這一技術不僅有助于快速定位漏電根源（如特定晶體管的柵氧擊穿、PN結邊緣缺陷等），更能在芯片量產階段實現潛在漏電問題的早期篩查，為采取針對性修復措施（如優化工藝參數、改進封裝設計）提供依據，從而提升芯片的長期可靠性。例如，某批次即將交付的電源管理芯片在出廠前的EMMI抽檢中，發現部分芯片的邊角區域存在持續穩定的微弱光信號。結合芯片的版圖設計與工藝參數分析，確認該區域的NMOS晶體管因柵氧層局部厚度不足導致漏電。技術團隊據此對這批次芯片進行篩選，剔除了存在漏電隱患的產品，有效避免了缺陷芯片流入市場后可能引發的設備功耗異常、發熱甚至燒毀等風險。但歐姆接觸和部分金屬互聯短路時，產生的光子十分微弱，難以被微光顯微鏡偵測到，借助近紅外光進行檢測。。自銷微光顯微鏡工作原理

為了讓客戶對設備品質有更直觀的了解，我們大力支持現場驗貨。您可以親臨我們的實驗室，近距離觀察設備的外觀細節，親身操作查驗設備的運行性能、精度等關鍵指標。每一臺設備都經過嚴格的出廠檢測，我們敢于將品質擺在您眼前，讓您在采購前就能對設備的實際狀況了然于胸，消除后顧之憂。一位來自汽車零部件廠商的客戶分享道：“之前采購設備總擔心實際性能和描述有差距，在致晟光電現場驗貨時，工作人員耐心陪同我們測試，設備的精度和穩定性都超出預期，這下采購心里踏實多了。”微光顯微鏡成像晶體管和二極管短路或漏電時，微光顯微鏡依其光子信號判斷故障類型與位置，利于排查電路故障。

此外，可靠的產品質量是企業贏得客戶信任、鞏固市場份額的基礎。通過微光顯微鏡(EMMI)的嚴格檢測，企業能確保交付給客戶的芯片具備穩定的性能和較高的可靠性，減少因產品故障導致的客戶投訴和返工或者退貨風險。這種對質量的堅守，會逐漸積累成企業的品牌口碑，使客戶在選擇供應商時更傾向于信賴具備完善檢測能力的企業，從而增強企業的市場競爭力。

微光顯微鏡不僅是一種檢測工具，更是半導體企業提升產品質量、加快研發進度、筑牢品牌根基的戰略資產。在全球半導體產業競爭日趨白熱化的當今，配備先進的微光顯微鏡設備，將幫助企業在技術創新與市場爭奪中持續領跑，構筑起難以復制的核心競爭力。

隨著器件尺寸的逐漸變小，MOS器件的溝道長度也逐漸變短。短溝道效應也愈發嚴重。短溝道效應會使得MOS管的漏結存在一個強電場，該電場會對載流子進行加速，同時賦予載流子一個動能，該載流子會造成中性的Si原子被極化，產生同樣帶有能量的電子與空穴對，這種電子與空穴被稱為熱載流子，反映在能帶圖中就是電位更高的電子和電位更低的空穴。一部分熱載流子會在生成后立馬復合，產生波長更短的熒光，另一部分在電場的作用下分離。電子進入柵氧層，影響閾值電壓，空穴進入襯底，產生襯底電流。歸因于短溝道效應能在MOS管的漏端能看到亮點，同樣在反偏PN結處也能產生強場，也能觀察到亮點。電路驗證中出現閂鎖效應及漏電，微光顯微鏡可定位位置，為電路設計優化提供依據，保障系統穩定運行。

OBIRCH與EMMI技術在集成電路失效分析領域中扮演著互補的角色，其主要差異體現在檢測原理及應用領域。具體而言，EMMI技術通過光子檢測手段來精確定位漏電或發光故障點，而OBIRCH技術則依賴于激光誘導電阻變化來識別短路或阻值異常區域。這兩種技術通常被整合于同一檢測系統（即PEM系統）中，其中EMMI技術在探測光子發射類缺陷，如漏電流方面表現出色，而OBIRCH技術則對金屬層遮蔽下的短路現象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術能夠有效檢測未開封芯片中的失效點，而OBIRCH技術則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。微光顯微鏡能檢測半導體器件微小缺陷和失效點，及時發現隱患，保障設備可靠運行、提升通信質量。微光顯微鏡成像

通過與光譜儀聯用，可分析光子的光譜信息，為判斷缺陷類型提供更多依據，增強分析的全面性。自銷微光顯微鏡工作原理

光束誘導電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術常被集成于同一檢測系統，合稱為光發射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。

二者在原理與應用上形成巧妙互補，能夠協同應對集成電路中絕大多數失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術的獨特優勢在于，即便失效點被金屬層覆蓋形成“熱點”，其仍能通過光束照射引發的電阻變化特性實現精細檢測——這恰好彌補了EMMI在金屬遮擋區域光信號捕捉受限的不足。

自銷微光顯微鏡工作原理