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自銷熱紅外顯微鏡運動

來源: 發(fā)布時間:2025-07-14

半導體制程已逐步進入 3 納米及更先進階段,芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)日趨密集,供電電壓也持續(xù)降低,這使得微觀熱行為對器件性能的影響變得更為明顯。致晟光電熱紅外顯微鏡是在傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡基礎上,經(jīng)迭代進化而成的精密工具。在先進制程研發(fā)中,它在應對熱難題方面能提供一定支持,在芯片設計驗證、失效排查以及性能優(yōu)化等環(huán)節(jié),都能發(fā)揮相應的作用。其通過不斷優(yōu)化的技術(shù),適應了先進制程下對微觀熱信號檢測的需求,為相關(guān)研發(fā)工作提供了有助于分析和解決問題的熱分布信息,助力研發(fā)人員更好地推進芯片相關(guān)的研究與改進工作。
在半導體制造中,通過逐點熱掃描篩選熱特性不一致的晶圓,提升良率。自銷熱紅外顯微鏡運動

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熱紅外顯微鏡是半導體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一(EMMI、THERMAL、OBIRCH),通過捕捉故障點產(chǎn)生的異常熱輻射,實現(xiàn)精細定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表現(xiàn)為局部功耗異常,導致微區(qū)溫度升高。顯微熱分布測試系統(tǒng)結(jié)合熱點鎖定技術(shù),能夠高效識別這些區(qū)域。熱點鎖定是一種動態(tài)紅外熱成像方法,通過調(diào)節(jié)電壓提升分辨率與靈敏度,并借助算法優(yōu)化信噪比。在集成電路(IC)分析中,該技術(shù)廣泛應用于定位短路、ESD損傷、缺陷晶體管、二極管失效及閂鎖問題等關(guān)鍵故障。 IC熱紅外顯微鏡品牌量化 SiC、GaN 等寬禁帶半導體的襯底熱阻、結(jié)溫分布,優(yōu)化散熱設計。

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紅外顯微鏡(非熱紅外)與熱紅外顯微鏡應用領(lǐng)域各有側(cè)重。前者側(cè)重成分分析,在材料科學中用于檢測復合材料界面成分、涂層均勻性及表面污染物;生物醫(yī)藥領(lǐng)域可識別生物組織中蛋白質(zhì)等分子分布,輔助診斷;地質(zhì)學和考古學中能鑒定礦物組成與文物顏料成分;食品農(nóng)業(yè)領(lǐng)域則用于檢測添加劑、農(nóng)藥殘留及農(nóng)作物成分。熱紅外顯微鏡聚焦溫度與熱特性研究,電子半導體領(lǐng)域可定位芯片熱點、評估散熱性能;材料研究中測試熱分布均勻性與熱擴散系數(shù);生物醫(yī)藥領(lǐng)域監(jiān)測細胞代謝熱分布及組織熱傳導;工業(yè)質(zhì)檢能檢測機械零件隱形缺陷,評估電池充放電溫度變化。二者應用有交叉,但分別為成分分析與熱特性研究。

致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能InSb(銦銻)探測器,用于中波紅外波段(3–5 μm)的熱輻射信號捕捉。InSb材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率和極低的本征噪聲,在制冷條件下可實現(xiàn)高達nW級的熱靈敏度和優(yōu)于20mK的溫度分辨率,適用于高精度、非接觸式熱成像分析。該探測器在熱紅外顯微系統(tǒng)中的應用,提升了空間分辨率(可達微米量級)與溫度響應線性度,使其能夠?qū)Π雽w器件、微電子系統(tǒng)中的局部發(fā)熱缺陷、熱點遷移和瞬態(tài)熱行為進行精細刻畫。配合致晟光電自主開發(fā)的高數(shù)值孔徑光學系統(tǒng)與穩(wěn)態(tài)熱控平臺,InSb探測器可在多物理場耦合背景下實現(xiàn)高時空分辨的熱場成像,是先進電子器件失效分析、電熱耦合行為研究及材料熱特性評價中的關(guān)鍵。
熱紅外顯微鏡結(jié)合自研算法,對微弱熱信號進行定位分析,鎖定潛在缺陷 。

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熱紅外顯微鏡在半導體IC裸芯片熱檢測中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。對于半導體IC裸芯片而言,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)精密且集成度高,微小的熱異常都可能影響芯片性能甚至導致失效,因此熱檢測至關(guān)重要。熱紅外顯微鏡能夠非接觸式地對裸芯片進行熱分布成像與分析,清晰捕捉芯片工作時的溫度變化情況。它可以定位芯片上的熱點區(qū)域,這些熱點往往是由電路設計缺陷、局部電流過大或器件老化等問題引起的。通過對熱點的檢測和分析,工程師能及時發(fā)現(xiàn)芯片潛在的故障風險,為優(yōu)化芯片設計、改進制造工藝提供重要依據(jù)。同時,該顯微鏡還能測量裸芯片內(nèi)部關(guān)鍵半導體結(jié)點的溫度,也就是結(jié)溫。結(jié)溫是評估芯片性能和可靠性的重要參數(shù),過高的結(jié)溫會縮短芯片壽命,影響其穩(wěn)定性。熱紅外顯微鏡憑借高空間分辨率的熱成像能力,可實現(xiàn)對結(jié)溫的測量,幫助研發(fā)人員更好地掌握芯片的熱特性,從而制定合理的散熱方案,提升芯片的整體性能與可靠性。檢測 PCB 焊點、芯片鍵合線的接觸電阻異常,避免虛焊導致的瞬態(tài)過熱。鎖相熱紅外顯微鏡工作原理

熱紅外顯微鏡在工業(yè)生產(chǎn)中,用于在線監(jiān)測電子器件的熱質(zhì)量 。自銷熱紅外顯微鏡運動

致晟光電熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)系列中的 RTTLIT P20 實時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng),采用鎖相熱成像(Lock-inThermography)技術(shù),通過調(diào)制電信號提升特征分辨率與靈敏度,并結(jié)合軟件算法優(yōu)化信噪比,實現(xiàn)顯微成像下超高靈敏度的熱信號測量。RTTLIT P20搭載100Hz高頻深制冷型超高靈敏度顯微熱紅外成像探測器,測溫靈敏度達0.1mK,顯微分辨率低至2μm,具備良好的檢測靈敏度與測試效能。該系統(tǒng)重點應用于對測溫精度和顯微分辨率要求嚴苛的場景,包括半導體器件、晶圓、集成電路、IGBT、功率模塊、第三代半導體、LED及microLED等的失效分析,是電子集成電路與半導體器件失效分析及缺陷定位領(lǐng)域的關(guān)鍵工具。自銷熱紅外顯微鏡運動

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