對于ESD，我們應該如何進行一個選型呢？ESD主要分為四類：TVS二極管、壓敏電阻、MLCC、ESD抑制器，各個器件的應用場景也不太一樣，我們**常用的esd器件就是tvs二極管了。1）工作電壓選擇ESD器件應該選擇系統工作電壓小于ESD器件的工作電壓（VRWM），例如系統是0~5V，那么我們應該選擇工作電壓（VRWM）大于5V的TVS。2）信號類型單向ESD器件和雙向ESD器件的選擇，雙向ESD器件可以通過正負擊穿電壓（VBR）的信號，而單向ESD器件只可以通過正擊穿電壓（VBR）的信號，如果通過負的就會造成ESD器件擊穿。3）寄生電容ESD器件是有寄生電容的，如圖是寄生電容對高速電路接口的影響，寄生電容會影響電平的上升和下降速度，影響輸出后的信號。4）根據電路系統的比較大承受電壓沖擊，選擇適合的鉗位電壓；5）確保ESD器件可達到或超過IEC61000-4-2level4。靜電源控制，絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除，因此必須對敏感器件周邊進行靜電源控制。上海BNC接口ESD保護元件應用

靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地(大部分電流);另一條通過內部PCB流向大地(小部分)。靜電放電電流屬于高頻信號,集膚效應及金屬外殼的低阻抗特性(測試中檢查了金屬外殼的搭接性能,確認良好,如果搭接不好,也將引起額外的干擾,如案例“靜電放電十擾是如何引起的”中描述的那樣)使得大部分的靜電放電干擾電流會從金屬外殼流人大地。既然大部分的靜電放電干擾電流已經通過金屬外殼流人大地,那為什么還會出現ADC的異常工作呢?ADC電路的設計肯定存在較薄弱的環節。檢查電路發現,ADC存在模擬地和數字地,電路設計時為了使數字電路部分的干擾不影響模擬電路部分,在數字地和模擬地之問跨接了磁珠進行隔離。河南SD卡ESD保護元件選型ESD防護電路主要采用“過壓防護”的原理，通過隔離、箝位(限幅)、衰減、濾波等降低ESD沖擊電壓。

ESD是一種常見的近場危害源，可形成高電壓，強電場，瞬時大電流，并伴有強電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖。·電流>1A，·上升時間～15ns，衰減時間～150ns。ESD靜電放電的特點：靜電起電的**常見原因是兩種材料的接觸和分離。**經常發生的靜電起電現象是固體間的摩擦起電現象。此外還有剝離起電、破裂起電、電解起電、壓電起電、熱電起電、感應起電、吸附起電和噴電起電等。物體的靜電起電—放電一般具有高電位、強電場和寬帶電磁干擾等特點。

Resistor不單獨用于芯片的ESD保護，它往往用于輔助的ESD保護，如芯片Input***級保護和第二級保護之間的限流電阻。當ESD電流過大，***級ESD器件難以將電壓鉗位至安全區域時，第二級ESD器件的導通將使其與電阻分壓，從而進一步降低進入內部電路的電壓。又如用于GG-NMOS的柵電阻，如圖6所示，NMOS的柵極通過一電阻接地，而非直接接地。如此一來，在NMOS漏端發生正向的ESD脈沖時，由于NMOS的漏一柵電容，會使得器件的柵極耦合出一正的電勢，該電勢會促使NMOS的溝道開啟，從而起到降低NMOS在ESD應力下觸發電壓的目的。ESD靜電保護元件可以做成陣列式，同時保護幾路數據線免遭ESD的損壞。

提高防護電路箱位電壓或導通電壓的設計方法由于低容值要求選用的防護器件的箱位電壓(或導通電壓)低于高頻信號可能的**人峰值電壓時，防護器件將對高頻信號產生“壓縮”的限幅問題，此時可以采用以下優化設計方法，提高防護器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對防護二極管施加反向偏壓，使二極管的導通電壓大于高頻信號峰值電平。B.二極管串聯法-n只二極管同向串聯，導通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯，導通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護二極管串聯穩壓二極管的方法提高防護電路的箱位電壓。C.二極管串聯電容法-防護二極管串聯電容后，高頻信號通過二極管對電容充電，電容充電后對二極管提供偏壓，提升二極管的正向導通電樂。ESD靜電保護元件被廣泛應用于各類通信接口。上海BNC接口ESD保護元件應用

ESD靜電保護元件可提供多種封裝形式。上海BNC接口ESD保護元件應用

人體放電模型（HBM）法規：十九世紀時，人們曾用這種模型來調查礦坑中的氣體混合物事件。美國***標準MIL-STD-883的第3015.8號方法建立了一個簡化的等效電路，以及模擬人體模型需要的測試程序。另一個國際廣為使用的法規是ANSI/ESDA-JEDECJS-001：靜電放電敏感度測試。人體模型主要用在工廠生產環境中，另一個類似的法規IEC61000-4-2，是系統級的靜電測試法規，則是在在系統層級的測試。我國靜電放電對應的國標相對應的標準為GB/T17626.2。上海BNC接口ESD保護元件應用