在柔**流輸電(FACTS)系統中,可控硅模塊構成靜止同步補償器(STATCOM)和統一潮流控制器(UPFC)的**。國家電網的蘇州UPFC工程采用5000V/3000A可控硅模塊,實現500kV線路的潮流量精確調節(精度±1MW)。智能電網中,模塊需支持毫秒級響應,通過分布式門極驅動單元(DGD)實現多模塊同步觸發(誤差<0.5μs)。碳化硅可控硅的應用可降低系統損耗30%,并支持更高開關頻率(10kHz),未來將推動電網動態穩定性提升。直流機車牽引變流器采用可控硅模塊進行相控整流,例如中國和諧型電力機車使用3.3kV/1.5kA模塊,將25kV接觸網電壓降壓至1500V直流。再生制動時,可...
雖然改變了正弦交流電的幅值,但并未改變其正弦波形的本質。與變壓器、電阻器相比,可控硅調光器有著完全不同的調光機理,它是采用相位控制方法來實現調壓或調光的。對于普通反向阻斷型可控硅,其閘流特性表現為當可控硅加上正向陽極電壓的同時又加上適當的正向控制電壓時,可控硅就導通;這一導通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持,一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關斷。普通的可控硅調光器就是利用可控硅的這一特性實現前沿觸發相控調壓的。在正弦波交流電過零后的某一時刻t1(或某一相位角wt1),在可控硅控制極上加一觸發脈沖,使可控硅導通,根據前面介紹過的可控硅開關特性,這一導通將維持到正弦波正...
并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣。組合成:“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號,如:四象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等;四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等;ST公司所有產品型號的后綴字母(型號一個字母)帶“W”的,均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”;型號如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。至于型號后綴字母的觸發電流,各個廠...
在柔**流輸電(FACTS)系統中,可控硅模塊構成靜止同步補償器(STATCOM)和統一潮流控制器(UPFC)的**。國家電網的蘇州UPFC工程采用5000V/3000A可控硅模塊,實現500kV線路的潮流量精確調節(精度±1MW)。智能電網中,模塊需支持毫秒級響應,通過分布式門極驅動單元(DGD)實現多模塊同步觸發(誤差<0.5μs)。碳化硅可控硅的應用可降低系統損耗30%,并支持更高開關頻率(10kHz),未來將推動電網動態穩定性提升。直流機車牽引變流器采用可控硅模塊進行相控整流,例如中國和諧型電力機車使用3.3kV/1.5kA模塊,將25kV接觸網電壓降壓至1500V直流。再生制動時,可...
雙向晶閘管的伏安特性見圖3,由于正、反向特性曲線具有對稱性,所以它可在任何一個方向導通。從晶閘管的內部分析工作過程:晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結圖一,可以把它中間的NP分成兩部分,構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖二.當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此,兩個互相復合的晶體管電路,當有足夠的門極電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導通,晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2;發射極電流相應為...
可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流,還可以用作無觸點開關的快速接通或切斷;實現將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣,有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應用、工業電氣及家電等方面都有的應用。可控硅從外形上區分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應用較多。可控硅工作原理解析可控硅結...
即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2極,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2極,剩下則為控制極(G)。1、單、雙向可控硅的判別:先任測兩個極,若正、反測指針均不動(R×1擋),可能是A、K或G、A極(對單向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G極(對雙向可控硅)。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,黑筆接的為G極,剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測,其中必有一次阻值稍大,則稍大的一次紅筆接的為G極,黑筆所接為T1極,余下是T2極。2、性能的差別:將旋鈕撥至R×1擋...
雙向可控硅作用1、雙向可控硅在電路中的作用是:用于交流調壓或交流電子開關。2、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎上發展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅,而且*需一個觸發電路,是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。3、可控硅的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。雙向可控硅應用現在可控硅應用市場很多,可控硅應用在自動控制領域,機電領域,工業電器及家電等方面都有可控硅的身影。許先生告訴記者,他目前的幾個大單中還有用于卷發產品的單,可見可控硅在人們的生活中都...
