定位短路故障點短路是造成芯片失效的關鍵誘因之一。

當芯片內部電路發生短路時，短路區域會形成異常電流通路，引發局部溫度驟升，并伴隨特定波長的光發射現象。EMMI（微光顯微鏡）憑借其超高靈敏度，能夠捕捉這些由短路產生的微弱光信號，再通過對光信號的強度分布、空間位置等特征進行綜合分析，可實現對短路故障點的精確定位。

以一款高性能微處理器芯片為例，其在測試中出現不明原因的功耗激增問題，技術人員初步判斷為內部電路存在短路隱患。通過EMMI對芯片進行全域掃描檢測，在極短時間內便在芯片的某一特定功能模塊區域發現了光發射信號。結合該芯片的電路設計圖紙和版圖信息進行深入分析，終鎖定故障點為兩條相鄰的鋁金屬布線之間因絕緣層破損而發生的短路。這一定位為后續的故障修復和工藝改進提供了直接依據。 微光顯微鏡的自動瑕疵分類系統，可依據發光的強度、形狀等特征進行歸類，提高檢測報告的生成效率。高分辨率微光顯微鏡聯系人

EMMI 微光顯微鏡作為集成電路失效分析的重要設備，其漏電定位功能對于失效分析工程師而言是不可或缺的工具。在集成電路領域，對芯片的可靠性有著極高的要求。在芯片運行過程中，微小漏電現象較為常見，且在特定條件下，這些微弱的漏電可能會被放大，導致芯片乃至整個控制系統的失效。因此，芯片微漏電現象在集成電路失效分析中占據著至關重要的地位。此外，考慮到大多數集成電路的工作電壓范圍在3.3V至20V之間，工作電流即便是微安或毫安級別的漏電流也足以表明芯片已經出現失效。因此，準確判斷漏流位置對于確定芯片失效的根本原因至關重要。 IC微光顯微鏡訂制價格其低噪聲電纜連接設計，減少信號傳輸過程中的損耗，確保微弱光子信號完整傳遞至探測器。

當芯片內部存在漏電缺陷，如結漏電、氧化層漏電時，電子-空穴對復合會釋放光子，微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對于載流子復合異常情況，像閂鎖效應、熱電子效應引發的失效，以及器件在飽和態晶體管、正向偏置二極管等工作狀態下的固有發光，它也能有效探測，為這類與光子釋放相關的失效提供關鍵分析依據。

而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關的芯片問題。金屬互聯短路、電源與地短接會導致局部過熱，其可通過檢測紅外輻射差異定位。對于高功耗區域因設計缺陷引發的電流集中導致的熱分布異常，以及封裝或散熱結構失效造成的整體溫度異常等情況，它能生成溫度分布圖像，助力找出熱量異常根源。

微光顯微鏡無法檢測不產生光子的失效（如歐姆接觸、金屬短路），且易受強光環境干擾；熱紅外顯微鏡則難以識別無明顯溫度變化的失效（如輕微漏電但功耗極低的缺陷），且溫度信號可能受環境熱傳導影響。

實際分析中，二者常結合使用，通過 “光 - 熱” 信號交叉驗證，提升失效定位的準確性。致晟光電在技術創新的征程中，實現了一項突破性成果 —— 將熱紅外顯微鏡與微光顯微鏡集可以集成于一臺設備，只需一次采購，便可以節省了重復的硬件投入。 微光顯微鏡搭配高分辨率鏡頭，可將微小缺陷放大至清晰可見，讓檢測更易觀察分析，提升檢測的準確度。

微光顯微鏡的原理是探測光子發射。它通過高靈敏度的光學系統捕捉芯片內部因電子 - 空穴對（EHP）復合產生的微弱光子（如 P-N 結漏電、熱電子效應等過程中的發光），進而定位失效點。其探測對象是光信號，且多針對可見光至近紅外波段的光子。熱紅外顯微鏡則基于紅外輻射測溫原理工作。芯片運行時，失效區域（如短路、漏電點）會因能量損耗異常產生局部升溫，其釋放的紅外輻射強度與溫度正相關。設備通過檢測不同區域的紅外輻射差異，生成溫度分布圖像，以此定位發熱異常點，探測對象是熱信號（紅外波段輻射）。其內置的圖像分析軟件，可測量亮點尺寸與亮度，為量化評估缺陷嚴重程度提供數據。IC微光顯微鏡方案設計

電路驗證中出現閂鎖效應及漏電，微光顯微鏡可定位位置，為電路設計優化提供依據，保障系統穩定運行。高分辨率微光顯微鏡聯系人

在半導體 MEMS 器件檢測領域，微光顯微鏡憑借其超靈敏的感知能力，展現出不可替代的技術價值。MEMS 器件的結構往往以微米級尺度存在，這些微小部件在運行過程中會產生極其微弱的紅外輻射變化 —— 這種信號強度常低于常規檢測設備的感知閾值，卻能被微光顯微鏡及時捕捉。通過先進的光電轉換與信號放大技術，微光設備將捕捉到的紅外輻射信號轉化為直觀的動態圖像。通過圖像分析工具，可量化提取結構的位移幅度、振動頻率等關鍵參數。這種檢測方式突破了傳統接觸式測量對微結構的干擾問題。高分辨率微光顯微鏡聯系人