致晟光電推出的多功能顯微系統,創新實現熱紅外與微光顯微鏡的集成設計,搭配靈活可選的制冷/非制冷模式,可根據您的實際需求定制專屬配置方案。這套設備的優勢在于一體化集成能力:只需一套系統,即可同時搭載可見光顯微鏡、熱紅外顯微鏡及InGaAs微光顯微鏡三大功能模塊。這種設計省去了多設備切換的繁瑣,更通過硬件協同優化提升了整體性能,讓您在同一平臺上輕松完成多波段觀測任務。相比單獨購置多套設備,該集成系統能大幅降低采購與維護成本,在保證檢測精度的同時,為實驗室節省空間與預算,真正實現性能與性價比的雙重提升。熱紅外顯微鏡通過分析熱輻射分布,評估芯片散熱設計的合理性 。直銷熱紅外顯微鏡
ThermalEMMI(熱紅外顯微鏡)是一種先進的非破壞性檢測技術,主要用于精細定位電子設備中的熱點區域,這些區域通常與潛在的故障、缺陷或性能問題密切相關。該技術可在不破壞被測對象的前提下,捕捉電子元件在工作狀態下釋放的熱輻射與光信號,為工程師提供關鍵的故障診斷線索和性能分析依據。在諸如復雜集成電路、高性能半導體器件以及精密印制電路板(PCB)等電子組件中,ThermalEMMI能夠快速識別出異常發熱或發光的區域,幫助工程師迅速定位問題根源,從而及時采取有效的維修或優化措施。半導體熱紅外顯微鏡規格尺寸熱紅外顯微鏡支持芯片、電路板等多類電子元件熱檢測。
在失效分析的有損分析中,打開封裝是常見操作,通常有三種方法。全剝離法會將集成電路完全損壞,留下完整的芯片內部電路。但這種方法會破壞內部電路和引線,導致無法進行電動態分析,適用于需觀察內部電路靜態結構的場景。局部去除法通過特定手段去除部分封裝,優點是開封過程不會損壞內部電路和引線,開封后仍可進行電動態分析,能為失效分析提供更豐富的動態數據。自動法則是利用硫酸噴射實現局部去除,自動化操作可提高效率和精度,不過同樣屬于破壞性處理,會對樣品造成一定程度的損傷。
致晟光電自主研發的熱紅外顯微鏡 Thermal EMMI P系列,是電子工業中不可或缺的精密檢測工具,在半導體芯片、先進封裝技術、功率電子器件以及印刷電路板(PCB)等領域的失效分析中發揮著舉足輕重的作用。
該設備搭載——實時瞬態鎖相紅外熱分析(RTTLIT)系統,并集成高靈敏度紅外相機、多倍率可選顯微鏡鏡頭、精確高低壓源表等技術組件,賦予其三大特性:超凡靈敏度與亞微米級檢測精度,可捕捉微弱熱信號與光子發射;高精度溫度測量能力(鎖相靈敏度達0.001℃),支持動態功耗分析;無損故障定位特性,無需破壞器件即可鎖定短路、開路等缺陷。憑借技術集成優勢,ThermaEMMIP系列不僅能快速定位故障點,更能通過失效分析優化產品質量與可靠性,為半導體制造、先進封裝及電子器件研發提供關鍵技術支撐。 熱紅外顯微鏡突破光學衍射極限,以納米級分辨率呈現樣品微觀結構與熱特性。
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優勢一:
熱紅外顯微鏡(Thermal emmi )能夠檢測到極其微弱的熱輻射和光發射信號,其靈敏度通常可以達到微瓦甚至納瓦級別。同時,它還具有高分辨率的特點,能夠分辨出微小的熱點區域,分辨率可以達到微米甚至納米級別。具備極高的探測靈敏度,能夠捕捉微瓦級甚至納瓦級的熱輻射與光發射信號,適用于識別早期故障及微小異常。同時,該技術具有優異的空間分辨能力,能夠準確定位尺寸微小的熱點區域,其分辨率可達微米級,部分系統也已經可實現納米級識別。通過結合熱圖像與光發射信號分析,熱紅外顯微鏡為工程師提供了精細、直觀的診斷工具,大幅提升了故障排查與性能評估的效率和準確性。 快速鎖定 PCB 板上因線路搭接、元件損壞導致的熱點,尤其是隱藏在多層板內部的短路點。國內熱紅外顯微鏡用戶體驗
熱紅外顯微鏡可模擬器件實際工作溫度測試,為產品性能評估提供真實有效數據。直銷熱紅外顯微鏡
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 作為一種能夠捕捉微觀尺度熱輻射信號的精密儀器,其優勢在于對材料、器件局部溫度分布的高空間分辨率觀測。
然而,在面對微弱熱信號(如納米尺度結構的熱輻射、低功耗器件的散熱特性等)時,傳統熱成像方法易受環境噪聲、背景輻射的干擾,難以實現精細測量。鎖相熱成像技術的引入,為熱紅外顯微鏡突破這一局限提供了關鍵解決方案。通過鎖相熱成像技術的賦能,熱紅外顯微鏡從 “可見” 微觀熱分布升級為 “可測” 納米級熱特性,為微觀尺度熱科學研究與工業檢測提供了不可或缺的工具。 直銷熱紅外顯微鏡
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