常見的ESD靜電放電模式有四種，分別是人體放電模型、機器放電模型、帶電器件模型、感應放電模型：1.HBM，人體放電模型，即帶電人體對器件放電，導致器件損壞。放電途徑為：人體——器件——地。2．MM，機器模型，即帶電設備對器件放電，導致器件損壞。放電途徑為：機器——器件——地。3．CDM，帶電器件模型，即帶電器件直接對敵放電。放電途徑為：器件——地。4．FICDM,感應放電模型，即器件感應帶電后放電。途經：電場——器件帶電——地。國際上習慣將用于靜電防護的器材統稱為ESD，中文名稱為靜電阻抗器。天津SD卡ESD保護元件選型

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。當陽極出現PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結發生雪崩擊穿，擊穿產生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現強烈的電導調制效應，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導致其抗ESD能力非常強，微分電阻也非常小。在陽極出現NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放。山東SD卡ESD保護元件參數ESD靜電放電機器模型MM的典型**如帶電絕緣的機器人手臂、車輛、絕緣導體等。

ESD保護,在將電纜移去或連接到網絡分析儀上時，防止靜電放電（ESD）是十分重要的。靜電可以在您的身體上形成且在放電時很容易損壞靈敏的內部電路元件。一次太小以致不能感覺出的靜電放電可能造成長久性損壞。為了防止損壞儀器，應采取以下措施：1、保證環境濕度。2、鋪設防靜電地板或地毯。3、使用離子風槍、離子頭、離子棒等設施，使在一定范圍內防止靜電產生。4、半導體器件應盛放在防靜電塑料盛器或防靜電塑料袋中,這種防靜電盛器有良好導電性能,能有效防止靜電的產生。當然,有條件的應盛放在金屬盛器內或用金屬箔包裝。5、操作人員應在手腕上帶防靜電手帶,這種手帶應有良好的接地性能,這種措施**為有效。

靜電是物體表面過剩或不足的靜止電荷，是通過電子或離子的轉移而形成的。一般固體靜電電壓可以達到20萬伏以上，液體靜電電壓可以達到數萬伏以上，人體靜電電壓可以達到1萬伏以上。一般工業生產中，靜電具有高電位、低電量、小電流和作用時間短的特點，設備或人體上的靜電位比較高可達數萬伏以至數千萬伏。靜電較之流電受環境條件，特別是濕度的影響比較大;靜電測量時復現性差、瞬態現象多。測量靜電是為靜電防護工程設計和改善產品自身抗靜電性能設計，提供數據和依據。ESD靜電放電常見放電模型有：分別是HBM，MM, CDE。

ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小，在高頻電路中進行ESD防護設計的難度增大。尤其當這些器件應用于信號接口時，產品的組裝、測試和用戶使用過程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長久或潛在損傷，通信產品接口器件在生產中和市場上的ESD損壞事故頻頻發生，因此在設計和制造通信產品時除了加強產品制造過程的ESD控制外，還要加強產品的ESD防護設計，尤其是高頻信號接口的ESD防護設計已成為提高通信產品可靠性的一個重要環節。ESD防護電路主要采用“過壓防護”的原理，通過隔離、箝位(限幅)、衰減、濾波等降低ESD沖擊電壓。福建SD卡ESD保護元件應用

ESD（Electro-Static discharge）的意思是“靜電釋放”，也稱靜電放電。天津SD卡ESD保護元件選型

防護管一般和被保護電路并聯。防護管的串聯寄生電感會阻止ESD脈沖瀉放到地，降低ESD防護能力。防護管的結電容產生的容抗和被保護電路I/0端口的特征阻抗并聯，當防護管的結電容較大時，在高頻下的容抗較小，會嚴重改變接口的的阻抗特性和頻譜特性。防護器件的結電容是影響信號質量的主要因素，在高頻接口要求防護器件的結電容要盡量小。現在各種電浪涌防護管的結電容要做到很小(小于2pF)還有較大難度，因此現有的防護器件直接用于GHz和Gbps以上的高頻接口的ESD防護將對信號質量產生不可容忍的影響。防護器件要具有雙極性(雙向)防護功能，其響應時間小于ns級時，對ESD脈沖才具有較好的防護效果，響應速度越快其防護效果越好。防護管的箱位電壓(或導通電壓)低于高頻信號峰值電平時也會對高頻信號產生限幅效應，箝位電壓過高則ESD防護效果差，這增加了較高峰值能量的高頻接口的ESD防護電路設計的難度。天津SD卡ESD保護元件選型