鈦酸鋇半導瓷的PTC效應起因于粒界（晶粒間界）．對于導電電子來說，晶粒間界面相當于一個勢壘．當溫度低時，由于鈦酸鋇內電場的作用，導致電子極容易越過勢壘，則電阻值較小．當溫度升高到居里點溫度（即臨界溫度）附近時，內電場受到破壞，它不能幫助導電電子越過勢壘．這相當于勢壘升高，電阻值突然增大，產生PTC效應．鈦酸鋇半導瓷的PTC效應的物理模型有海望表面勢壘模型、丹尼爾斯等人的鋇缺位模型和疊加勢壘模型，它們分別從不同方面對PTC效應作出了合理解釋．熱敏電阻在環境溫度相對較高時具有更短的動作時間和較小的維持電流及動作電流。廣東空調加熱熱敏電阻多少錢

歐姆銀漿性能指標： 1. 歐姆接觸電阻：≤2%； 2. 耐高壓大電流能力：無電極拉弧； 3. 室溫存放1000小時△R/R：≤2%； 4. 水煮24小時△R/R：≤8%； 5. 附著力：用scotch膠帶拉，無膜層脫落； 6. 方阻（mΩ/□）：≤50 廣東空調加熱熱敏電阻多少錢熱敏電阻主要缺點：元件易老化，穩定性較差；

熱敏電阻技術參數：

⑦額定工作電流IM：熱敏電阻器在工作狀態下規定的名義電流值。⑧測量功率Pc：在規定的環境溫度下，熱敏電阻體受測試電流加熱而引起的阻值變化不超過0.1%時所消耗的電功率。熱敏電阻⑨比較大電壓：對于NTC熱敏電阻器，是指在規定的環境溫度下，不使熱敏電阻器引起熱失控所允許連續施加的比較大直流電壓；對于PTC熱敏電阻器，是指在規定的環境溫度和靜止空氣中，允許連續施加到熱敏電阻器上并保證熱敏電阻器正常工作在PTC特性部分的比較大直流電壓。

BT=CT2+DT+E，上式中，C、D、E為常數。另外，因生產條件不同造成的B值的波動會引起常數E發生變化，但常數C、D不變。因此，在探討B值的波動量時，只需考慮常數E即可。常數C、D、E的計算，常數C、D、E可由4點的（溫度、電阻值）數據（T0,R0).(T1,R1）.(T2,R2）and(T3,R3），通過式3～6計算。首先由式樣3根據T0和T1,T2,T3的電阻值求出B1,B2,B3，然后代入以下各式樣。

電阻值計算例：試根據電阻－溫度特性表，求25°C時的電阻值為5(kΩ），B值偏差為50(K）的熱敏電阻在10°C～30°C的電阻值。步驟（1）根據電阻－溫度特性表，求常數C、D、E。To=25+273.15T1=10+273.15T2=20+273.15T3=30+273.15（2）代入BT=CT2+DT+E+50，求BT。（3）將數值代入R=5exp {(BT1/T-1/298.15）}，求R。*T:10+273.15～30+273.15。 黃浦區液體加熱熱敏電阻廠家供應。

NTC熱敏半導瓷大多是尖晶石結構或其他結構的氧化物陶瓷，具有負的溫度系數，電阻值可近似表示為：Rt = RT *EXP(Bn*（1/T-1/T0)式中RT、RT0分別為溫度T、T0時的電阻值，Bn為材料常數．陶瓷晶粒本身由于溫度變化而使電阻率發生變化，這是由半導體特性決定的．

NTC熱敏電阻器的發展經歷了漫長的階段．1834年，科學家***發現了硫化銀有負溫度系數的特性．1930年，科學家發現氧化亞銅-氧化銅也具有負溫度系數的性能，并將之成功地運用在航空儀器的溫度補償電路中．隨后，由于晶體管技術的不斷發展，熱敏電阻器的研究取得重大進展．1960年研制出了NTC熱敏電阻器．NTC熱敏電阻器***用于測溫、控溫、溫度補償等方面．下面介紹一個溫度測量的應用實例． 半導體熱敏電阻材料按電阻溫度系數也可分為負電阻溫度系數材料和正電阻溫度系數材料。浙江空調加熱熱敏電阻價格

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半導體熱敏電阻材料 這類材料有單晶半導體、多晶半導體、玻璃半導體、有機半導體以及金屬氧化物等。它們均具有非常大的電阻溫度系數和高的龜阻率，用其制成的傳感器的靈敏度也相當高。按電阻溫度系數也可分為負電阻溫度系數材料和正電阻溫度系數材料.在有限的溫度范圍內，負電阻溫度系數材料a可達-6*10-2/℃，正電阻溫度系數材料a可高達-60*10-2/℃以上。如飲酸鋇陶瓷就是一種理想的正電阻溫度系數的半導體材料。上述兩種材料均***用于溫度測量、溫度控制、溫度補瞬、開關電路、過載保護以及時間延遲等方面，如分別用子制作熱敏電阻溫度計、熱敏電阻開關和熱敏電阻溫度計、熱敏電阻開關和熱敏電阻延遲繼電錯等 [1] 。 這類材料由于電阻和流度呈指數關系，因此測溫范圍狹窄、均勻性也差廣東空調加熱熱敏電阻多少錢

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