相較于傳統微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測先進制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導致熱載子激發的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進制程產品中的亮點和熱點（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統EMMI在應用上具有相似性，但InGaAs微光顯微鏡在以下方面展現出優勢：

1.偵測到缺陷所需時間為傳統EMMI的1/5~1/10；

2.能夠偵測到微弱電流及先進制程中的缺陷；

3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷；

4.針對芯片背面（Back-Side）的定位分析中，紅外光對硅基板具有較高的穿透率。 它嘗試通過金屬層邊緣等位置的光子來定位故障點，解決了復雜的檢測難題。廠家微光顯微鏡選購指南

芯片制造工藝復雜精密，從設計到量產的每一個環節都可能潛藏缺陷，而失效分析作為測試流程的重要一環，是攔截不合格產品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術，能夠捕捉到芯片內部因漏電、熱失控等故障產生的微弱發光信號，定位微米級甚至納米級的缺陷。這種檢測能力，能幫助企業快速鎖定問題所在 —— 無論是設計環節的邏輯漏洞，還是制造過程中的材料雜質、工藝偏差，都能被及時發現。這意味著企業可以針對性地優化生產工藝、改進設計方案，從而提升芯片良率。在當前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接轉化為生產成本的降低，讓企業在價格競爭中占據更有利的位置。國產微光顯微鏡價格靜電放電破壞半導體器件時，微光顯微鏡偵測其光子可定位故障點，助分析原因程度。

企業用戶何如去采購適合自己的設備？

功能側重的差異，讓它們在芯片檢測中各司其職。微光顯微鏡的 “專長” 是識別電致發光缺陷，對于邏輯芯片、存儲芯片等高密度集成電路中常見的 PN 結漏電、柵氧擊穿、互連缺陷等細微電性能問題，它能提供的位置信息，是芯片失效分析中定位 “電故障” 的工具。

例如，在 7nm 以下先進制程芯片的檢測中，其高靈敏度可捕捉到單個晶體管異常產生的微弱信號，為工藝優化提供關鍵依據。

熱紅外顯微鏡則更關注 “熱失控” 風險，在功率半導體、IGBT 等大功率器件的檢測中表現突出。這類芯片工作時功耗較高，散熱性能直接影響可靠性，短路、散熱通道堵塞等問題會導致局部溫度驟升，熱紅外顯微鏡能快速生成熱分布圖譜，直觀呈現熱點位置與溫度梯度，幫助工程師判斷散熱設計缺陷或電路短路點。在汽車電子等對安全性要求極高的領域，這種對熱異常的敏銳捕捉，是預防芯片失效引發安全事故的重要保障。

對半導體研發工程師而言，排查的過程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產工藝制程損傷等潛在因素后，若仍未找到癥結，往往需要芯片原廠介入，通過剖片分析深入探究內核。

然而，受限于專業分析設備的缺乏，再加上芯片內部設計涉及機密，工程師難以深入了解其底層構造，這就導致他們在面對原廠出具的分析報告時，常常陷入 “被動接受” 的局面 —— 既無法完全驗證報告的細節，也難以基于自身判斷提出更具針對性的疑問或補充分析方向。 我司自研含微光顯微鏡等設備，獲多所高校、科研院所及企業認可使用，性能佳，廣受贊譽。

致晟光電將熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）與微光顯微鏡 (EMMI) 集成的設備，在維護成本控制上展現出優勢。對于分開的兩臺設備，企業需配備專門人員分別學習兩套系統的維護知識，培訓內容涵蓋不同的機械結構、光學原理、軟件操作，還包括各自的故障診斷邏輯與校準流程，往往需要數月的系統培訓才能確保人員熟練操作，期間產生的培訓費用、時間成本居高不下。而使用一套集成設備只需一套維護體系，維護人員只需掌握一套系統的維護邏輯與操作規范，無需在兩套差異化的設備間切換學習，培訓周期可縮短近一半，大幅降低了培訓方面的人力與資金投入。
我司微光顯微鏡分析 PCB/PCBA 失效元器件周圍光子，可判斷其是否失效及類型位置，提高維修效率、降低成本。微光顯微鏡新款

其低噪聲電纜連接設計，減少信號傳輸過程中的損耗，確保微弱光子信號完整傳遞至探測器。廠家微光顯微鏡選購指南

EMMI 微光顯微鏡作為集成電路失效分析的重要設備，其漏電定位功能對于失效分析工程師而言是不可或缺的工具。在集成電路領域，對芯片的可靠性有著極高的要求。在芯片運行過程中，微小漏電現象較為常見，且在特定條件下，這些微弱的漏電可能會被放大，導致芯片乃至整個控制系統的失效。因此，芯片微漏電現象在集成電路失效分析中占據著至關重要的地位。此外，考慮到大多數集成電路的工作電壓范圍在3.3V至20V之間，工作電流即便是微安或毫安級別的漏電流也足以表明芯片已經出現失效。因此，準確判斷漏流位置對于確定芯片失效的根本原因至關重要。 廠家微光顯微鏡選購指南