熱電擊穿：當pn結施加反向電壓時，流過pn結的反向電流要引起熱損耗。反向電壓逐漸增大時，對于一定的反向電流所損耗的功率也增大，這將產生大量熱量。如果沒有良好的散熱條件使這些熱能及時傳遞出去，則將引起結溫上升。這種由于熱不穩定性引起的擊穿，稱為熱電擊穿。擊穿電壓的溫度特性：溫度升高后，晶格振動加劇，致使載流子運動的平均自由路程縮短，碰撞前動能減小，必須加大反向電壓才能發生雪崩擊穿具有正的溫度系數，但溫度升高，共價鍵中的價電子能量狀態高，從而齊納擊穿電壓隨溫度升高而降低，具有負的溫度系數。利用TVS 二極管，可有效吸收會造成器件損壞的脈沖，并能消除由總線之間開關所引起的干擾。四川600W瞬態抑制二極管

根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結單向導電性可以制作整流二極管、檢波二極管和開關二極管，利用擊穿特性制作穩壓二極管和雪崩二極管；利用高摻雜PN結隧道效應制作隧道二極管；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極管。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以制造半導體激光二極管與半導體發光二極管；利用光輻射對PN結反向電流的調制作用可以制成光電探測器；利用光生伏***應可制成太陽電池。此外，利用兩個PN結之間的相互作用可以產生放大，振蕩等多種電子功能。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的**，是現代電子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。安徽6600W瞬態抑制二極管封裝TVS 臺面缺陷造成的失效常常是批次性的。

高溫當TVS器件工作溫度超過其比較大允許工作溫度時，易發生短路失效且通常發生在pn結表面。這是因為，在高溫條件工作下，表面可動離子的數量**增加[5]，表面電流也隨之增大，表面功率密度和溫度比體內高，使pn結邊緣結溫超過200℃，邊緣局部區域晶格遭受致命性的損壞。TVS在高溫反偏篩選中短路失效情況統計表明:高擊穿電壓(150V以上)TVS器件更容易發生短路失效。這是因為在相同額定功率的TVS系列中，在承受相同功率時，高擊穿電壓TVS芯片溫升更高。

反向擊穿性PN結加反向電壓時，空間電荷區變寬，區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿（也叫齊納擊穿）和雪崩擊穿，前者擊穿電壓小于6V，有負的溫度系數，后者擊穿電壓大于6V，有正的溫度系數。雪崩擊穿：阻擋層中的載流子漂移速度隨內部電場的增強而相應加快到一定程度時，其動能足以把束縛在共價鍵中的價電子碰撞出來，產生自由電子—空穴對，新產生的載流子在強電場作用下，再去碰撞其它中性原子，又產生新的自由電子—空穴對，如此連鎖反應，使阻擋層中的載流子數量急劇增加，像雪崩一樣。雪崩擊穿發生在摻雜濃度較低的PN結中，阻擋層寬，碰撞電離的機會較多，雪崩擊穿的擊穿電壓高。TVS廣泛應用于計算機系統、通訊設備、交/直流電源、汽車、電子鎮流 器、家用電器。

在規定的反向應用條件下，當承受一個高能量的瞬時過壓脈沖時，其工作阻抗能立即降至很低的導通值，允許大電流通過，并將電壓箝制到預定水平，從而有效地保護電子線路中的精密元器件免受損壞。TVS能承受的瞬時脈沖功率可達上千瓦，其箝位響應時間*為1ps（10^-12S）。TVS允許的正向浪涌電流在T=25℃，T=10ms條件下，可達50～200A。雙向TVS可在正反兩個方向吸收瞬時大脈沖功率，并把電壓箝制到預定水平，雙向TVS適用于交流電路，單向TVS一般用于直流電路。DO-201封裝的TVS有1.5KE系列（5000W）、LCE系列。四川600W瞬態抑制二極管

P4KE、P6KE、1.5KE系列中的數字**擊穿電壓標稱值（VBR）。四川600W瞬態抑制二極管

TVS主要用于對電路元件進行快速過電壓保護。它能"吸收"功率高達數千瓦的浪涌信號。TVS具有體積小、功率大、響應快、無噪聲、價格低等諸多優點,它的應用十分較多，如:家用電器；電子儀器；儀表；精密設備；計算機系統；通訊設備;RS232、485及CAN等通訊端口；ISDN的保護；I/O端口；IC電路保護；音、視頻輸入；交、直流電源；電機、繼電器噪聲的抑制等各個領域。它可以有效地對雷電、負載開關等人為操作錯誤引起的過電壓沖擊起保護作用，下面是幾個TVS在電路應用中的典型例子。四川600W瞬態抑制二極管

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