在高頻高速信號電路中，電路的特征阻抗較低，分布電容和分布電感對電路的阻抗匹配、信號質量會產生較大的影響，這要求設計的ESD防護電路具有很小的寄生參數，對信號質量和阻抗匹配產生**小的影響，即要保證高頻信號盡量無損失地通過防護電路，同時ESD防護電路要對寬頻譜的ESD信號具有較好的吸收和衰減性能，阻止ESD脈沖進入被保護電路。在中低頻IC內部的I/O端口都可以設計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力，但是射頻器件和高速數字IC內部的I/0端口一般無法直接設計ESD防護電路，因為防護電路的寄生參數(主要是結電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。在ESD設計中，Diode是一種常見的器件。江西BNC接口ESD保護元件電容

ESD防護電路對高頻信號質量的影響與改進。ESD防護電路的引入會影響電路的信號傳輸質量，使信號的時延、頻響、電平等發生變化。在高頻電路中，防護電路引起電路參數的改變而影響電路的阻抗匹配，防護器件的導通特性也會引起信號的衰減、畸變、限幅等效應。防護器件的結電容、箱位電壓(成導通電壓)是影響高頻信號質量的關鍵因素。信號頻率高于1GHz時，直接采用TVS和開關二極管作ESD防護，其結電容很難滿足線路信號質量的要求，此時需要采用降低防護電路并聯結電容的措施或采用LC高通濾波器結構。湖北USB TYPE C ESD保護元件參數靜電源包裝，出ESD防護區的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響。

ESD靜電放電機器模型,機器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容是200pF，等效電阻為0，機器模型與人體模型的差異較大，實際上機器的儲電電容變化較大，但為了描述的統一，取200pF。由于機器模型放電時沒有電阻，且儲電電容大于人體模式，同等電壓對器件的損害，機器模式遠大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們在裝配、傳遞、試驗、測試、運輸及存貯過程中，由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦，就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時，發生對地放電引起器件失效而建立的。

常見人體帶電過程如下：(1)人從椅子上站起來，或擦拭墻壁等過程(**初的電荷分離發生在衣物或其他相關物體外表面，然后，人體由感應帶電。(2)人在高電阻率材料制成的地毯等絕緣地板上走動(**初的電荷分離發生在鞋和地板之間，然后，對于導電性鞋，人體由電荷傳遞而帶電；對于絕緣鞋，人體是因感應而帶電)。(3)脫下外衣時的靜電。這是發生在外層衣物與內層衣物之間的接觸起電，人體則經過電荷傳遞或感應而帶電。(4)液體或粉體從人拿著的容器內倒出(該液體或粉體把一種極性的電荷帶走，將等量異性的電荷留在人體上。(5)與帶電材料接觸。如對高度帶電粉體取樣時的帶電。當存在連續起電過程時，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位被限制在約50kV以下。在中低頻IC內部的I/O端口都可以設計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力。

國際電工委員會(Internationa1日ectrotechnicalCommission，IEC)制定了測試標準IEC61000-4-2來評價電子設備的ESD抗擾度等級。但人們在研究靜電放電的危害時，主要關心的是靜電放電產生的注入電流對電火工品、電子器件、電子設備及其他一些靜電敏感系統的危害，忽視了靜電放電的電磁脈沖效應，直到20世紀90年代初Wilson才***提出ESD過程中產生的輻射場影響。IEC61000-4-2標準雖幾經修改，規范了ESD模擬器對水平耦合板和垂直耦合板的放電方式，但沒有關于ESD輻射場的明確規定，對ESD模擬器也*規定了放電電流的典型波形和4個關鍵點參數。通常被測設備(equip—mentundertest，EUT)是易受電磁場影響的。許多學者在實際測試時發現，由于ESD模擬器內部繼電器與接地回路等因素的影響，符合IEC61000-4-2標準要求的不同END模擬器所得測試結果并不相同。ESD防護主要采用“過壓防護”的原理，通過隔離電路、鉗位電路、衰減電路等方式降低ESD的沖擊電壓。山東SD卡ESD保護元件電壓

ESD靜電保護元件可以做成陣列式，同時保護幾路數據線免遭ESD的損壞。江西BNC接口ESD保護元件電容

現代通信技術和微電子技術推動半導體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發展，從而促進半導體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內部的細引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進一步縮小，氧化層進一步減薄，導致器件抗ESD能力越來越低高速數字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來越低。例如，現在通信設備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數百伏，低達100V，成為ESD高損傷率器件。江西BNC接口ESD保護元件電容