致晟光電的熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）系列 ——RTTLIT P10 實時瞬態鎖相熱分析系統，搭載非制冷型熱紅外成像探測器，采用鎖相熱成像（Lock-In Thermography）技術，通過調制電信號大幅提升特征分辨率與檢測靈敏度，具備高靈敏度、高性價比的突出優勢。該系統鎖相靈敏度可達 0.001℃，顯微分辨率可達 5μm，分析速度快且檢測精度高，重點應用于電路板失效分析領域，可多用于適配 PCB、PCBA、大尺寸主板、分立元器件、MLCC 等產品的維修檢測場景。 熱紅外顯微鏡的 AI 智能分析模塊，自動標記異常熱斑并匹配歷史失效數據庫。IC熱紅外顯微鏡設備

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進的非破壞性檢測技術，主要用于精細定位電子設備中的熱點區域，這些區域通常與潛在的故障、缺陷或性能問題密切相關。該技術可在不破壞被測對象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態下釋放的熱輻射與光信號，為工程師提供關鍵的故障診斷線索和性能分析依據。在諸如復雜集成電路、高性能半導體器件以及精密印制電路板（PCB）等電子組件中，ThermalEMMI能夠快速識別出異常發熱或發光的區域，幫助工程師迅速定位問題根源，從而及時采取有效的維修或優化措施。高分辨率熱紅外顯微鏡方案國產熱紅外顯微鏡憑借自主研發軟件，具備時域重構等功能，提升檢測效率。

RTTLITP20 熱紅外顯微鏡憑借多元光學物鏡配置，構建從宏觀到納米級的全尺度熱分析能力，靈活適配多樣檢測需求。Micro廣角鏡頭可快速覆蓋大尺寸樣品整體熱分布，如整塊電路板、大型模組的散熱趨勢，高效完成初步篩查；0.13~0.3x變焦鏡頭通過連續倍率調節，適配芯片封裝體、傳感器陣列等中等尺度器件熱分析，兼顧整體熱場與局部細節；0.65X～0.75X變焦鏡頭提升分辨率，解析芯片內部功能單元熱交互，助力定位封裝散熱瓶頸；3x～4x變焦鏡頭深入微米級結構，呈現晶體管陣列、引線鍵合點等細微部位熱分布；8X～13X變焦鏡頭聚焦納米尺度，捕捉微小短路點、漏電流區域等納米級熱點的微弱熱信號，滿足先進制程半導體高精度分析需求。

多段變焦與固定倍率結合的設計，實現宏觀到微觀熱分析平滑切換，無需頻繁更換配件，大幅提升半導體失效分析、新材料熱特性研究等領域的檢測效率與精細度。

致晟光電自主研發的熱紅外顯微鏡 Thermal EMMI P系列，是電子工業中不可或缺的精密檢測工具，在半導體芯片、先進封裝技術、功率電子器件以及印刷電路板（PCB）等領域的失效分析中發揮著舉足輕重的作用。

該設備搭載——實時瞬態鎖相紅外熱分析（RTTLIT）系統，并集成高靈敏度紅外相機、多倍率可選顯微鏡鏡頭、精確高低壓源表等技術組件，賦予其三大特性：超凡靈敏度與亞微米級檢測精度，可捕捉微弱熱信號與光子發射；高精度溫度測量能力（鎖相靈敏度達0.001℃），支持動態功耗分析；無損故障定位特性，無需破壞器件即可鎖定短路、開路等缺陷。憑借技術集成優勢，ThermaEMMIP系列不僅能快速定位故障點，更能通過失效分析優化產品質量與可靠性，為半導體制造、先進封裝及電子器件研發提供關鍵技術支撐。 熱紅外顯微鏡可對不同材質的電子元件進行熱特性對比分析 。

熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優勢一：

熱紅外顯微鏡（Thermal emmi ）能夠檢測到極其微弱的熱輻射和光發射信號，其靈敏度通常可以達到微瓦甚至納瓦級別。同時，它還具有高分辨率的特點，能夠分辨出微小的熱點區域，分辨率可以達到微米甚至納米級別。具備極高的探測靈敏度，能夠捕捉微瓦級甚至納瓦級的熱輻射與光發射信號，適用于識別早期故障及微小異常。同時，該技術具有優異的空間分辨能力，能夠準確定位尺寸微小的熱點區域，其分辨率可達微米級，部分系統也已經可實現納米級識別。通過結合熱圖像與光發射信號分析，熱紅外顯微鏡為工程師提供了精細、直觀的診斷工具，大幅提升了故障排查與性能評估的效率和準確性。 熱紅外顯微鏡可模擬器件實際工作溫度測試，為產品性能評估提供真實有效數據。自銷熱紅外顯微鏡市場價

熱紅外顯微鏡在電子產品研發階段，輔助優化熱管理方案 。IC熱紅外顯微鏡設備

非制冷熱紅外顯微鏡基于微測輻射熱計，無需低溫制冷裝置，具有功耗低、維護成本低等特點，適合長時間動態監測。其通過鎖相熱成像等技術優化后，雖靈敏度（通常 0.01-0.1℃）和分辨率（普遍 5-20μm）略遜于制冷型，但性價比更高，。與制冷型對比，非制冷型無需制冷耗材，適合 PCB、PCBA 等常規電子元件失效分析；而制冷型（如 RTTLIT P20）靈敏度達 0.1mK、分辨率低至 2μm，價格高，多用于半導體晶圓等檢測。非制冷熱紅外顯微鏡在中低端工業檢測領域應用較多。IC熱紅外顯微鏡設備

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