若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞??煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等??煽毓韬推渌雽w器件一樣,其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業、農業、交通運輸、***科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。如果不加觸發信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導通,但已屬于非正常工作情況了。普陀區質量可控硅設計
1:小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流:IA小于2A。2:大;**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。3:大功率高頻可控硅通常用作工業中;高頻熔煉爐等??煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種,螺旋式的應用較多??煽毓栌腥齻€電極---陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN結??煽毓韬椭挥幸粋€PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用,為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。閔行區本地可控硅服務熱線塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,又在控制極G和陰極C之間(相當BG1的基一射間)輸入一個正的觸發信號,BG1將產生基極電流Ib1,經放大,BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連,IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大,直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程,對可控硅來說,觸發信號加入控制極,可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。
在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此功率,因元件開關損耗***增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用??煽毓璧膬烖c很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等??煽毓璧娜觞c:靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅可控硅和小功率可控硅三種。
應用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見,雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。***象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時,我們稱為正向電壓,并用符號U21表示。當這個電壓逐漸增加到等于轉折電壓UBO時,圖3(b)左邊的可控硅就觸發導通,這時的通態電流為I21,方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到,觸發電流越大,轉折電壓就越低,這種情形和普通可控硅的觸發導通規律是一致的, 當加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時,叫做反向電壓,并用符號U12表示。當這個電壓達到轉折電壓值時,圖3(b)觸發導通,這時的電流為I12,其方向是從T1到T2。這時雙向可控硅的特性曲線,如圖4中第三象限所示。大;塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。松江區制造可控硅設計
反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。普陀區質量可控硅設計
晶閘管特性單向晶聞管的結構與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯起來,通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極,陰極K接電源的負極,控制極G通過按鈕開關SB接在1.5V直流電源的正極(這里使用的是KP1型晶閘管,若采用KP5型,應接在3V直流電源的正極)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,也就是說,給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開關S,小燈泡不亮,說明晶閘管沒有導通;再按一下按鈕開關SB,給控制極輸入一個觸發電壓,小燈泡亮了,說明晶閘管導通了。這個演示實驗給了我們什么啟發呢?普陀區質量可控硅設計
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