非破壞性分析(NDA)以非侵入方式分析樣品內部結構和性能,無需切割、拆解或化學處理,能保留樣品完整性,為后續研究留有余地,在高精度、高成本的半導體領域作用突出。
無損分析,通過捕捉樣品自身紅外熱輻射成像,全程無接觸,無需對晶圓、芯片等進行破壞性處理。在半導體制造中,可識別晶圓晶體缺陷;封裝階段,能檢測焊接點完整性或封裝層粘結質量;失效分析時,可定位內部短路或斷裂區域的隱性熱信號,為根源分析提供依據,完美適配半導體行業對高價值樣品的保護需求。 熱紅外顯微鏡支持芯片、電路板等多類電子元件熱檢測。半導體熱紅外顯微鏡設備
無損熱紅外顯微鏡的非破壞性分析(NDA)技術,為失效分析提供了 “保全樣品” 的重要手段。它在不損傷高價值樣品的前提下,捕捉隱性熱信號以定位內部缺陷,既保障了分析的準確性,又為后續驗證、復盤保留了完整樣本,讓失效分析從 “找到問題” 到 “解決問題” 的閉環更高效、更可靠。
相較于無損熱紅外顯微鏡的非侵入式檢測,這些有損分析方法雖能獲取內部結構信息,但會破壞樣品完整性,更適合無需保留樣品的分析場景,與無損分析形成互補。 科研用熱紅外顯微鏡平臺熱紅外顯微鏡通過熱成像技術,快速定位 PCB 板上的短路熱點 。
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 也是科研與教學領域的利器,其設備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術結合,呈現物體表面溫度分布,分辨率達微米級,可觀察半導體芯片熱點、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優勢,無需與被測物體直接接觸,避免了對樣品的干擾,適用于多種類型的樣品檢測。實時成像功能可追蹤動態熱變化,如材料相變、化學反應熱釋放。在高校,熱紅外顯微鏡助力多學科實驗;在企業,為產品研發和質量檢測提供支持,推動各領域創新突破。
在電子領域,所有器件都會在不同程度上產生熱量。器件散發一定熱量屬于正?,F象,但某些類型的缺陷會增加功耗,進而導致發熱量上升。
在失效分析中,這種額外的熱量能夠為定位缺陷本身提供有用線索。熱紅外顯微鏡可以借助內置攝像系統來測量可見光或近紅外光的實用技術。該相機對波長在3至10微米范圍內的光子十分敏感,而這些波長與熱量相對應,因此相機獲取的圖像可轉化為被測器件的熱分布圖。通常,會先對斷電狀態下的樣品器件進行熱成像,以此建立基準線;隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現了器件的功耗情況,可用于隔離失效問題。許多不同的缺陷在通電時會因消耗額外電流而產生過多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保護二極管等,通過熱紅外顯微鏡觀察時會顯現出來,從而使我們能夠精細定位存在缺陷的損壞部位。 熱紅外顯微鏡突破傳統限制,以超分辨率清晰呈現芯片內部熱分布細節 。
在國內失效分析設備領域,專注于原廠研發與生產的企業數量相對較少,尤其在熱紅外檢測這類高精度細分領域,具備自主技術積累的原廠更為稀缺。這一現狀既源于技術門檻 —— 需融合光學、紅外探測、信號處理等多學科技術,也受限于市場需求的專業化程度,導致多數企業傾向于代理或集成方案。
致晟光電正是國內少數深耕該領域的原廠之一。不同于單純的設備組裝,其從中樞技術迭代入手,在傳統熱發射顯微鏡基礎上進化出熱紅外顯微鏡,形成從光學系統設計、信號算法研發到整機制造的完整能力。這種原廠基因使其能深度理解國內半導體、材料等行業的失效分析需求,例如針對先進制程芯片的微小熱信號檢測、國產新材料的熱特性研究等場景,提供更貼合實際應用的設備與技術支持,成為本土失效分析領域不可忽視的自主力量。 熱紅外顯微鏡結合自研算法,對微弱熱信號進行定位分析,鎖定潛在缺陷 。半導體熱紅外顯微鏡設備
在高低溫循環(-40℃~125℃)中監測車載功率模塊、傳感器的熱疲勞退化。半導體熱紅外顯微鏡設備
當電子設備中的某個元件發生故障或異常時,常常伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡通過高靈敏度的紅外探測器,能夠捕捉到極其微弱的熱輻射信號。這些探測器通常采用量子級聯激光器等先進技術,或其他高性能紅外傳感方案,具備寬溫區、高分辨率的成像能力。通過對熱輻射信號的精細探測與分析,熱紅外顯微鏡能夠將電子設備表面的溫度分布以高對比度的熱圖像形式呈現,直觀展現熱點區域的位置、尺寸及溫度變化趨勢,從而幫助工程師快速鎖定潛在的故障點,實現高效可靠的故障排查。半導體熱紅外顯微鏡設備
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