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半導(dǎo)體失效分析熱紅外顯微鏡成像

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-19

熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優(yōu)勢二:

與傳統(tǒng)接觸式檢測方法相比,熱紅外顯微鏡的非接觸式檢測優(yōu)勢更勝——無需與被測設(shè)備直接物理接觸,從根本上規(guī)避了傳統(tǒng)檢測中因探針壓力、靜電放電等因素對設(shè)備造成的損傷風(fēng)險(xiǎn),這對精密電子元件與高精度設(shè)備的檢測尤為關(guān)鍵。在接觸式檢測場景中,探針接觸產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力可能導(dǎo)致芯片焊點(diǎn)形變或線路微損傷,而靜電放電(ESD)更可能直接擊穿敏感半導(dǎo)體器件。

相比之下,熱紅外顯微鏡通過捕捉設(shè)備運(yùn)行時(shí)的熱輻射信號(hào)實(shí)現(xiàn)非侵入式檢測,不僅能在設(shè)備正常工作狀態(tài)下獲取實(shí)時(shí)數(shù)據(jù),更避免了因接觸干擾導(dǎo)致的檢測誤差,大幅提升了檢測過程的安全性與結(jié)果可靠性。這種非接觸式技術(shù)突破,為電子設(shè)備的故障診斷與性能評(píng)估提供了更優(yōu)解。 評(píng)估 PCB 走線布局、過孔設(shè)計(jì)對熱分布的影響,指導(dǎo)散熱片、導(dǎo)熱膠的選型與 placement。半導(dǎo)體失效分析熱紅外顯微鏡成像

半導(dǎo)體失效分析熱紅外顯微鏡成像,熱紅外顯微鏡

熱紅外顯微鏡能高效檢測微尺度半導(dǎo)體電路及MEMS器件的熱問題。在電路檢測方面,這套熱成像顯微鏡可用于電路板失效分析,且配備了電路板檢測軟件包“模型比較”,能識(shí)別缺陷元件;同時(shí)還可搭載“缺陷尋找”軟件模塊,專門探測不易發(fā)現(xiàn)的短路問題并定位短路點(diǎn)。在MEMS研發(fā)領(lǐng)域,空間溫度分布與熱響應(yīng)時(shí)間是微反應(yīng)器、微型熱交換器、微驅(qū)動(dòng)器、微傳感器等MEMS器件的關(guān)鍵參數(shù)。目前,非接觸式測量MEMS器件溫度的方法仍存在局限,而紅外成像顯微鏡可提供20微米空間分辨率的熱分布圖像,是迄今為止測量MEMS器件熱分布的高效工具。
鎖相熱紅外顯微鏡成像儀熱紅外顯微鏡通過 AI 輔助分析,一鍵生成熱譜圖,大幅提升科研與檢測效率。

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熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 作為一種能夠捕捉微觀尺度熱輻射信號(hào)的精密儀器,其優(yōu)勢在于對材料、器件局部溫度分布的高空間分辨率觀測。

然而,在面對微弱熱信號(hào)(如納米尺度結(jié)構(gòu)的熱輻射、低功耗器件的散熱特性等)時(shí),傳統(tǒng)熱成像方法易受環(huán)境噪聲、背景輻射的干擾,難以實(shí)現(xiàn)精細(xì)測量。鎖相熱成像技術(shù)的引入,為熱紅外顯微鏡突破這一局限提供了關(guān)鍵解決方案。通過鎖相熱成像技術(shù)的賦能,熱紅外顯微鏡從 “可見” 微觀熱分布升級(jí)為 “可測” 納米級(jí)熱特性,為微觀尺度熱科學(xué)研究與工業(yè)檢測提供了不可或缺的工具。

在微觀熱信號(hào)檢測領(lǐng)域,熱發(fā)射顯微鏡作為經(jīng)典失效分析工具,為半導(dǎo)體與材料研究提供了基礎(chǔ)支撐。致晟光電的熱紅外顯微鏡,并非簡單的名稱更迭,而是由技術(shù)工程師團(tuán)隊(duì)在傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡原理上,歷經(jīng)多代技術(shù)創(chuàng)新與功能迭代逐步演變進(jìn)化而來。這一過程中,團(tuán)隊(duì)針對傳統(tǒng)設(shè)備在視野局限、信號(hào)靈敏度、分析尺度等方面的痛點(diǎn),通過光學(xué)系統(tǒng)重構(gòu)、信號(hào)處理算法升級(jí)、檢測維度拓展等創(chuàng)新,重新定義、形成了更適應(yīng)現(xiàn)代微觀熱分析需求的技術(shù)體系。熱紅外顯微鏡通過熱成像技術(shù),快速定位 PCB 板上的短路熱點(diǎn) 。

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致晟光電熱紅外顯微鏡的軟件算法優(yōu)化,信號(hào)處理邏輯也是其競爭力之一。

其搭載的自適應(yīng)降噪算法,能通過多幀信號(hào)累積與特征學(xué)習(xí),精細(xì)識(shí)別背景噪聲的頻譜特征 —— 無論是環(huán)境溫度波動(dòng)產(chǎn)生的低頻干擾,還是電子元件的隨機(jī)噪聲,都能被針對性濾除,使信噪比提升 2-3 個(gè)數(shù)量級(jí)。

針對微弱熱信號(hào)提取,算法內(nèi)置動(dòng)態(tài)閾值調(diào)節(jié)機(jī)制,結(jié)合熱信號(hào)的時(shí)域相關(guān)性與空間分布特征,可從噪聲中剝離 0.05mK 級(jí)的微小溫度變化,即使納米尺度結(jié)構(gòu)的隱性感熱信號(hào)也能被清晰捕捉。同時(shí),軟件支持熱分布三維建模、溫度梯度曲線分析、多區(qū)域熱演化對比等多元功能,通過直觀的可視化界面呈現(xiàn)數(shù)據(jù) —— 從熱點(diǎn)定位的微米級(jí)標(biāo)記到熱傳導(dǎo)路徑的動(dòng)態(tài)模擬,為用戶提供從信號(hào)提取到深度分析的全流程支持,大幅提升微觀熱分析效率。 熱紅外顯微技術(shù)可透過硅片或封裝材料,實(shí)現(xiàn)非接觸式熱斑定位。高分辨率熱紅外顯微鏡價(jià)格

熱紅外顯微鏡通過納秒級(jí)瞬態(tài)熱捕捉,揭示高速芯片開關(guān)過程的瞬態(tài)熱失效機(jī)理。半導(dǎo)體失效分析熱紅外顯微鏡成像

致晟光電的熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)系列 ——RTTLIT P10 實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng),搭載非制冷型熱紅外成像探測器,采用鎖相熱成像(Lock-In Thermography)技術(shù),通過調(diào)制電信號(hào)大幅提升特征分辨率與檢測靈敏度,具備高靈敏度、高性價(jià)比的突出優(yōu)勢。該系統(tǒng)鎖相靈敏度可達(dá) 0.001℃,顯微分辨率可達(dá) 5μm,分析速度快且檢測精度高,重點(diǎn)應(yīng)用于電路板失效分析領(lǐng)域,可多用于適配 PCB、PCBA、大尺寸主板、分立元器件、MLCC 等產(chǎn)品的維修檢測場景。 半導(dǎo)體失效分析熱紅外顯微鏡成像

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