電解腐蝕,控制表面質量的一致性電解拋光儀可以通過精確控制電解參數,如電流密度、電壓、電解時間等來保證樣品表面質量的一致性。這對于需要批量處理金相樣品的情況非常重要。在工業質量控制和材料研究中,經常需要對多個相同材料的樣品進行分析。使用電解拋光儀,只要設定好合適的電解參數,就可以確保每個樣品都能獲得相近的表面質量,便于后續的觀察和比較。例如,在對一批鋁合金材料進行金相分析時,通過電解拋光儀可以使每個樣品的表面都達到相同的光潔度標準,從而提高了分析結果的準確性和可靠性。電解拋光腐蝕,電壓、電流隨時間變化的曲線。重慶晶間腐蝕經濟實用
電解拋光腐蝕參考資料
試驗材料 |
電解液配比 |
電壓 |
時間 |
備注 |
銅、銅一鋅合金 |
水 100ml焦磷酸 580g |
1~2v |
10分 |
銅陰極 |
銅和銅基合金 |
蒸餾水:500ml,磷酸(85%)250ml乙醇(95%) 250ml |
18V |
1~5分 |
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青銅 (Sn≤9%) |
水 450ml磷酸(85%) 390ml |
1.5~12V |
1~5分 |
0.1A/ cm2 |
青銅 (Sn≤6%) |
水:330ml 硫酸 90ml磷酸(85%) 580ml |
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鋁和鋁一硅(<2% 合金 |
蒸餾水:140ml,酒精(95%)800ml高氯酸(60%) 60ml |
30~40v |
15~60秒 |
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鋁一合金 |
甲醇(純) 840ml甘油(丙三醇) 125ml |
50~100v |
5~60秒 |
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鋁 |
甲醇(純):950ml, 硝酸(1.40)15ml,高氯酸(60%)50ml |
30~60v |
15~60秒 |
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鋁、銀、鎂 |
蒸餾水:200ml,磷酸(85%)400ml酒精(95%) 380ml |
25~30v |
4~6分 |
鋁陰極 100~1100。F |
晶間腐蝕,腐蝕發生:在腐蝕介質作用下,貧鉻區就會失去耐腐蝕能力,而產生晶間腐蝕,因為晶界鈍態受到破壞,在晶界上析出的碳化鉻周圍貧化鉻區成為陽極區,而碳化鉻和晶粒處于鈍態成為陰極區,在腐蝕介質中晶界與晶粒構成活化 - 鈍化微電池,加速了晶界區的腐蝕。晶間 σ 相析出理論:對于低碳的高鉻、高鉬不銹鋼,在℃內熱處理時,會生成含鉻的相金屬間化合物。在過鈍化電位下,相發生嚴重的腐蝕,其陽極溶解電流急劇上升,可能是相自身的選擇性溶解所致3。相金屬間化合物一般只能在很強的氧化性介質中才能發生溶解,所以檢測這種類型的腐蝕必須使用氧化性很強的的沸騰硝酸,使不銹鋼的腐蝕電位達到過鈍化區。
電解腐蝕,在金相分析中,樣品表面質量至關重要。電解拋光是一種通過電化學作用去除金屬表面微觀不平度的方法。對于一些難以用機械拋光獲得理想表面的金屬材料,如不銹鋼、鎳基合金等,電解拋光儀可以發揮很大的作用。它能夠在短時間內使樣品表面達到很高的光潔度,形成類似鏡面的效果。例如,在觀察不銹鋼金相組織時,機械拋光后的表面可能仍殘留一些細微劃痕,而電解拋光可以有效地消除這些劃痕,使表面更加平整光滑,從而在金相顯微鏡下能夠更清晰地觀察到金相組織的細節,如晶界、相組成等。低倍加熱腐蝕尺寸多樣性,完全可以按照客戶要求定制。
晶間腐蝕,貧化理論:對于奧氏體不銹鋼等合金,在一定條件下,晶界會析出第二相,導致晶界附近某種成分出現貧乏化。以奧氏體不銹鋼為例,具體過程如下:碳化物析出:當溫度升高時,碳在不銹鋼晶粒內部的擴散速度大于鉻的擴散速度。室溫時碳在奧氏體中的溶解度很小,而一般奧氏體不銹鋼中的含碳量均超過此值,多余的碳會不斷地向奧氏體晶粒邊界擴散,并和鉻化合,在晶間形成碳化鉻的化合物,如等。貧鉻區形成:鉻沿晶界擴散的速度比在晶粒內擴散速度快,但由于碳化鉻形成速度較快,內部的鉻來不及向晶界擴散,所以在晶間所形成的碳化鉻所需的鉻主要來自晶界附近,結果使晶界附近的含鉻量大為減少。當晶界的鉻的質量分數低到小于時,就形成 “貧鉻區”。電解拋光腐蝕,電壓、電流范圍大,可同時滿足各種材料的拋光和腐蝕。重慶晶間腐蝕經濟實用
低倍加熱腐蝕樣品托盤可完全取出,清洗容易。重慶晶間腐蝕經濟實用
晶間腐蝕是什么?以晶間腐蝕為起源,在應力和介質的共同作用下,可使不銹鋼、鋁合金等誘發晶間應力腐蝕,所以晶間腐蝕有時是應力腐蝕的先導,在通常腐蝕條件下,鈍化合金組織中的晶界活性不大,但當它具有晶間腐蝕的敏感性時,晶間活性很大,即晶格粒與晶界之間存在著一定的電位差,這主要是合金在受熱不當時,組織發生改變而引起的。所以晶間腐蝕是一種由組織電化學不均勻性引起的局部腐蝕蝕。此外晶界存在雜質時,在一定介質也也會引起晶間腐蝕。重慶晶間腐蝕經濟實用