過(guò)電應(yīng)力當(dāng)瞬態(tài)脈沖能量超過(guò)TVS所能承受能量時(shí)會(huì)引起TVS器件過(guò)電應(yīng)力損傷，特別是當(dāng)瞬態(tài)脈沖能量達(dá)到TVS所能承受能量的數(shù)倍時(shí)會(huì)直接導(dǎo)致TVS器件過(guò)電應(yīng)力燒毀，失效模式表現(xiàn)為短路。過(guò)電應(yīng)力短路失效的TVS芯片在掃描電鏡下觀察。可發(fā)現(xiàn)pn結(jié)表面邊緣的熔融區(qū)域或體內(nèi)硅片的上表面和下表面的黑斑。試驗(yàn)表明，發(fā)生在結(jié)表面邊緣過(guò)電應(yīng)力短路失效通常是由持續(xù)時(shí)間極短(ns級(jí))的高能量瞬態(tài)脈沖所致，例如:EMP、ESD產(chǎn)生的脈沖:體內(nèi)過(guò)電應(yīng)力失效通常是由持續(xù)時(shí)間稍長(zhǎng)(us級(jí)以上)高能量脈沖所致，例如:電快速瞬變，雷電產(chǎn)生的脈沖。如果高能量瞬態(tài)脈沖持續(xù)時(shí)間介于ns級(jí)和μs級(jí)之間，則短路可能發(fā)生在結(jié)邊緣表面，也可能發(fā)生在體內(nèi)。臺(tái)面缺陷損傷的TVS 器件經(jīng)過(guò)溫度循環(huán)和沖擊等篩選試驗(yàn)后，電參數(shù)測(cè)試時(shí)通常表現(xiàn)為短路或擊穿特性異常。廣西SMB瞬態(tài)抑制二極管測(cè)試

220V交流市電經(jīng)整流濾波后變?yōu)楦邏褐绷鞴┙o開(kāi)關(guān)變壓器，此高壓直流變化范圍是240V～360V，而由于變壓器漏感和引線電感的存在，關(guān)斷過(guò)電壓可以高達(dá)幾千伏，功率開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)難于同時(shí)承受這兩種電壓。綜合考慮可以選用VWM等于200V左右的TVS，這樣將關(guān)斷過(guò)電壓控制在300V以內(nèi)，加上電源電壓，功率開(kāi)關(guān)管選用耐壓為700V的管型即可。當(dāng)功率開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)，由于開(kāi)關(guān)變壓器線圈漏感的存在，會(huì)產(chǎn)生極高的反電勢(shì)，有可能將功率開(kāi)關(guān)管擊穿。當(dāng)在開(kāi)關(guān)變壓器一次側(cè)并接上TVS管后，可以有效地吸收電壓尖峰，保護(hù)功率開(kāi)關(guān)管的安全，降低對(duì)功率開(kāi)關(guān)管耐壓的要求。廣西SMB瞬態(tài)抑制二極管測(cè)試SMB/DO-214AA封裝的TVS有SMBJ、P6SMB、1.0SMB系列等。

TVS的封裝類型有：2）SMA/DO-214AC封裝：SMAJ系列（400W）、P4SMA系列（400W）、TPSMAJ系列（400W）、SMA6J系列（600W）；3）SMB/DO-214AA封裝：SMBJ系列（600W）、P6SMB系列（600W）、TPSMBJ系列（600W）、SMB10J系列（1000W）、SACB系列、SACA系列；5）SOD-123封裝：SMF系列（200W）、TPSMF系列（200W）、SMF4L系列（400W）；6）DO-41封裝：P4KE系列（400W）；7）DO-15封裝：SA系列（500W）、P6KE系列（600W）、SAC系列；。。。。

