指向N端。張家港DUAL N-CHANNELMOSFET

MOSFET的特點有哪些？DUAL N-CHANNELMOSFET失效分析

常見的MOSFET技術：雙柵極MOSFET，雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數用來做增益、混頻器或是頻率轉換的控制。耗盡型MOSFET，一般而言，耗盡型（depletion mode）MOSFET比前述的增強型（enhancement mode）MOSFET少見。耗盡型MOSFET在制造過程中改變摻雜到通道的雜質濃度，使得這種MOSFET的柵極就算沒有加電壓，通道仍然存在。如果想要關閉通道，則必須在柵極施加負電壓。耗盡型MOSFET的應用是在“常閉型”（normally-off）的開關，而相對的，加強式MOSFET則用在“常開型”（normally-on）的開關上。DUAL N-CHANNELMOSFET失效分析

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