鎖相熱成像系統憑借電激勵在電子產業的芯片封裝檢測中表現出的性能，成為芯片制造過程中不可或缺的質量控制手段。芯片封裝是保護芯片、實現電氣連接的關鍵環節，在封裝過程中，可能會出現焊球空洞、引線鍵合不良、封裝體開裂等多種缺陷。這些缺陷會嚴重影響芯片的散熱性能和電氣連接可靠性，導致芯片在工作過程中因過熱而失效。通過對芯片施加特定的電激勵，使芯片內部產生熱量，缺陷處由于熱傳導受阻，會形成局部高溫區域。鎖相熱成像系統能夠實時捕捉芯片表面的溫度場分布，并通過分析溫度場的相位和振幅變化，生成清晰的缺陷圖像，精確顯示出缺陷的位置、大小和形態。例如，在檢測 BGA 封裝芯片時，系統能準確識別出焊球中的空洞，即使空洞體積占焊球體積的 5%，也能被定位。這一技術的應用，幫助芯片制造企業及時發現封裝過程中的問題，有效降低了產品的不良率，提升了芯片產品的質量。電激勵的波形選擇（正弦波、方波等）會影響熱信號的特征，鎖相熱成像系統需針對不同波形優化處理算法。實時瞬態鎖相分析系統鎖相紅外熱成像系統性價比

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學領域的利器，其設備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術結合，呈現物體表面溫度分布，分辨率達微米級，可觀察半導體芯片熱點、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優勢，無需與被測物體直接接觸，避免了對樣品的干擾，適用于多種類型的樣品檢測。實時成像功能可追蹤動態熱變化，如材料相變、化學反應熱釋放。在高校，熱紅外顯微鏡助力多學科實驗；在企業，為產品研發和質量檢測提供支持，推動各領域創新突破。半導體鎖相紅外熱成像系統按需定制電激勵與鎖相熱成像系統，電子檢測黃金組合。

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進的非破壞性檢測技術，主要用于精細定位電子設備中的熱點區域，這些區域通常與潛在的故障、缺陷或性能問題密切相關。該技術可在不破壞被測對象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態下釋放的熱輻射與光信號，為工程師提供關鍵的故障診斷線索和性能分析依據。在諸如復雜集成電路、高性能半導體器件以及精密印制電路板（PCB）等電子組件中，ThermalEMMI能夠快速識別出異常發熱或發光的區域，幫助工程師迅速定位問題根源，從而及時采取有效的維修或優化措施。

鎖相熱成像系統在發展過程中也面臨著一些技術難點，其中如何優化熱激勵方式與信號處理算法是問題。熱激勵方式的合理性直接影響檢測的靈敏度和準確性，不同的被測物體需要不同的激勵參數；而信號處理算法則決定了能否從復雜的信號中有效提取出有用信息。為此，研究人員不斷進行探索和創新，通過改進光源調制頻率，使其更適應不同檢測場景，開發多頻融合算法，提高信號處理的效率和精度等方式，持續提升系統的檢測速度與缺陷識別精度。未來，隨著新型材料的研發和傳感器技術的不斷進步，鎖相熱成像系統的性能將進一步提升，其應用領域也將得到的拓展，為更多行業帶來技術革新。
鎖相熱成像系統讓電激勵檢測更具實用價值。

在實際應用中，這款設備已成為半導體產業鏈的 “故障診斷利器”。在晶圓制造環節，它能通過熱分布成像識別光刻缺陷導致的局部漏電；在芯片封裝階段，可定位引線鍵合不良引發的接觸電阻過熱；針對 IGBT 等功率器件，能捕捉高頻開關下的瞬態熱行為，提前預警潛在失效風險。某半導體企業在檢測一批失效芯片時，傳統熱成像設備能看到模糊的發熱區域，而使用致晟光電的一體化設備后，通過鎖相技術發現發熱區域內存在一個 2μm 的微小熱點，終定位為芯片內部的金屬離子遷移缺陷 —— 這類缺陷若未及時發現，可能導致產品在長期使用中突然失效。鎖相熱成像系統借電激勵，捕捉細微溫度變化辨故障。顯微紅外成像鎖相紅外熱成像系統功能

電激勵模塊是通過源表向被測物體施加周期性方波電信號，通過焦耳效應使物體產生周期性的溫度波動。實時瞬態鎖相分析系統鎖相紅外熱成像系統性價比

在產品全壽命周期中，失效分析以解決失效問題、確定根本原因為目標。通過對失效模式開展綜合性試驗分析，它能定位失效部位，厘清失效機理——無論是材料劣化、結構缺陷還是工藝瑕疵引發的問題，都能被系統拆解。在此基礎上，進一步提出針對性糾正措施，從源頭阻斷失效的重復發生。作為貫穿產品質量控制全流程的關鍵環節，失效分析的價值體現在對全鏈條潛在風險的追溯與排查：在設計（含選型）階段，可通過模擬失效驗證方案合理性；制造環節，能鎖定工藝偏差導致的批量隱患；使用過程中，可解析環境因素對性能衰減的影響；質量管理層面，則為標準優化提供數據支撐。實時瞬態鎖相分析系統鎖相紅外熱成像系統性價比