反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。 [5]在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。浦東新區國產二極管量大從優

極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 [1]。二極管有兩個電極，正極，又叫陽極；負極，又叫陰極，給二極管兩極間加上正向電壓時，二極管導通， 加上反向電壓時，二極管截止。 二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開 [2]。二極管具有單向導電性能，導通時電流方向是由陽極通過管子流向陰極。二極管是**早誕生的半導體器件之一，其應用非常***。特別是在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接，構成不同功能的電路，可以實現對交流電整流、對調制信號檢波、限幅和鉗位以及對電源電壓的穩壓等多種功能 [3]。寶山區國產二極管銷售廠二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開 [2]。

N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。 [6]PN結因此，在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區和N型區，根據N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]

動態電阻二極管特性曲線靜態工作點附近電壓的變化與相應電流的變化量之比。 [4]電壓溫度系數電壓溫度系數指溫度每升高一攝氏度時的穩定電壓的相對變化量。 [4]比較高工作頻率比較高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結一樣，其結電容由勢壘電容組成。所以比較高工作頻率的值主要取決于PN結結電容的大小。若是超過此值。則單向導電性將受影響。 [4]比較大整流電流比較大整流電流是指二極管長期連續工作時，允許通過的比較大正向平均電流值，其值與PN結面積及外部散熱條件等有關。因為電流通過管子時會使管芯發熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141℃左右，鍺管為90℃左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以在規定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管比較大整流電流值晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。

它們在反向電壓作用下參加漂移運動，使反向電流明顯變大，光的強度越大，反向電流也越大。這種特性稱為“光電導”。光敏二極管在一般照度的光線照射下，所產生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負載，負載上就獲得了電信號，而且這個電信號隨著光的變化而相應變化。光敏二極管是電子電路中***采用的光敏器件。光敏二極管和普通二極管一樣具有一個PN結，不同之處是在光敏二極管的外殼上有一個透明的窗口以接收光線照射，實現光電轉換，在電路圖中文字符號一般為VD。 [1]在電子技術中常用的數碼管，發光二極管的原理與光電二極管相反。浦東新區國產二極管量大從優

隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。浦東新區國產二極管量大從優

光電二極管另外一個作用就是在模擬電路以及數字電路之間充當中介，這樣兩段電路就可以通過光信號耦合起來，這可以提高電路的安全性。在科學研究和工業中，光電二極管常常被用來精確測量光強，因為它比其他光導材料具有更良好的線性。在醫療應用設備中，光電二極管也有著廣泛的應用，例如X射線計算機斷層成像以及脈搏探測器。PIN結型光電二極管一般不用來測量很低的光強。如果弱光情況下需要高靈敏度探測器，雪崩光電二極管、感光耦合元件或者光電倍增管就能發揮作用，例如天文學、光譜學、夜視設備、激光測距儀等應用產品。浦東新區國產二極管量大從優

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