齊納擊穿：齊納擊穿通常發(fā)生在摻雜濃度很高的PN結(jié)內(nèi)。由于摻雜濃度很高，PN結(jié)很窄，這樣即使施加較小的反向電壓（5V以下），結(jié)層中的電場(chǎng)卻很強(qiáng)（可達(dá)2.5×105V/m左右）。在強(qiáng)電場(chǎng)作用下，會(huì)強(qiáng)行促使PN結(jié)內(nèi)原子的價(jià)電子從共價(jià)鍵中拉出來(lái)，形成"電子一空穴對(duì)"，從而產(chǎn)生大量的載流子。它們?cè)诜聪螂妷旱淖饔孟拢纬珊艽蟮姆聪螂娏鳎霈F(xiàn)了擊穿。顯然，齊納擊穿的物理本質(zhì)是場(chǎng)致電離。采取適當(dāng)?shù)膿诫s工藝，將硅PN結(jié)的雪崩擊穿電壓可控制在8～1000V。而齊納擊穿電壓低于5V。在5～8V之間兩種擊穿可能同時(shí)發(fā)生。TVS是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。

熱電擊穿：當(dāng)pn結(jié)施加反向電壓時(shí)，流過(guò)pn結(jié)的反向電流要引起熱損耗。反向電壓逐漸增大時(shí)，對(duì)于一定的反向電流所損耗的功率也增大，這將產(chǎn)生大量熱量。如果沒(méi)有良好的散熱條件使這些熱能及時(shí)傳遞出去，則將引起結(jié)溫上升。這種由于熱不穩(wěn)定性引起的擊穿，稱為熱電擊穿。擊穿電壓的溫度特性：溫度升高后，晶格振動(dòng)加劇，致使載流子運(yùn)動(dòng)的平均自由路程縮短，碰撞前動(dòng)能減小，必須加大反向電壓才能發(fā)生雪崩擊穿具有正的溫度系數(shù)，但溫度升高，共價(jià)鍵中的價(jià)電子能量狀態(tài)高，從而齊納擊穿電壓隨溫度升高而降低，具有負(fù)的溫度系數(shù)。TVS發(fā)生短路失效，釋放出的高能量常常會(huì)將保護(hù)的電子設(shè)備損壞，這是TVS我們極力減少或避免的情況。遼寧SMA瞬態(tài)抑制二極管

SOD-123封裝的TVS一般有SMF，TPSMF，SMF4L等。廣西SMB瞬態(tài)抑制二極管測(cè)試

常用電路保護(hù)器件的主要失效模式為短路，瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦發(fā)生短路失效，釋放出的高能量常常會(huì)將保護(hù)的電子設(shè)備損壞，這是TVS生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免的情況通過(guò)對(duì)TVS篩選和使用短路失效樣品進(jìn)行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征結(jié)合器件結(jié)構(gòu)，材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時(shí)所受的應(yīng)力等，采用理論分析和試驗(yàn)證明等方法分析導(dǎo)致TVS器件短路失效的原因，分析結(jié)果表明引發(fā)TVS短路失效的內(nèi)在質(zhì)量因素包括粘結(jié)界面空洞、臺(tái)面缺陷，表面強(qiáng)耗盡層或強(qiáng)積累層、芯片裂紋和雜質(zhì)擴(kuò)散不均勻等，使用因素包括過(guò)電應(yīng)力、高溫和長(zhǎng)時(shí)間使用耗損等。廣西SMB瞬態(tài)抑制二極管測(cè)試

上海來(lái)明電子有限公司是一家一般項(xiàng)目: 電子產(chǎn)品、電子元器件、電動(dòng)工具、機(jī)電設(shè)備、儀器儀表、通訊器材(除衛(wèi)星電視廣播地面接收設(shè)施)、音響設(shè)備及器材、金屬材料、日用百貨的銷售，電子元器件的制造。加工(以上限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營(yíng))。(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外。憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)) 許可項(xiàng)目: 貨物進(jìn)出口;技術(shù)進(jìn)出口:進(jìn)出口代理。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)，具體經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目以相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)文件或許可證件為準(zhǔn))的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠(chéng)實(shí)可信的企業(yè)。來(lái)明電子作為電子元器件的企業(yè)之一，為客戶提供良好的TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容。來(lái)明電子不斷開(kāi)拓創(chuàng)新，追求出色，以技術(shù)為先導(dǎo)，以產(chǎn)品為平臺(tái)，以應(yīng)用為重點(diǎn)，以服務(wù)為保證，不斷為客戶創(chuàng)造更高價(jià)值，提供更優(yōu)服務(wù)。來(lái)明電子創(chuàng)始人熊偉，始終關(guān)注客戶，創(chuàng)新科技，竭誠(chéng)為客戶提供良好的服務(wù)。