包裹散熱-穩(wěn)壓IC知識(shí)
?熱棒? 包裝材料
?增強(qiáng)型熱棒QFN，支持熱墊
HotRodTM封裝消除了鍵合線，同時(shí)保持了優(yōu)異的熱性能。
支持小型無源器件的拓?fù)浜碗娐?/span>
?多電平變流器拓?fù)?/span>
?高級(jí)功率級(jí)門驅(qū)動(dòng)器
多級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)更小的磁性。
集成比較大限度地減少寄生并減少系統(tǒng)占用F
?MicroSiP 3D模塊集成
?具有低回路電感的GaN和驅(qū)動(dòng)器多芯片模塊（MCM）
GaN+柵驅(qū)動(dòng)器MCM可減少寄生，提高功率密度。
支持3D集成的MicroSiP軟件包。
Tech-Trekt提供全系列TI穩(wěn)壓IC。
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取消繞組-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
為了幫助很好小化無源濾波的尺寸，針對(duì)高功率密度5至20伏交流/直流適配器的65瓦有源箝位反激式硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管參考設(shè)計(jì)采用了隔離轉(zhuǎn)換器特有的基于消除繞組和屏蔽的方法。如圖15所示，改進(jìn)后的內(nèi)部變壓器結(jié)構(gòu)在內(nèi)部一次和二次層之間插入了一個(gè)額外的輔助繞組層（如黑色所示），用于CM平衡。輔助CM平衡層屏蔽了內(nèi)半初級(jí)到次級(jí)接口，并有助于產(chǎn)生抵消CM電壓，使外半初級(jí)層的CM注入為零。均衡輔助繞組和一次外層到二次層的寄生電容有助于通過從抵消層推送反相CM電流，使從外半初級(jí)層注入二次層的CM電流為零。凈效應(yīng)（流入二次層的CM電流接近于零）減少了CM發(fā)射，明顯幫助設(shè)計(jì)滿足EMI頻譜標(biāo)準(zhǔn)，且CM濾波很好小。
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為減少電源中的電磁干擾而進(jìn)行的省時(shí)、經(jīng)濟(jì)高效的創(chuàng)新-IT穩(wěn)壓IC關(guān)鍵技術(shù)
隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集和互連，減少電磁干擾（EMI）的影響成為越來越重要的系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。
1、什么是EMI？
電磁干擾（EMI）是一種電磁能量，是開關(guān)電流和電壓產(chǎn)生的不良副產(chǎn)品，它來自各種物理現(xiàn)象，并在嚴(yán)格的電磁干擾測(cè)試中表現(xiàn)出來。
2、減少電磁干擾的常規(guī)方法
減少電磁干擾是一項(xiàng)充滿權(quán)衡的努力。減少電磁干擾的傳統(tǒng)方法包括使用大型、昂貴的濾波器或降低開關(guān)轉(zhuǎn)換率，這是一種直接影響效率的技術(shù)。
3、減少電磁干擾的創(chuàng)新
為了實(shí)現(xiàn)開關(guān)電源的所有優(yōu)點(diǎn)，降低EMI技術(shù)必須解決傳統(tǒng)的權(quán)衡問題。這需要針對(duì)低頻和高頻EMI的創(chuàng)造性解決方案，以及精確的建模技術(shù)。
圖8說明了時(shí)域和頻域中的這些參數(shù)。-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
在CISPR 25等標(biāo)準(zhǔn)中，通常會(huì)將fm設(shè)置在9 kHz左右，以優(yōu)化低頻段，但這恰好也在音頻范圍內(nèi)。為了解決這一問題，您可以進(jìn)一步以偽隨機(jī)方式調(diào)制三角調(diào)制，以傳播可聽能量，而不會(huì)對(duì)傳導(dǎo)和輻射EMI性能產(chǎn)生重大影響。下頁的圖9說明了時(shí)域和頻域中的這種調(diào)制模式，這是TPS55165-Q1（同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器）上的一個(gè)功能。
EMI不僅限于單個(gè)頻帶（因此也限于單個(gè)RBW），而是多個(gè)頻帶的事實(shí)帶來了困境，因?yàn)閿U(kuò)頻通常只能針對(duì)單個(gè)頻帶的改進(jìn)。解決這個(gè)問題的一種新方法是一種稱為雙隨機(jī)擴(kuò)頻（DRSS）的數(shù)字?jǐn)U頻技術(shù)。DRS背后的基本原理是疊加兩個(gè)調(diào)制剖面，每個(gè)調(diào)制剖面針對(duì)不同的RBW。有關(guān)更多信息，請(qǐng)參閱應(yīng)用報(bào)告“EMI抑制技術(shù)，雙隨機(jī)擴(kuò)頻”
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取消繞組-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
與非隔離變流器不同，隔離邊界上的額外發(fā)射路徑是隔離變流器***模（CM）EMI的關(guān)鍵原因。下頁的圖14顯示了標(biāo)準(zhǔn)反激變換器中隔離變壓器上存在的寄生電容。CM電流可通過與每個(gè)開關(guān)節(jié)點(diǎn)相關(guān)的寄生電容直接從一次側(cè)流向接地。由于繞組之間的寄生電容，CM電流也從初級(jí)流向次級(jí)，導(dǎo)致測(cè)量的CM EMI增加。按照慣例，您可以通過在輸入功率路徑中使用大型CM扼流圈來衰減這種額外干擾。
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UCC28084穩(wěn)壓IC的說明
UCC38083/4/5/6穩(wěn)壓IC是一系列BiCMOS脈寬調(diào)制（PWM）控制器，用于直流到直流或離線固定頻率電流模式開關(guān)電源。雙輸出級(jí)配置為推拉拓?fù)洹蓚€(gè)輸出都使用切換觸發(fā)器以振蕩器頻率的一半進(jìn)行切換。兩個(gè)輸出之間的死區(qū)時(shí)間通常為110ns，將每個(gè)輸出的占空比限制在50%以下。
UCC38083穩(wěn)壓IC和UCC38085穩(wěn)壓IC設(shè)備的開啟/關(guān)閉閾值為12.5 V/8.3 V，而UCC38084穩(wěn)壓IC和UCC38086穩(wěn)壓IC的開啟/關(guān)閉閾值為4.3 V/4.1 V。每個(gè)設(shè)備均采用8針TSSOP（PW）、8針SOIC（D）和8針PDIP（P）封裝。
UC3867NG4穩(wěn)壓IC
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