當芯片內部存在漏電缺陷，如結漏電、氧化層漏電時，電子-空穴對復合會釋放光子，微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對于載流子復合異常情況，像閂鎖效應、熱電子效應引發的失效，以及器件在飽和態晶體管、正向偏置二極管等工作狀態下的固有發光，它也能有效探測，為這類與光子釋放相關的失效提供關鍵分析依據。

而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關的芯片問題。金屬互聯短路、電源與地短接會導致局部過熱，其可通過檢測紅外輻射差異定位。對于高功耗區域因設計缺陷引發的電流集中導致的熱分布異常，以及封裝或散熱結構失效造成的整體溫度異常等情況，它能生成溫度分布圖像，助力找出熱量異常根源。 其內置的圖像分析軟件，可測量亮點尺寸與亮度，為量化評估缺陷嚴重程度提供數據。廠家微光顯微鏡銷售公司

EMMI的本質只是一臺光譜范圍廣，光子靈敏度高的顯微鏡。

但是為什么EMMI能夠應用于IC的失效分析呢？

原因就在于集成電路在通電后會出現三種情況：1.載流子復合；2.熱載流子；3.絕緣層漏電。當這三種情況發生時集成電路上就會產生微弱的熒光，這時EMMI就能捕獲這些微弱熒光，這就給了EMMI一個應用的機會而在IC的失效分析中，我們給予失效點一個偏壓產生熒光，然后EMMI捕獲電流中產生的微弱熒光。原理上，不管IC是否存在缺陷，只要滿足其機理在EMMI下都能觀測到熒光 紅外光譜微光顯微鏡24小時服務針對氮化鎵等寬禁帶半導體，它能適應其寬波長探測需求，助力寬禁帶器件的研發與應用。

微光顯微鏡（EMMI）無法探測到亮點的情況:

一、不會產生亮點的故障有歐姆接觸（OhmicContact）金屬互聯短路（MetalInterconnectShort）表面反型層（SurfaceInversionLayer）硅導電通路（SiliconConductingPath）等。

二、亮點被遮蔽的情況有掩埋結（BuriedJunctions）及金屬下方的漏電點（LeakageSitesunderMetal）。此類情況可采用背面觀測模式（backsidemode），但該模式*能探測近紅外波段的發光，且需對樣品進行減薄及拋光處理等。

漏電是芯片另一種常見的失效模式，其誘因復雜多樣，既可能源于晶體管長期工作后的老化衰減，也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發。

與短路類似，芯片內部發生漏電時，漏電路徑中會伴隨微弱的光發射現象——這種光信號的強度往往遠低于短路產生的光輻射，對檢測設備的靈敏度提出了極高要求。EMMI憑借其的微光探測能力，能夠捕捉到漏電產生的極微弱光信號。通過對芯片進行全域掃描，可將漏電區域以可視化圖像的形式清晰呈現，使工程師能直觀識別漏電位置與分布特征。

半導體失效分析中，微光顯微鏡可偵測失效器件光子，定位如 P-N 接面漏電等故障點，助力改進工藝、提升質量。

選擇國產 EMMI 微光顯微鏡，既是擁抱技術自主，更是搶占效率與成本的雙重優勢！致晟光電全本土化研發實力，與南京理工大學光電技術學院深度攜手，致力于光電技術研究和產業化應用，充分發揮其科研優勢，構建起產學研深度融合的技術研發體系。

憑借這一堅實后盾，我們的 EMMI 微光顯微鏡在性能上實現更佳突破：-80℃制冷型探測器搭配高分辨率物鏡，輕松捕捉極微弱漏電流光子信號，漏電缺陷定位精度與國際設備同步，讓每一個細微失效點無所遁形。 其搭載的圖像增強算法，能強化微弱光子信號，減少噪聲干擾，使故障點成像更鮮明，便于識別。廠家微光顯微鏡對比

但歐姆接觸和部分金屬互聯短路時，產生的光子十分微弱，難以被微光顯微鏡偵測到，借助近紅外光進行檢測。。廠家微光顯微鏡銷售公司

致晟光電作為蘇州本土的光電檢測設備研發制造企業，其本地化服務目前以國內市場為主要覆蓋區域 。尤其在華東地區，依托總部蘇州的地理優勢，對上海、江蘇、浙江等周邊省市實現高效服務。無論是設備的安裝調試，還是售后的故障維修、技術咨詢，都能在短時間內響應，例如在蘇州本地，接到客戶需求后，普遍可在數小時內安排技術人員上門服務。在全國范圍內，致晟光電已通過建立銷售服務網點、與當地經銷商合作等方式，保障本地化服務的覆蓋。
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