耐壓級別的選擇： 通常把VDRM(斷態重復峰值電壓)和 VR R M(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。 選用時，額定電壓應為正常工作峰值電壓的2~3倍，作為允許的操作過電壓裕量。 [1]·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時， 可控硅承受斷態重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應小于器件規定的IDRM 和 IRRM。在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。崇明區本地可控硅量大從優

晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結構與符號。它屬于NPNP四層器件，三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通，故除門極G以外的兩個電極統稱為主端子，用T1、T2。表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點是，當G極和T2極相對于T1，的電壓均為正時，T2是陽極，T1是陰極。反之，當G極和T2極相對于T1的電壓均為負時，T1變成陽極，T2為陰極。雙向晶閘管的伏安特性，由于正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個方向導通。黃浦區挑選可控硅專賣店反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。

控 制：Controlled(取***個字母)整流器：Rectifier(取***個字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。雙 向：Bi-directional(取***個字母)三 端：Triode(取***個字母)由以上兩組單詞組合成“BT”，也是對雙向可控硅產品的型號命名，典型的生產商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來命名雙向可控硅。

常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等。可控硅的主要參數有：1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。

我們把這種觸發叫做“***象限的負觸發”或稱為I-觸發方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發信號，雙向可控硅導通后，通態電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發叫做Ⅲ+觸發方式。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發信號(圖5d)，雙向可控硅導通后，通態電流仍從T1流向T2。這種觸發就叫做Ⅲ-觸發方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發方式，但由于負信號觸發所需要的觸發電壓和電流都比較小。工作比較可靠，因此在實際使用時，負觸發方式應用較多。它只有導通和關斷兩種狀態。黃浦區挑選可控硅專賣店

圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。崇明區本地可控硅量大從優

從晶閘管的內部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管.當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。崇明區本地可控硅量大從優

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