可控硅觸發器/板是驅動晶閘管的移相型電力控制器,其部件采用高性能、高可靠性的單片機。輸出觸發脈沖具有極高的對稱性及穩定性,且不隨環境溫度變化,使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調整。現場調試一般不需要示波器即可完成。接線簡單,操作方便,可接受信:,手動電位器10K,自帶限幅可調電位器,軟起時間可設定,功能多樣化。一般分為單相可控硅觸發板,三相可控硅觸發板。雙向可控硅觸發板等,輔助功能有:常用的開環觸發板比較多,有閉環的,含恒流,恒壓,限壓,限流,軟起動,限幅等。觸發類型上分:光電隔離型觸發板,脈沖變壓型觸發板,變壓器隔離型觸發板,還有模擬觸發電路型等。它可的應用于工業各領域的電壓電流調節,適用...
這個電路的方法是利用RC回路控制觸發信號的相位。當R值較少時,RC時間常數較少,觸發信號的相移A1較少,因此負載獲得較大的電功率;當R值較大時,RC時間常數較大,觸發信號的相移A2較大,因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調整電路在日常生活中有很多電氣產品中都應用它。可控硅主要參數有:1、額定通態平均電流在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數值。3、反向陰斷峰值電壓當可控硅加反向電壓...
可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流,還可以用作無觸點開關的快速接通或切斷;實現將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣,有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應用、工業電氣及家電等方面都有的應用。可控硅從外形上區分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應用較多。可控硅工作原理解析可控硅結...
E接成正向,而觸動發信號是負的,可控硅也不能導通。另外,如果不加觸發信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導通,但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過觸發信號(小觸發電流)來控制導通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態,所以它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉化,此條件見表1表1可控硅導通和關斷條件狀態條件說明從關斷到導通1、陽極電位高于是陰極電位2、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導通1、陽極電位高于陰極電位2、陽極電流大于維持電流兩者缺一不可從導通到關斷1、陽極電位低于陰極電位2、陽極...
可控硅,又叫晶閘管,可控硅相當于可以控制的二極管,當控制極加一定的電壓時,陰極和陽極就導通了。可控硅和其它半導體器件一樣,其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。下面賢集網小編要具體為大家介紹一下可控硅的型號、特性、分類、使用規則、用途、主要參數、可控硅的不同幾個極的判別方法、雙向可控硅和單向可控硅的區別。可控硅的型號1、優派克EUPECT系列可控硅、D系列二極管、DxS系列快速二極管;2、東芝TOSHIBASF系列可控硅、SG系列GTO;3、西門康SEMIKRONSKT...
這個電路的方法是利用RC回路控制觸發信號的相位。當R值較少時,RC時間常數較少,觸發信號的相移A1較少,因此負載獲得較大的電功率;當R值較大時,RC時間常數較大,觸發信號的相移A2較大,因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調整電路在日常生活中有很多電氣產品中都應用它。可控硅主要參數有:1、額定通態平均電流在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數值。3、反向陰斷峰值電壓當可控硅加反向電壓...
可控硅觸發板可以理解為驅動晶閘管的移動型電力控制器,它是以采用的高性能、高可靠性的單片機為主要的部件。它輸出的觸發脈沖具有比較高的對稱性,穩定性也是比較好的而且也不會隨著溫度的變化而變化,使用的時候不需要對脈沖對稱度及限位進行調整。大家對可控硅觸發器有了解嗎?就讓正高的小編帶大家去了解下吧在現場調試一般是不需要波器的,這樣的情況下接線比較簡單,操作也是比較方便的,可以自帶限幅進行調電位器,功能也是比較多樣化的。一般可以分為:單相、三相的、雙向的可控硅觸發板等,輔助功能有:常用的開環觸發板比較多,有閉環的,含恒流,恒壓,限壓,限流,軟起動,限幅等。觸發類型上分:光電隔離的觸發板、變壓器隔離的觸發...
