熱點區域對應高溫部位，可能是發熱源或故障點；等溫線連接溫度相同點，能直觀呈現溫度梯度與熱量傳導規律。目前市面上多數設備受紅外波長及探測器性能限制，普遍存在熱點分散、噪點多的問題，導致發熱區域定位不準，圖像對比度和清晰度下降，影響溫度分布判斷的準確性。

而我方設備優勢是設備抗干擾能力強，可有效減少外界環境及內部器件噪聲影響，保障圖像穩定可靠；等溫線明顯，能清晰展現溫度相同區域，便于快速掌握溫度梯度與熱傳導情況，提升熱特性分析精度；成像效果大幅提升，具備更高的空間分辨率、溫度分辨率及對比度，可清晰呈現細微細節，為分析提供高質量的圖像支持。 區分 LED、激光二極管的電致發光熱點與熱輻射異常，優化光電轉換效率。非制冷熱紅外顯微鏡按需定制

車規級芯片作為汽車電子系統的重心，其可靠性直接關系到汽車的安全運行，失效分析是對提升芯片質量、保障行車安全意義重大。在車規級芯片失效分析中，熱紅外顯微鏡發揮著關鍵作用。芯片失效常伴隨異常發熱，通過熱紅外顯微鏡分析其溫度分布，能定位失效相關的熱點區域。比如，芯片內部電路短路、元器件老化等故障，會導致局部溫度驟升形成明顯熱點。從而快速定位潛在的故障點，為功率模塊的失效分析提供了強有力的工具。可以更好的幫助車企優化芯片良率與安全性。非制冷熱紅外顯微鏡按需定制在高低溫循環（-40℃~125℃）中監測車載功率模塊、傳感器的熱疲勞退化。

非制冷熱紅外顯微鏡的售價因品牌、性能、功能配置等因素而呈現較大差異 。不過國產的非制冷熱紅外顯微鏡在價格上頗具競爭力，適合長時間動態監測。通過鎖相熱成像等技術優化后，其靈敏度（通常 0.01-0.1℃）和分辨率（普遍 5-20μm）雖稍遜于制冷型，但性價比更具優勢。與制冷型相比，非制冷型無需制冷耗材，適用于 PCB、PCBA 等常規電子元件的失效分析；制冷型靈敏度更高（可達 0.1mK）、分辨率更低（低至 2μm），多用于半導體晶圓等對檢測要求較高的場景。非制冷熱紅外顯微鏡在中低端工業檢測領域應用較多。

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 圖像分析是通過探測物體自身發出的紅外輻射，將其轉化為可視化圖像，進而分析物體表面溫度分布等信息的技術。其原理是溫度高于零度的物體都會向外發射紅外光，熱紅外顯微鏡通過吸收這些紅外光，利用光電轉換將其變為溫度圖像。物體內電荷擾動會產生遠場輻射和近場輻射，近場輻射以倏逝波形式存在，強度隨遠離物體表面急劇衰退，通過掃描探針技術可散射近場倏逝波，從而獲取物體近場信息，實現超分辨紅外成像。芯片復雜度提升對缺陷定位技術的精度與靈敏度提出更高要求。

現市場呈現 “國產崛起與進口分野” 的競爭格局。進口品牌憑借早期技術積累，在市場仍占一定優勢，國產廠商則依托本土化優勢快速突圍，通過優化供應鏈、降低生產成本，在中低端市場形成強競爭力，尤其在工業質檢、電路板失效分析等場景中，憑借高性價比和快速響應的服務搶占份額。同時，國內企業持續加大研發投入，在探測器靈敏度、成像分辨率等指標上不斷追趕，部分中端產品可以做到超越國際水平，且在定制化解決方案上更貼合本土客戶需求，如針對大尺寸主板檢測優化的機型。隨著國產技術成熟度提升，與進口品牌的競爭邊界不斷模糊，推動整體市場向多元化、高性價比方向發展。熱紅外顯微鏡的動態功耗分析功能，同步記錄 100MHz 高頻信號下的熱響應曲線。非制冷熱紅外顯微鏡按需定制

熱紅外顯微鏡通過熱輻射相位差算法，三維定位 3D 封裝中 Z 軸方向的失效層。非制冷熱紅外顯微鏡按需定制

熱紅外是紅外光譜中波長介于 3–18 微米的譜段，其能量主要來自物體自身的熱輻射，而非對外界光源的反射。該波段可細分為中紅外（3–8?μm）、長波紅外（8–15?μm）和超遠紅外（15–18?μm），其熱感應本質源于分子熱振動產生的電磁波輻射，輻射強度與物體溫度正相關。在應用上，熱紅外利用大氣窗口（3–5?μm、8–14?μm）實現高精度的地表遙感監測，并廣泛應用于熱成像、氣體探測等領域。現代設備如 TIRS-2 和 O-PTIR 等，已將熱紅外技術的空間分辨率提升至納米級水平。

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