整流橋一般帶有足夠大的電感性負載，因此整流橋不出現電流斷續。一般整流橋應用時,常在其負載端接有平波電抗器,故可將其負載視為恒流源。多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產生的諧波相互抵消。按整流變壓器的類型可以分為傳統的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。傳統的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實現輸入電壓和輸出電壓的隔離，但整流變壓器的等效容量大，體積龐大。由于一般整流橋應用時,常在其負載端接有平波電抗器，故可將其負載視為恒流源。另外根據EMI測量標準，為減小電網阻抗對測量結果的影響，需要在整流橋的電網輸入端接入線性阻抗穩定網絡(LISN)。測試所用的LISN的結構如圖1所示，其主要作用是：①減小電網阻抗對測量結果的影響；②隔離來自電網端的干擾。由于LISN的隔離作用，可以把電網端視作一*有基波電勢和內阻抗的電源。 幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管。山東超快恢復二極管分類

高壓二極管是指設計用于在極高電壓下工作或暴露在高電壓下具有特定特性的任何二極管。幾乎任何二極管都可以在任何電壓下工作，如果這正是它所要做的。通過加固二極管的部分并在其構造過程中使用特定材料，二極管可以承受極高的功率。因此，在處理高壓或電壓尖峰時，通常使用幾種二極管。高壓二極管具有體積小,耐壓高,速度快,穩定性好的特點高壓二極管是利用PN結的單向導電特性，把交流電變成脈動直流電。高壓二極管漏電流較大,多數采用面接觸性料封裝的二極管。 北京肖特基二極管特性早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。

TVS瞬態抑制二極管是一種二極管形式的高效能保護器件。當TVS二極管的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變為低阻抗，吸收高達數千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應速度快、瞬態功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優點，已廣泛應用于計算機系統、通訊設備、交/直流電源、汽車、電子鎮流器、家用電器、儀器儀表（電度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、數字照相機的保護、共模/差模保護、RF耦合/IC驅動接收保護、電機電磁波干擾抑制、聲頻/視頻輸入、傳感器/變速器、工控回路、繼電器、接觸器噪音的抑制等各個領域。

整流橋（橋堆）整流橋（橋堆）內部由多個二極管組成，外用絕緣塑料封裝而成，主要作用是整流，調整電流方向。不同的應用場合選擇不同的橋堆，我司可提供普通整流橋、快恢復整流橋、高效恢復整流橋、超快恢復整流橋、肖特基橋等。產品封裝形式有DBF、TO-227、D3K、DBF、ABS、DB-S、DB-M，GBPC、GBU、KBJ、KBL、KBP、KBPC-6、KBPC-8、WOM、GBJ、GBL、GBP、KBPC、KBU、MBF、MBS等，電流高達50A，電壓達從幾百伏至幾千伏，電流可達幾十安培。常用的國產普通開關二極管有2AK系列鍺開關二極管。

新型高壓SBD的結構和材料與傳統SBD是有區別的。傳統SBD是通過金屬與半導體接觸而構成。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導體材料作為基片。為了減小SBD的結電容，提高反向擊穿電壓，同時又不使串聯電阻過大，通常是在N+襯底上外延一高阻N－薄層。大家知道，金屬導體內部有大量的導電電子。當金屬與半導體接觸（二者距離只有原子大小的數量級）時，金屬的費米能級低于半導體的費米能級。在金屬內部和半導體導帶相對應的分能級上，電子密度小于半導體導帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導體向金屬擴散，從而使金屬帶上負電荷，半導體帶正電荷。由于金屬是理想的導體，負電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內。而對于N型半導體來說，失去電子的施主雜質原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。電子從半導體向金屬擴散運動的結果，形成空間電荷區、自建電場和勢壘，并且耗盡層只在N型半導體一邊（勢壘區全部落在半導體一側）。勢壘區中自建電場方向由N型區指向金屬，隨熱電子發射自建場增加，與擴散電流方向相反的漂移電流增大，**終達到動態平衡，在金屬與半導體之間形成一個接觸勢壘，這就是肖特基勢壘。二極管由P區引出的電極稱為陽極，N區引出的電極稱為陰極。山東大電流二極管符號

二極管是電路中基本的電子元器件。山東超快恢復二極管分類

高壓SBD圖2肖特基二極管長期以來，在輸出12V～24V的SMPS中，次級邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V～48V的SMPS中，只有選用200V～400V的FRED。設計者迫切需要介于100V～200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來，美國IR公司和APT公司以及ST公司瞄準高壓SBD的巨大商機，先后開發出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結構上增加了PN結工藝，形成肖特基勢壘與PN結相結合的混合結構，如圖2所示。采用這種結構的SBD，擊穿電壓由PN結承受。通過調控N－區電阻率、外延層厚度和P+區的擴散深度，使反偏時的擊穿電壓突破了100V這個長期不可逾越的障礙，達到150V和200V。在正向偏置時，高壓SBD的PN結的導通門限電壓為，而肖特基勢壘的結電壓*約，故正向電流幾乎全部由肖特基勢壘供給。山東超快恢復二極管分類

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