主要由PN結的結電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向導電性能將不能很好地體現。反向恢復時間trr：指在規定的負載、正向電流及較大反向瞬態電壓下的反向恢復時間。零偏壓電容CO：指二極管兩端電壓為零時，擴散電容及結電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數的離散性也很大。手冊中給出的參數往往是一個范圍，若測試條件改變，則相應的參數也會發生變化，例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA，而在100°C時IR則變為小于500uA 控制芯片，就選深圳市凱軒業科技，用戶的信賴之選，歡迎新老客戶來電咨詢！天津使用通用二極管

（一）整流橋的原理和介紹整流橋的整流作用是通過二極管的單向導通原理來完成工作的，通俗的來說二極管它是正向導通和反向截止，也就是說，二極管只允許它的正極進正電和負極進負電。二極管只允許電流單向通過，所以將其接入交流電路時它能使電路中的電流只按單向流動。整流器通常由4只二極管組成單相橋式全波整流器和6只二極管組成三相橋式全波整流器（現在很多廠家將其封裝在一個器件上，易于我們使用）。分別使用在單相線路和三相線路的整流。對于單相橋式全波整流器，在整流橋的每個工作周期內，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。天津使用通用二極管凱軒業電子，控制芯片信賴之選。

反向恢復時間 (trr) 是指開關二極管從導通狀態到完全關閉狀態所經過的時間。一般關斷后電子不能瞬間停止，有一定量的反向電流流過。其漏電流越大損耗也越大。還正在開發優化材料或擴散重金屬從而縮短trr，抑制反沖后振蕩（振鈴）的FRD (Fast Recovery Diode) 等產品。trr是指電壓變為反向后，直到電流變為零的時間。trr快速，則可以實現低損耗、高速開關使用穩壓二極管的關鍵是設計好它的電流值。穩壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。

6、放大用二極管用二極管放大，有依靠隧道二極管和體效應二極管那樣的負阻性器件的放大，以及用變容二極管的參量放大。因此，放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應二極管和變容二極管。7、開關用二極管有在小電流下（10mA 程度）使用的邏輯運算和在數百毫安下使用的磁芯激勵用開關二極管。小電流的開關二極管通常有點接觸型和鍵型等二極管，也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、臺面型和平面型二極管。開關二極管的特長是開關速度快。而肖特基型二極管的開關時間特短，因而是理想的開關二極管。2AK 型點接觸為中速開關電路用；2CK 型平面接觸為高速開關電路用；用于開關、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅大電流開關，正向壓降小，速度快、效率高。電源通過控制電路提供，并通過主變壓器的隔離和整流以單片形式提供。凱軒業電子。

6、平面型二極管在半導體單晶片（主要地是 N 型硅單晶片）上，擴散 P 型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在 N 型硅單晶片上但選擇性地擴散一部分而形成的 PN 結。因此，不需要為調整 PN 結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN 結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。 控制芯片原裝選深圳市凱軒業科技有限公司。天津使用通用二極管

廠家直銷，價格優勢，專業設計，深圳市凱軒業電子科技有限公司，歡迎來電。天津使用通用二極管

8、外延型二極管用外延面長的過程制造 PN 結而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變容二極管。9、肖特基二極管基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N 型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與 PN 結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有 40V 左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢復時間 trr 特別地短。因此，能制作開關二極和低壓大電流整流二極管。天津使用通用二極管