目前業內常見的板級ESD保護器件主要有以下三種：一、多層壓敏電阻(MLV)：這類基于氧化鋅的器件可提供ESD保護和低級別的電涌保護。它們的小形狀因子(尺寸已下降到0402和0201)使得它們非常適合于便攜式應用(如手機和數碼相機等)。二、聚合物ESD抑制器(PGB)：設計用于產生較小的寄生電容值(<0.2pF)。這一特性允許它們用于高速數字和射頻電路，而不會引起任何信號衰減。三、硅保護陣列(SPA)：這類分立和多通道器件設計用于保護數據線和I/O線免受ESD和低級別瞬態浪涌的傷害。它的關鍵特性是非常低的鉗位電壓，這允許它們保護較敏感的電路。ESD保護器件在測試時會在電路中包括150pF電容器和330Ω的內部電阻。陜西ESD保護器件現貨供應

ESD保護器件整改的常用方法：對于產品結構越來越便攜化，在做認證的時候，往往ESD保護器件整改是讓很多工程師非常苦惱的事情。對于產品結構而言，結構上不留縫隙的地方就盡量用密封的材料密封，防止因為留有縫隙測試的時候需要對縫隙進行空氣放電；對于產品內部由多塊PCB板利用連接線或插針連接的結構，需要再每塊板之間多加幾條地線，降低地與地之間的阻抗不連續。如若PCB板上有連接線（如MIC,喇叭等）將連接線之間做成雙絞線。對于PCB LAYOUT而言裸露的金屬端口做好ESD防護是很重要的措施因為裸露的端口是靜電施加的主要位置。PCB LAYOUT的時候注意板邊盡量不要走線，嚴禁板邊走敏感的信號線（如復位，時鐘，數據等），若主IC上有散熱片，注意將散熱片接地處理；高速信號線注意包地處理，如有條件建議高速信號線去做眼圖，保證信號本身的質量。陜西ESD保護器件現貨供應ESD保護器件能夠瞬間進入低阻態；

近年，市場對于防雷及ESD靜電保護組件的需求，大致可分為兩大發展方向。一是越來越低的等效電容，這是由于近年各項傳輸port的加速發展，帶動帶寬越來越大且速度越來越快，例如USB 3.0的數據傳輸速度達到5Gbps，比現有的USB 2.0快上十倍；使得客戶端對于ESD靜電保護組件的等效電容要求越來越嚴苛。對于保護組件廠商而言，如何降低等效電容已成為主要產品的技術發展方向。另一主要趨勢則是小型化封裝。面向小型化封裝的趨勢，防雷擊和ESD靜電保護組件小型化的趨勢也越來越明顯。特別是超極本、平板計算機及智能手機等產品蓬勃發展，更顯得客戶端對此需求越來越殷切。

什么是ESD呢?這是當兩個帶電物體(例如人體和電子設備)彼此接觸時，便會釋放出靜電，這種現象便稱為ESD。從人體產生的ESD可以是幾千伏的量級，當該高壓脈沖進入被觸摸的電子設備時，將導致其內部的IC電路的故障或破壞。為了防止由于ESD侵入被觸摸的電子設備而導致的產品或系統破壞，便需要安裝抑制或消除ESD的對應元器件。在高速電量傳輸過程中易產生潛在的破壞電壓、電流及電磁場，ESD防護器件能夠有效保護電子線路中的精密元器件免受各種浪涌脈沖和靜電的損壞。EDS保護器件大致分為陶瓷基類型和使用硅或聚合物作為原料的半導體基類型。

高速電路設計的系統工程師或者硬件工程師必須仔細選擇在設計中所需要的所有元器件，選擇合適的ESD保護元件就具有比以前更大的挑戰性，因為ESD保護器件在一些高速電路接口上已經變得不再是一個簡單的ESD器件，還包含了雜散的寄生參數，以及安裝到PCB板上時的寄生電感等參數。雖然目前很多公司都無法提供ESD器件的S參數，但是對于高速電路而言，這確實是需要考慮的影響因子之一。所以在選擇器件時，不但要看器件的防護等級，還需要注意其寄生效應。ESD靜電保護器件，亦稱瞬態電壓抑制二極管陣列。廣州ESD保護器件廠家供應

ESD保護器件的ESD是什么意思？陜西ESD保護器件現貨供應

ESD TVS器件采用的技術：聚合物浪涌抑制器，聚合物浪涌抑制器件為消弧器件，且總是雙向保護器件。它們的電容很低，對高速應用具有吸引力。但是它們的短處是導通電壓高、導通阻抗性能相對較差，遭受多次應力時易于性能下降。TVS二極管，如今大多數的二極管都是采用硅制造的固態器件。它們為雙端器件，很容易讓一個方向上的電流流過，但在相反方向上，它們呈現高阻抗，直到兩端電壓達到擊穿電壓。二極管本質上為單向器件，保護方式為電壓箝位。二極管的特性取決于N區與P區的摻雜程度，這兩個區離結點的距離遠近不同。調節摻雜程度能構建反向偏置擊穿電壓在幾百伏到單幾伏之間的二極管。設計有明確定義的反向偏置擊穿電壓的二極管，通常稱作齊納二極管。陜西ESD保護器件現貨供應

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