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天津貼片ESD保護元件電壓

來源: 發布時間:2023-05-29

靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地(大部分電流);另一條通過內部PCB流向大地(小部分)。靜電放電電流屬于高頻信號,集膚效應及金屬外殼的低阻抗特性(測試中檢查了金屬外殼的搭接性能,確認良好,如果搭接不好,也將引起額外的干擾,如案例“靜電放電十擾是如何引起的”中描述的那樣)使得大部分的靜電放電干擾電流會從金屬外殼流人大地。既然大部分的靜電放電干擾電流已經通過金屬外殼流人大地,那為什么還會出現ADC的異常工作呢?ADC電路的設計肯定存在較薄弱的環節。檢查電路發現,ADC存在模擬地和數字地,電路設計時為了使數字電路部分的干擾不影響模擬電路部分,在數字地和模擬地之問跨接了磁珠進行隔離。靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地,另一條通過內部PCB流向大地。天津貼片ESD保護元件電壓

靜電可吸附空氣中很多的浮塵并且通電性越大、吸附浮塵的數目就越大,而浮塵中通常帶有很多種有毒物質和病原菌,輕則刺激性肌膚,危害肌膚的光澤度和鮮嫩,重則使肌膚起癍長瘡,更明顯的還會繼續引起慢性***和心率失常等病癥。靜電造成主要是與衣著相關,化學纖維類服飾摩擦會“生電”。干燥的時節,這類慢慢累積上去的靜電工作電壓超出3000伏時,便會造成“打架”狀況,充放電時可聽見“嘩啦啦”的響聲,摸電導體的手覺得麻痛。人的身上的靜電盡管工作電壓很高,但電流量不大,不容易發生相近“觸電事故”的風險。陜西以太網接口ESD保護元件參數ESD防護電路主要采用“過壓防護”的原理,通過隔離、箝位(限幅)、衰減、濾波等降低ESD沖擊電壓。

在高頻接口還可以采用電阻衰減網絡和LC濾波電路形成ESD保護。電阻衰減網絡在很寬的頻帶范圍都有較好的適應性,但是它在衰減ESD脈沖的同時,對高頻信號進行同比例衰減,改變了電路系統的增益分配,而且在低噪聲要求的高頻接口不能采用此方法。從圖1的ESD頻譜可見,數百MHz以下的高頻接口很難使用濾波方法實現ESD防護,只有在GHz以上的高頻接口且使用LC高通濾波器才具有可實現性。適用于高頻信號接口的ESD防護電路必須有很小的并聯結電容、較小的串聯電感和很快的響應速度,這對防護器件參數的選取、PCB布局的寄生參數控制、阻抗匹配以及布板面積都有較高的要求,實際實現起來并不簡單。

電阻衰減網絡可以采用圖2中(b)的n形結構,也可以采用T型結構。多階LC高通濾波器可以獲得較好的濾波矩形系數,當濾波器截止頻率高于ESD脈沖主能量成分的頻率,可以把絕人部分ESD能量濾除,因此在較高頻率的高頻端口使用LC高通濾波器,可以獲得很好的SD防護效果。電阻衰減網絡和品通濾波器屬于線性無源網絡,不存在響應速度的問題,根據高頻電路阻抗特征進行優良的四配設計也有利于改善高頻接口的駐波性能。為了提高ESD防護效果,ESD防護電路應盡可能靠近高頻端口,而被保護器件應盡量遠離端口,同時應盡可能地減小并聯保護網絡的串聯寄生電感,如圖2(a)中的L1和L2,大的寄生電感將抗拒ESD脈沖電流的快速變化,使ESD電流大部分流入被防護器件。單級防護電路的防護效果不能滿足要求時,可以采用防護二極管、濾波器、衰減器等多級級聯的防護結構。在選用TVS、開關二極管和R/L/C元件設計ESD防護電路時,要注意選用的元件、特別是R/L/C元件的能量承受能力要足夠強,不被ESD脈沖損壞,提高防護電路的可靠性。ESD放電具有高頻、快速放電特性,對防護器件的響應速度要求較高。

對于ESD,我們應該如何進行一個選型呢?ESD主要分為四類:TVS二極管、壓敏電阻、MLCC、ESD抑制器,各個器件的應用場景也不太一樣,我們**常用的esd器件就是tvs二極管了。1)工作電壓選擇ESD器件應該選擇系統工作電壓小于ESD器件的工作電壓(VRWM),例如系統是0~5V,那么我們應該選擇工作電壓(VRWM)大于5V的TVS。2)信號類型單向ESD器件和雙向ESD器件的選擇,雙向ESD器件可以通過正負擊穿電壓(VBR)的信號,而單向ESD器件只可以通過正擊穿電壓(VBR)的信號,如果通過負的就會造成ESD器件擊穿。3)寄生電容ESD器件是有寄生電容的,如圖是寄生電容對高速電路接口的影響,寄生電容會影響電平的上升和下降速度,影響輸出后的信號。4)根據電路系統的比較大承受電壓沖擊,選擇適合的鉗位電壓;5)確保ESD器件可達到或超過IEC61000-4-2level4。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求。陜西以太網接口ESD保護元件參數

國際上習慣將用于靜電防護的器材統稱為ESD,中文名稱為靜電阻抗器。天津貼片ESD保護元件電壓

根據高頻電路信號特性和ESD防護能力的要求來選用不同的防護器件和不同的防護中路結構,防護器件的結電容需要滿足表1的要求,防護電路的開啟電壓(觸發電壓)和箱位電壓(或二極管導通電壓)應大于高頻信號可能的比較大峰值電壓,同時要遠遠小于被保護器件的ESD或值電樂,ESD防護電路的響應時間要小于被保護器件的響應時間。高頻信號頻率低于1GHz,可以直接選用低容值的雙向TVS管進行ESD防護,如果信號功率小,峰值電平低于二極管的正向導通電壓,也可以直接選用低容值的快速開關二極管兩個反向并聯后進行雙向ESD防護,如果信號峰值電平高于二極管的正向導通電壓,應采用兩個快速開關二極管反向串聯后進行雙向ESD防護。天津貼片ESD保護元件電壓

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