發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(Light Emitting Diode)。和普通二極管相似，發光二極管也是由一個PN結構成。發光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內，外形有方形、矩形和圓形等。發光二極管的驅動電壓低、工作電流小，具有很強的抗振動和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長等優點，常用于信號指示等電路中。
在電子技術中常用的數碼管，發光二極管的原理與光電二極管相反。當發光二極管正向偏置通過電流時會發出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄，其波長由所使用的基本材料而定。
高頻開關下，二極管模塊的結電容（Cj）會引入額外損耗，需搭配 RC 緩沖電路抑制。雪崩二極管直銷

高電壓二極管模塊（耐壓超過3kV）通常用于高壓直流輸電（HVDC）、軌道交通和工業變頻器等場景。這類模塊的設計面臨多項挑戰，包括耐壓隔離、電場均布和散熱管理。為解決這些問題，制造商常采用多層DBC基板、分段屏蔽結構以及高性能絕緣材料（如AlN陶瓷）。此外，高電壓模塊還需通過嚴格的局部放電測試和熱循環驗證，以確保長期可靠性。例如，在風電變流器中，高壓二極管模塊需承受頻繁的功率波動和惡劣環境條件，因此其封裝工藝和材料選擇尤為關鍵。未來，隨著SiC和GaN技術的成熟，高壓二極管模塊的性能和功率密度將進一步提升。 寧夏二極管采購安裝二極管模塊時，需在基板與散熱片間涂抹導熱硅脂，降低熱阻至 0.1℃/W 以下。

Infineon英飛凌作為全球功率半導體領域的**企業，其二極管模塊產品以高性能、高可靠性著稱，廣泛應用于工業驅動、新能源發電、汽車電子等領域。英飛凌采用先進的薄晶圓技術和創新的封裝工藝，使模塊在功率密度、能效和散熱性能方面處于行業**水平。例如，其EconoPACK?系列模塊采用TRENCHSTOP?溝槽技術，***降低導通損耗，1200V/300A模塊的正向壓降*1.25V，比傳統方案節能20%。此外，英飛凌的SiC（碳化硅）肖特基二極管模塊（CoolSiC?系列）憑借零反向恢復電荷（Qrr）特性，成為高頻、高功率應用的理想選擇，特別適用于電動汽車和太陽能逆變器。

電動汽車的OBC（車載充電機）和DC-DC轉換器依賴高壓二極管模塊實現高效能量轉換。例如，碳化硅（SiC）肖特基二極管模塊可承受1200V以上電壓，開關損耗比硅器件降低70%，明顯提升充電速度并減少散熱需求。在電池管理系統（BMS）中，隔離二極管模塊防止不同電池組間的異常電流倒灌，確保高壓安全。模塊的環氧樹脂密封和銅基板設計滿足車規級抗震、防潮要求（如AEC-Q101認證），適應嚴苛的汽車電子環境。未來，隨著800V高壓平臺普及，SiC和GaN二極管模塊將成為主流。 整流二極管模塊常用于 AC-DC 轉換，通過橋式電路將交流電轉為脈動直流電。

二極管具有單向導電性，二極管的伏安特性曲線如圖2所示 。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；當電壓超過0.6V時，電流開始按指數規律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約0.7V時，二極管處于完全導通狀態，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示。
對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。 與分立二極管相比，模塊方案可減少 50% 以上的焊接點，降低虛焊風險。頻率倍增二極管咨詢

英飛凌二極管模塊通過RoHS認證，環保無鉛設計，符合全球綠色能源的發展趨勢。雪崩二極管直銷

數據中心和5G基站的48V通信電源系統采用二極管模塊構建冗余電路（如ORing架構）。當主電源故障時，模塊自動切換至備用電源，確保零中斷供電。肖特基二極管模塊因其低正向壓降（0.3V以下），可減少能量損耗，效率超98%。模塊的TO-220或SMD封裝支持高密度PCB布局，適應狹小空間。部分智能模塊還集成電流檢測和溫度監控功能，通過I2C接口上報狀態，實現預測性維護。此類模塊的MTBF（平均無故障時間）通常超過10萬小時，是通信基礎設施高可靠性的關鍵保障。 雪崩二極管直銷