在失效分析中，零成本簡單且常用的三個方法基于“觀察-驗證-定位”的基本邏輯，無需復雜設備即可快速縮小失效原因范圍：

1.外觀檢查法（VisualInspection）

2.功能復現與對比法（FunctionReproduction&Comparison）

3.導通/通路檢查法（ContinuityCheck）

但當失效分析需要進階到微觀熱行為、隱性感官缺陷或材料/結構內部異常的層面時，熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 能成為關鍵工具，與基礎方法結合形成更深度的分析邏輯。在進階失效分析中，熱紅外顯微鏡可捕捉微觀熱分布，鎖定電子元件微區過熱（如虛焊、短路）、材料內部缺陷（如裂紋、氣泡）引發的隱性熱異常，結合動態熱演化記錄，與基礎方法協同，從 “不可見” 熱信號中定位失效根因。 熱紅外顯微鏡利用鎖相技術，有效提升熱成像的清晰度與準確性 。鎖相熱紅外顯微鏡功能

制冷熱紅外顯微鏡因中樞部件精密（如深制冷探測器、鎖相熱成像模塊），故障維修對專業性要求極高，優先建議聯系原廠。原廠掌握設備重要技術與專屬備件（如制冷型MCT探測器、高頻信號調制組件），能定位深制冷系統泄漏、鎖相算法異常等復雜問題，且維修后可保障性能參數（如0.1mK靈敏度、2μm分辨率）恢復至出廠標準，尤其適合半導體晶圓檢測等場景的精密設備。若追求更快響應速度，國產設備廠商是高效選擇。國內廠商在本土服務網絡布局密集，能快速上門處理機械結構松動、軟件算法適配等常見故障，且備件供應鏈短（如非制冷探測器、光學鏡頭等通用部件），維修周期可縮短30%-50%。對于PCB失效分析等場景的設備，國產廠商的本地化服務既能滿足基本檢測精度需求，又能減少停機對生產科研的影響。熱紅外顯微鏡設備廠家芯片復雜度提升對缺陷定位技術的精度與靈敏度提出更高要求。

非制冷熱紅外顯微鏡基于微測輻射熱計，無需低溫制冷裝置，具有功耗低、維護成本低等特點，適合長時間動態監測。其通過鎖相熱成像等技術優化后，雖靈敏度（通常 0.01-0.1℃）和分辨率（普遍 5-20μm）略遜于制冷型，但性價比更高，。與制冷型對比，非制冷型無需制冷耗材，適合 PCB、PCBA 等常規電子元件失效分析；而制冷型（如 RTTLIT P20）靈敏度達 0.1mK、分辨率低至 2μm，價格高，多用于半導體晶圓等檢測。非制冷熱紅外顯微鏡在中低端工業檢測領域應用較多。

在電子領域，所有器件都會在不同程度上產生熱量。器件散發一定熱量屬于正?，F象，但某些類型的缺陷會增加功耗，進而導致發熱量上升。

在失效分析中，這種額外的熱量能夠為定位缺陷本身提供有用線索。熱紅外顯微鏡可以借助內置攝像系統來測量可見光或近紅外光的實用技術。該相機對波長在3至10微米范圍內的光子十分敏感，而這些波長與熱量相對應，因此相機獲取的圖像可轉化為被測器件的熱分布圖。通常，會先對斷電狀態下的樣品器件進行熱成像，以此建立基準線；隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現了器件的功耗情況，可用于隔離失效問題。許多不同的缺陷在通電時會因消耗額外電流而產生過多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保護二極管等，通過熱紅外顯微鏡觀察時會顯現出來，從而使我們能夠精細定位存在缺陷的損壞部位。 檢測 PCB 焊點、芯片鍵合線的接觸電阻異常，避免虛焊導致的瞬態過熱。

致晟光電的熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）系列 ——RTTLIT P10 實時瞬態鎖相熱分析系統，搭載非制冷型熱紅外成像探測器，采用鎖相熱成像（Lock-In Thermography）技術，通過調制電信號大幅提升特征分辨率與檢測靈敏度，具備高靈敏度、高性價比的突出優勢。該系統鎖相靈敏度可達 0.001℃，顯微分辨率可達 5μm，分析速度快且檢測精度高，重點應用于電路板失效分析領域，可多用于適配 PCB、PCBA、大尺寸主板、分立元器件、MLCC 等產品的維修檢測場景。 熱紅外顯微鏡可模擬器件實際工作溫度測試，為產品性能評估提供真實有效數據。香洲區熱紅外顯微鏡

熱紅外顯微鏡的動態功耗分析功能，同步記錄 100MHz 高頻信號下的熱響應曲線。鎖相熱紅外顯微鏡功能

熱紅外是紅外光譜中波長介于 3–18 微米的譜段，其能量主要來自物體自身的熱輻射，而非對外界光源的反射。該波段可細分為中紅外（3–8?μm）、長波紅外（8–15?μm）和超遠紅外（15–18?μm），其熱感應本質源于分子熱振動產生的電磁波輻射，輻射強度與物體溫度正相關。在應用上，熱紅外利用大氣窗口（3–5?μm、8–14?μm）實現高精度的地表遙感監測，并廣泛應用于熱成像、氣體探測等領域。現代設備如 TIRS-2 和 O-PTIR 等，已將熱紅外技術的空間分辨率提升至納米級水平。

鎖相熱紅外顯微鏡功能

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