3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小，開關(guān)器件通斷快，開關(guān)損耗小；反之則慢，同時(shí)開關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高，從而產(chǎn)生較大的干擾，嚴(yán)重的將使整個(gè)裝置無法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下，柵極電阻的選取會(huì)有很大的差異。初試可如下選取：不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求，可在其參數(shù)手冊(cè)的推薦值附近調(diào)試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的功率決定，一般來說柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動(dòng)功率的2倍。它們通常用于控制電機(jī)、繼電器、LED、顯示器等負(fù)載。閔行區(qū)國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

3.關(guān)斷瞬時(shí)：足夠、反向基極電流—迅速抽出基區(qū)剩余載流子，減小 ；反偏截止電壓，使ic迅速下降，減小 。恒流驅(qū)動(dòng)電路恒定電路即基極電流恒定，功率管飽和導(dǎo)通。恒流驅(qū)動(dòng)優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： 電路簡(jiǎn)單；普通恒流驅(qū)動(dòng)電路恒流驅(qū)動(dòng)缺點(diǎn)：輕載時(shí)深度飽和，關(guān)斷時(shí)間長(zhǎng)。驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)質(zhì)是給柵極電容充放電。 [2]開通：1.驅(qū)動(dòng)電壓足夠高，一般>10V；（減小RDS(on))2.足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流，快的上升沿； （加速開通）3.驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小。 （加速開通）關(guān)斷：1. 足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流，快的下降沿； （加速關(guān)斷）2. 驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小。 （加速關(guān)斷）3. 驅(qū)動(dòng)加負(fù)壓。 （防止誤導(dǎo)通）閔行區(qū)國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)低邊驅(qū)動(dòng)：通常用于將功率開關(guān)器件連接在電源負(fù)極（地）一側(cè)。

IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù)，因?yàn)樗峭ㄟ^電橋測(cè)得的，在測(cè)量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測(cè)量條件下，所測(cè)得的結(jié)電容要比VCE=600V 時(shí)要大一些(如圖2)。

如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=2.2Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線，那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門極電荷會(huì)更接近實(shí)際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)通常需要考慮負(fù)載的電流、電壓要求，以及控制信號(hào)的特性。

IGBT驅(qū)動(dòng)：IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開發(fā)，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-15~15V。IGBT驅(qū)動(dòng)電路分為正壓驅(qū)動(dòng)和負(fù)壓驅(qū)動(dòng)，負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)，加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗。IGBT的驅(qū)動(dòng)電路一般采用**的驅(qū)動(dòng)芯片，如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飛凌的EiceDRIVER系列等。五、驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用顯示控制：驅(qū)動(dòng)電路可以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設(shè)備；也可以將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，以控制數(shù)碼管等顯示設(shè)備。傳感器驅(qū)動(dòng)：驅(qū)動(dòng)電路可以將傳感器檢測(cè)到的物理量轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，例如溫度傳感器、壓力傳感器等。普陀區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路圖片

驅(qū)動(dòng)電路是電子設(shè)備中的“動(dòng)力源泉”，它負(fù)責(zé)將微弱的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。閔行區(qū)國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

led驅(qū)動(dòng)電路是一種用于可控硅調(diào)光器的電路，分為兩類AC/ DC轉(zhuǎn)換和DC/ DC轉(zhuǎn)換兩類，又根據(jù)驅(qū)動(dòng)原理的不同，可以分為線性驅(qū)動(dòng)電路和開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路。LED在具體的使用時(shí)，要注意驅(qū)動(dòng)電路的選用。LED 驅(qū)動(dòng)電路除了要滿足安全要求外，另外的基本功能應(yīng)有兩個(gè)方面：根據(jù)能量來源的不同，LED驅(qū)動(dòng)電路總體上可分為兩類，一是AC/ DC轉(zhuǎn)換，能量來自交流電，二是DC/ DC轉(zhuǎn)換，能量來自干電池、可充電電池、蓄電池等。根據(jù)LED驅(qū)動(dòng)原理的不同，又可以分為線性驅(qū)動(dòng)電路和開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路。閔行區(qū)國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

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