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什么是微光顯微鏡與光學(xué)顯微鏡對比

來源: 發(fā)布時間:2025-07-21

同時,微光顯微鏡(EMMI)帶來的高效失效分析能力,能大幅縮短研發(fā)周期。在新產(chǎn)品研發(fā)階段,快速發(fā)現(xiàn)并解決失效問題,可避免研發(fā)過程中的反復(fù)試錯,加快產(chǎn)品從實(shí)驗(yàn)室走向市場的速度。當(dāng)市場需求瞬息萬變時,更快的研發(fā)響應(yīng)速度意味著企業(yè)能搶先推出符合市場需求的產(chǎn)品,搶占市場先機(jī)。例如,在當(dāng)下市場 5G 芯片、AI 芯片等領(lǐng)域,技術(shù)迭代速度極快,誰能更早解決研發(fā)中的失效難題,誰就能在技術(shù)競爭中爭先一步,建立起差異化的競爭優(yōu)勢。通過與光譜儀聯(lián)用,可分析光子的光譜信息,為判斷缺陷類型提供更多依據(jù),增強(qiáng)分析的全面性。什么是微光顯微鏡與光學(xué)顯微鏡對比

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企業(yè)用戶何如去采購適合自己的設(shè)備?

功能側(cè)重的差異,讓它們在芯片檢測中各司其職。微光顯微鏡的 “專長” 是識別電致發(fā)光缺陷,對于邏輯芯片、存儲芯片等高密度集成電路中常見的 PN 結(jié)漏電、柵氧擊穿、互連缺陷等細(xì)微電性能問題,它能提供的位置信息,是芯片失效分析中定位 “電故障” 的工具。

例如,在 7nm 以下先進(jìn)制程芯片的檢測中,其高靈敏度可捕捉到單個晶體管異常產(chǎn)生的微弱信號,為工藝優(yōu)化提供關(guān)鍵依據(jù)。

熱紅外顯微鏡則更關(guān)注 “熱失控” 風(fēng)險,在功率半導(dǎo)體、IGBT 等大功率器件的檢測中表現(xiàn)突出。這類芯片工作時功耗較高,散熱性能直接影響可靠性,短路、散熱通道堵塞等問題會導(dǎo)致局部溫度驟升,熱紅外顯微鏡能快速生成熱分布圖譜,直觀呈現(xiàn)熱點(diǎn)位置與溫度梯度,幫助工程師判斷散熱設(shè)計缺陷或電路短路點(diǎn)。在汽車電子等對安全性要求極高的領(lǐng)域,這種對熱異常的敏銳捕捉,是預(yù)防芯片失效引發(fā)安全事故的重要保障。



廠家微光顯微鏡銷售公司支持離線數(shù)據(jù)分析,可將檢測圖像導(dǎo)出后進(jìn)行深入處理,不占用設(shè)備的實(shí)時檢測時間。

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在故障分析領(lǐng)域,微光顯微鏡(EmissionMicroscope,EMMI)是一種極具實(shí)用價值且效率出眾的分析工具。其功能是探測集成電路(IC)內(nèi)部釋放的光子。在IC元件中,電子-空穴對(ElectronHolePairs,EHP)的復(fù)合過程會伴隨光子(Photon)的釋放。具體可舉例說明:當(dāng)P-N結(jié)施加偏壓時,N區(qū)的電子會向P區(qū)擴(kuò)散,同時P區(qū)的空穴也會向N區(qū)擴(kuò)散,隨后這些擴(kuò)散的載流子會與對應(yīng)區(qū)域的載流子(即擴(kuò)散至P區(qū)的電子與P區(qū)的空穴、擴(kuò)散至N區(qū)的空穴與N區(qū)的電子)發(fā)生EHP復(fù)合,并在此過程中釋放光子。

EMMI的本質(zhì)只是一臺光譜范圍廣,光子靈敏度高的顯微鏡。

但是為什么EMMI能夠應(yīng)用于IC的失效分析呢?

原因就在于集成電路在通電后會出現(xiàn)三種情況:1.載流子復(fù)合;2.熱載流子;3.絕緣層漏電。當(dāng)這三種情況發(fā)生時集成電路上就會產(chǎn)生微弱的熒光,這時EMMI就能捕獲這些微弱熒光,這就給了EMMI一個應(yīng)用的機(jī)會而在IC的失效分析中,我們給予失效點(diǎn)一個偏壓產(chǎn)生熒光,然后EMMI捕獲電流中產(chǎn)生的微弱熒光。原理上,不管IC是否存在缺陷,只要滿足其機(jī)理在EMMI下都能觀測到熒光 但歐姆接觸和部分金屬互聯(lián)短路時,產(chǎn)生的光子十分微弱,難以被微光顯微鏡偵測到,借助近紅外光進(jìn)行檢測。。

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微光顯微鏡技術(shù)特性差異

探測靈敏度方向:EMMI 追求對微弱光子的高靈敏度(可檢測單光子級別信號),需配合暗場環(huán)境減少干擾;熱紅外顯微鏡則強(qiáng)調(diào)溫度分辨率(部分設(shè)備可達(dá) 0.01℃),需抑制環(huán)境熱噪聲。

空間分辨率:EMMI 的分辨率受光學(xué)系統(tǒng)和光子波長限制,通常在微米級;熱紅外顯微鏡的分辨率與紅外波長、鏡頭數(shù)值孔徑相關(guān),一般略低于 EMMI,但更注重大面積熱分布的快速成像。

樣品處理要求:EMMI 對部分遮蔽性失效(如金屬下方漏電)需采用背面觀測模式,可能需要減薄、拋光樣品;

處理要求:熱紅外顯微鏡可透過封裝材料(如陶瓷、塑料)探測,對樣品破壞性較小,更適合非侵入式初步篩查。 通過調(diào)節(jié)探測靈敏度,它能適配不同漏電流大小的檢測需求,靈活應(yīng)對多樣的檢測場景。微光顯微鏡大概價格多少

針對納米級半導(dǎo)體器件,搭配超高倍物鏡,能分辨納米尺度的缺陷發(fā)光,推動納米電子學(xué)研究。什么是微光顯微鏡與光學(xué)顯微鏡對比

致晟光電 RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)(EMMI)是一款專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設(shè)備。該系統(tǒng)搭載先進(jìn)的 - 80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡,憑借超高檢測靈敏度,可捕捉器件在微弱漏電流信號下產(chǎn)生的極微弱微光。通過超高靈敏度成像技術(shù),設(shè)備能快速定位漏電缺陷并開展深度分析,為工程師優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性提供關(guān)鍵支持,進(jìn)而為半導(dǎo)體器件的質(zhì)量控制與失效分析環(huán)節(jié)提供安全可靠的解決方案。什么是微光顯微鏡與光學(xué)顯微鏡對比

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