在高頻高速信號電路中，電路的特征阻抗較低，分布電容和分布電感對電路的阻抗匹配、信號質量會產生較大的影響，這要求設計的ESD防護電路具有很小的寄生參數，對信號質量和阻抗匹配產生**小的影響，即要保證高頻信號盡量無損失地通過防護電路，同時ESD防護電路要對寬頻譜的ESD信號具有較好的吸收和衰減性能，阻止ESD脈沖進入被保護電路。在中低頻IC內部的I/O端口都可以設計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力，但是射頻器件和高速數字IC內部的I/0端口一般無法直接設計ESD防護電路，因為防護電路的寄生參數(主要是結電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。ESD靜電保護元件可以做成陣列式，同時保護幾路數據線免遭ESD的損壞。甘肅USB3.0接口ESD保護元件參數

人體靜電防護編輯 播報人體是**普遍存在的靜電危害源。對于靜電來說，人體是導體，所以可以對人體采取接地的措施。(1).使用防靜電地面/ 防靜電鞋/ 襪(靜電從腳導到大地)通過腳穿防靜電性地面、地墊、地毯，人員穿上防靜電鞋襪，形成組合接地。(2).佩戴防靜電腕帶并接地(靜電從手導到大地)通過手用以泄放人體的靜電。它由防靜電松緊帶、活動按扣、彈簧軟線.保護電阻及插頭或夾頭組成。松緊帶的內層用防靜電紗線編織，外層用普通紗線編織。甘肅低電容ESD保護元件測試ESD防護電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地。

靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地(大部分電流);另一條通過內部PCB流向大地(小部分)。靜電放電電流屬于高頻信號,集膚效應及金屬外殼的低阻抗特性(測試中檢查了金屬外殼的搭接性能,確認良好,如果搭接不好,也將引起額外的干擾,如案例“靜電放電十擾是如何引起的”中描述的那樣)使得大部分的靜電放電干擾電流會從金屬外殼流人大地。既然大部分的靜電放電干擾電流已經通過金屬外殼流人大地,那為什么還會出現ADC的異常工作呢?ADC電路的設計肯定存在較薄弱的環節。檢查電路發現,ADC存在模擬地和數字地,電路設計時為了使數字電路部分的干擾不影響模擬電路部分,在數字地和模擬地之問跨接了磁珠進行隔離。

ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小，在高頻電路中進行ESD防護設計的難度增大。尤其當這些器件應用于信號接口時，產品的組裝、測試和用戶使用過程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長久或潛在損傷，通信產品接口器件在生產中和市場上的ESD損壞事故頻頻發生，因此在設計和制造通信產品時除了加強產品制造過程的ESD控制外，還要加強產品的ESD防護設計，尤其是高頻信號接口的ESD防護設計已成為提高通信產品可靠性的一個重要環節。國際上習慣將用于靜電防護的器材統稱為ESD，中文名稱為靜電阻抗器。

在ESD設計中，Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應用情況，在VDD相對于VSS發生PositiveESDPulse時，Diode發生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護內部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對于VSS發生NegativeESDPulse時，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向導通電壓很小，此模式下器件的功耗很小，因此其抗ESD能力非常強。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態下的ESD能力差別非常大，因此目前在使用二極管作ESD保護器件時往往會采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態下的ESD能力，如此一來，缺點是非常明顯的，它增大了ESD器件的面積占用，更為嚴重的是，對于高頻引腳而言，此方式會帶來較大的寄生電容，使引腳的頻率特性變差。單位面積的ESD防護能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向擊穿）。甘肅低電容ESD保護元件測試

高頻信號接口的ESD防護電路設計主要是致力于降低防護電路的并聯結電容和串聯電感。甘肅USB3.0接口ESD保護元件參數

根據高頻電路信號特性和ESD防護能力的要求來選用不同的防護器件和不同的防護中路結構，防護器件的結電容需要滿足表1的要求，防護電路的開啟電壓(觸發電壓)和箱位電壓(或二極管導通電壓)應大于高頻信號可能的比較大峰值電壓，同時要遠遠小于被保護器件的ESD或值電樂，ESD防護電路的響應時間要小于被保護器件的響應時間。高頻信號頻率低于1GHz，可以直接選用低容值的雙向TVS管進行ESD防護，如果信號功率小，峰值電平低于二極管的正向導通電壓，也可以直接選用低容值的快速開關二極管兩個反向并聯后進行雙向ESD防護，如果信號峰值電平高于二極管的正向導通電壓，應采用兩個快速開關二極管反向串聯后進行雙向ESD防護。甘肅USB3.0接口ESD保護元件參數

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