1裝飾開關與點開關有什么不同通常我們在網上看到的點開關一般是指福田純平點開關,而傳統開關和裝飾開關等都是指普通非純平的大。如果說傳統的就是我們以前使用的,那么裝飾開關就像是在上添加了一個殼;而就像是我們現在使用的,是傳統的改進。2可控式地暖經常開關有危害性嗎應該沒有.但過頻容易使開關損壞.可控式地暖經常開關危害性倒是沒有,但如果經常開關會使地暖開關不靈活。有的業主總是會在需要的時候打開溫控,出門的時候就關閉,認為這樣會很省電,其實這樣不但不會節省電,還會更耗能,不僅如此,還會耗損地暖的開關。因為地暖系統是一個低溫運行的系統,所以地面輻射供暖系統具有良好的蓄熱性,根本不需要經常開關。經常性的開與...
若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。可控硅工作原理是什么?(圖)可控硅工作原理是什么?(圖)可控硅相當于可以控制的二極管,當控制極加一定的電壓時,陰極和陽極就導通了。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,都是三個電極。單向可控硅有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2極,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2極,剩下則為控制極(G)。1、單、雙向可控硅的判別:先任測兩個極,若正、反測指針均不動(R×1擋),可能是A...
相對來說體積小、重量輕、成本低。但該調壓方式存在一致命缺陷,由于斬波,使電壓無法實現正弦波輸出,還會出現大量諧波,形成對電網系統諧波污染,危害極大,不能用在有電容補償電路中。(現代照明設計要求規定,照明系統率因數必須達到,而氣體放電燈的功率因數在一般在,所以都設計用電容補償功率因數)在國外發達國家,已有明文規定對電氣設備諧波含量的限制,在國內,北京、上海、廣州等大城市,已對諧波含量超標的設備限制并入電網使用。采用可控硅技術對照明系統進行照度控制時,可通過加裝濾波設備來有效降低諧波污染。近年來,許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可...
可控硅又稱晶閘管(晶體閘流管),是一種常用的功率型半導體器件,其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關斷可控硅等。可控硅的特點是具有可控的單向導電性,以小電流控制大電流,以低電壓控制高電壓。可控硅可以用萬用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結構,形成3個PN結,具有3個外電極:陽極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測時,萬用表置于“Rx10Ω”檔,黑表筆(表內電池正極)接單向可控硅的控制極G,紅表筆(表內電池負極)接單向可控硅的陰極K,這時測量的是單向可控硅PN結的正向電阻,應有較小的阻值。如下圖所示。對調兩表筆后,測其反向電阻,應...
可控硅可控硅簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中,可作為大功率驅動器件,實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優點是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙...
改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現了可控整流。1:小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流:IA小于2A。2:大;功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。3:大功率高頻可控硅通常用作工業中;高頻熔煉爐等。可控硅鑒別編輯可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN結。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用,為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用...
我們可以把從陰極向上數的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。可畫出圖1的等效電路圖。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓E,又在控制極G和陰極C之間(相當BG2的基一射間)輸入一個正的觸發信號,BG2將產生基極電流Ib2,經放大,BG2將有一個放大了β2倍的集電極電流IC2。因為BG2集電極與BG1基極相連,IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環放大,直到BG1、BG2完全導通。事實上這一過程是“一觸即發”的,對可控硅來說,觸發信號加到控制極,...
TC=℃)------通態平均電流VTM=V-----------通態峰值電壓VDRM=V-------------斷態正向重復峰值電壓IDRM=mA-------------斷態重復峰值電流VRRM=V-------------反向重復峰值電壓IRRM=mA------------反向重復峰值電流IGT=mA------------門極觸發電流VGT=V------------門極觸發電壓執行標準:QB-02-091.晶閘管關斷過電壓(換流過電壓、空穴積蓄效應過電壓)及保護晶閘管從導通到阻斷,線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量產生過電壓。由于晶閘管在導通期間,載流子充滿元件內部,在關斷...
