SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。當陽極出現PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結發生雪崩擊穿，擊穿產生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現強烈的電導調制效應，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導致其抗ESD能力非常強，微分電阻也非常小。在陽極出現NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放。來明電子可提供多種類型的ESD靜電保護元件，并提供選型替代，國產化替代，具有較高的性價比。青海低電容ESD保護元件電壓

ESD靜電的來源,在電子制造業中，靜電的來源是多方面的，如人體、塑料制品、有關的儀器設備以及電子元器件本身。人體是**重要的靜電源，這主要有三個方面的原因：1、人體接觸面廣，活動范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時也有許多機會將人體自身所帶的電荷轉移到器件上或者通過器件放電；2、人體與大地之間的電容低，約為50一250pF，典型值為150PF，故少量的人體靜電荷即可導致很高的靜電勢；3、人體的電阻較低，相當于良導體，如手到腳之間的電阻只有幾百歐姆，手指產生的接觸電阻為幾千至幾十千歐姆，故人體處于靜電場中也容易感應起電，而且人體某一部分帶電即可造成全身帶電。廣東USB2.0ESD保護元件電容ESD靜電保護元件一般并聯在電流中使用。

人體放電模型（HBM）法規：十九世紀時，人們曾用這種模型來調查礦坑中的氣體混合物事件。美國***標準MIL-STD-883的第3015.8號方法建立了一個簡化的等效電路，以及模擬人體模型需要的測試程序。另一個國際廣為使用的法規是ANSI/ESDA-JEDECJS-001：靜電放電敏感度測試。人體模型主要用在工廠生產環境中，另一個類似的法規IEC61000-4-2，是系統級的靜電測試法規，則是在在系統層級的測試。我國靜電放電對應的國標相對應的標準為GB/T17626.2。

Resistor不單獨用于芯片的ESD保護，它往往用于輔助的ESD保護，如芯片Input***級保護和第二級保護之間的限流電阻。當ESD電流過大，***級ESD器件難以將電壓鉗位至安全區域時，第二級ESD器件的導通將使其與電阻分壓，從而進一步降低進入內部電路的電壓。又如用于GG-NMOS的柵電阻，如圖6所示，NMOS的柵極通過一電阻接地，而非直接接地。如此一來，在NMOS漏端發生正向的ESD脈沖時，由于NMOS的漏一柵電容，會使得器件的柵極耦合出一正的電勢，該電勢會促使NMOS的溝道開啟，從而起到降低NMOS在ESD應力下觸發電壓的目的。ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小。

國際電工委員會(Internationa1日ectrotechnicalCommission，IEC)制定了測試標準IEC61000-4-2來評價電子設備的ESD抗擾度等級。但人們在研究靜電放電的危害時，主要關心的是靜電放電產生的注入電流對電火工品、電子器件、電子設備及其他一些靜電敏感系統的危害，忽視了靜電放電的電磁脈沖效應，直到20世紀90年代初Wilson才***提出ESD過程中產生的輻射場影響。IEC61000-4-2標準雖幾經修改，規范了ESD模擬器對水平耦合板和垂直耦合板的放電方式，但沒有關于ESD輻射場的明確規定，對ESD模擬器也*規定了放電電流的典型波形和4個關鍵點參數。通常被測設備(equip—mentundertest，EUT)是易受電磁場影響的。許多學者在實際測試時發現，由于ESD模擬器內部繼電器與接地回路等因素的影響，符合IEC61000-4-2標準要求的不同END模擬器所得測試結果并不相同。在中低頻IC內部的I/O端口都可以設計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力。青海低電容ESD保護元件電壓

ESD放電具有高頻、快速放電特性，對防護器件的響應速度要求較高。青海低電容ESD保護元件電壓

提高防護電路箱位電壓或導通電壓的設計方法由于低容值要求選用的防護器件的箱位電壓(或導通電壓)低于高頻信號可能的**人峰值電壓時，防護器件將對高頻信號產生“壓縮”的限幅問題，此時可以采用以下優化設計方法，提高防護器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對防護二極管施加反向偏壓，使二極管的導通電壓大于高頻信號峰值電平。B.二極管串聯法-n只二極管同向串聯，導通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯，導通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護二極管串聯穩壓二極管的方法提高防護電路的箱位電壓。C.二極管串聯電容法-防護二極管串聯電容后，高頻信號通過二極管對電容充電，電容充電后對二極管提供偏壓，提升二極管的正向導通電樂。青海低電容ESD保護元件電壓

上海來明電子有限公司是以TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容研發、生產、銷售、服務為一體的一般項目: 電子產品、電子元器件、電動工具、機電設備、儀器儀表、通訊器材(除衛星電視廣播地面接收設施)、音響設備及器材、金屬材料、日用百貨的銷售，電子元器件的制造。加工(以上限分支機構經營)。(除依法須經批準的項目外。憑營業執照依法自主開展經營活動) 許可項目: 貨物進出口;技術進出口:進出口代理。(依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動，具體經營項目以相關部門批準文件或許可證件為準)企業，公司成立于2010-08-11，地址在靈山路1000弄2號808。至創始至今，公司已經頗有規模。本公司主要從事TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容領域內的TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等產品的研究開發。擁有一支研發能力強、成果豐碩的技術隊伍。公司先后與行業上游與下游企業建立了長期合作的關系。晶導微電子,意昇,美碩,成鎬以符合行業標準的產品質量為目標，并始終如一地堅守這一原則，正是這種高標準的自我要求，產品獲得市場及消費者的高度認可。上海來明電子有限公司通過多年的深耕細作，企業已通過電子元器件質量體系認證，確保公司各類產品以高技術、高性能、高精密度服務于廣大客戶。歡迎各界朋友蒞臨參觀、 指導和業務洽談。