這里說的TVS管包括防ESD用的小功率TVS管（本文簡稱ESD管）和防浪涌用的大功率TVS管（本文簡稱浪涌管）。這里說的浪涌測試標準指TVS器件規格書上標明的測試標準：IEC61000-4-2Level4ESDProtection——靜電測試標準，必須通過，提供測試數據IEC61000-4-4Level4EFTprotection——部分廠家才會提供數據IEC61000-4-5（8/20us）——浪涌測試標準，必須通過，提供測試數據下面是安森美ESD5481MUT5G，用在一般信號線上的ESD管規格書提供的信息，人家一個小管子，完成了三個標準的測試。TVS的結電容與TVS的工作電壓成反比，工作電壓越低，結電容也越大。福建貼片TVSSOD-123

PN 結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎，常用的半導體功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻斷能力都直接取決于 PN 結的擊穿電壓，因此，PN 結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認為除 super junction 之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在 PN 結的邊緣引入球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓，使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應，使實際制造出的 PN 結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。北京P4KETVS現貨在通信速率較高的電路中，要考慮TVS的結電容對電路是否有影響。

根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結單向導電性可以制作整流二極管、檢波二極管和開關二極管，利用擊穿特性制作穩壓二極管和雪崩二極管；利用高摻雜PN結隧道效應制作隧道二極管；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極管。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以制造半導體激光二極管與半導體發光二極管；利用光輻射對PN結反向電流的調制作用可以制成光電探測器；利用光生伏***應可制成太陽電池。此外，利用兩個PN結之間的相互作用可以產生放大，振蕩等多種電子功能。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的**，是現代電子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。

TVS是一種二極管形式的高效能保護器件。當TVS二極管的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變為低阻抗，吸收高達數千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應速度快、瞬態功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優點，被廣泛應用于各類電子電路中浪涌保護或靜電保護。來明電子可提供批量TVS產品，具有較高的性價比。

TVS 臺面缺陷造成的失效常常是批次性的。 TVS 制造工藝過程中造成芯片臺面損傷的原因主要有兩個:1)芯片在酸蝕成型時，由于氫氟酸、硝酸混合液配方過濃或溫度過高而反應劇烈。2、燒焊過后進行堿腐蝕清洗時，腐蝕液濃度過大、溫度過高而造成堿腐蝕清洗過重。臺面缺陷或損傷的TVS 器件經過溫度循環和箝位沖擊等篩選試驗后，進行電參數測試時通常表現為短路或擊穿特性異常，從而被剔除。但輕微臺面損傷的TVS 器件在篩選后電參數測試時不易被發現，可能被列為良品出廠。這些TVS 器件在使用過程中經受長時間熱、電、機械等應力的作用后，臺面缺陷加劇，在缺陷處形成載流子產生-復合中心，使表面反向漏電流**增加。大的表面反向漏電流使pn 結邊緣溫度升高，產生熱電綜合效應，**終導致pn結邊緣半導體材料溫度過高燒毀。TVS是一種較常用的過壓保護器件。山東SMCJTVSSOD-123

來明電子具有大量常用TVS現貨產品。福建貼片TVSSOD-123

PN結加反向電壓時截止如果電源的正極接N區，負極接P區，外加的反向電壓有一部分降落在PN結區，PN結處于反向偏置。則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過，方向與PN結內電場方向相同，加強了內電場。內電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。此時PN結區的少子在內電場作用下形成的漂移電流大于擴散電流，可忽略擴散電流，PN結呈現高阻性。在一定的溫度條件下，由本征激發決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關，這個電流也稱為反向飽和電流。PN結加正向電壓時，呈現低電阻，具有較大的正向擴散電流；PN結加反向電壓時，呈現高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結論：PN結具有單向導電性。福建貼片TVSSOD-123

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