3、地板要平整有光澤,花樣多吉祥如意的圖案比較好。4、玄關的燈光是很重要的一項內容,它可以調節家人的健康及財運,光線不能太過于明亮,否則一進門來會刺眼也影響神經。不能太暗,一會招陰靈,二則使運氣衰敗。燈比較好選擇方圓的,不能用三角燈型。5、玄關處比較好不要放植物。6、如果在玄關處安放鏡子,不能對著大門,會使從大門進來吉氣、財氣反射出去。玄關頂上切不可貼鏡片,會使人有頭重腳輕的感覺。玄關中有四項基本原則,掌握好了這些原則,玄關便能夠化煞、防泄,是家庭一帆風順哦。玄關原則之一是玄關的設計要透明8家庭用的照明開關是常開觸點對嗎有什么區別四開單控開關和四開雙控開關的功能區別:雙控開關是指,兩個開關控制...
⑴視覺屏障作用玄關對的視線產生了一定的視覺屏障,不至于開門見廳,讓人們一進門就對客廳的情形一覽無余。它注重人們戶內行為的私密性及隱蔽性,保證了廳內的安全性和距離感,在客人來訪和家人出入時,能夠很好的解決干擾和心理安全問題,使人們出門入戶過程更加有序。⑵較強的使用功能玄關在使用功能上,可以用來作為簡單地接待客人、接受郵件、換衣、換鞋、擱包的地方,也可設置放包及鑰匙等小物品的平臺。⑶保溫作用玄4觸摸出門開關有什么特點只要碰到就能開燈,黑暗中方便開燈;只要碰到就能開燈,黑暗中方便開燈;5多聯墻壁開關有哪些特點多聯墻壁開關采用lonworks工控電力載波技術,利用家中的零火線電網來傳輸信號,安裝布線和...
E接成正向,而觸動發信號是負的,可控硅也不能導通。另外,如果不加觸發信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導通,但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過觸發信號(小觸發電流)來控制導通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態,所以它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉化,此條件見表1表1可控硅導通和關斷條件狀態條件說明從關斷到導通1、陽極電位高于是陰極電位2、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導通1、陽極電位高于陰極電位2、陽極電流大于維持電流兩者缺一不可從導通到關斷1、陽極電位低于陰極電位2、陽極...
4、控制極觸發電流Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下,陽極---陰極間加有一定電壓時,可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅,可以用正觸發信號使其導通,用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。可控硅工作原理在分析可控硅工作原理時,我們經常將這種四層P1N1P2N2結構看作由一個PNP管和NPN管構成,如下圖所示。當陽極A端加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態,此時由控制極G端輸入正向...
圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構,N+區稱為源區,附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區(包括P+和P一區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區(Subchannelregion)。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區(Draininjector),它是IGBT特有的功能區,與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管,起發射極的作用,向漏極注入空穴,進行導電調制,以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...
4、控制極觸發電流Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下,陽極---陰極間加有一定電壓時,可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅,可以用正觸發信號使其導通,用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。可控硅工作原理在分析可控硅工作原理時,我們經常將這種四層P1N1P2N2結構看作由一個PNP管和NPN管構成,如下圖所示。當陽極A端加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態,此時由控制極G端輸入正向...
E接成正向,而觸動發信號是負的,可控硅也不能導通。另外,如果不加觸發信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導通,但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過觸發信號(小觸發電流)來控制導通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態,所以它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉化,此條件見表1表1可控硅導通和關斷條件狀態條件說明從關斷到導通1、陽極電位高于是陰極電位2、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導通1、陽極電位高于陰極電位2、陽極電流大于維持電流兩者缺一不可從導通到關斷1、陽極電位低于陰極電位2、陽極...