降低低頻和高頻范圍內(nèi)電磁干擾的常規(guī)方法2-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
另一種緩解EMI的傳統(tǒng)方法是使用擴(kuò)頻(或時(shí)鐘抖動(dòng))來(lái)調(diào)制開關(guān)電源的開關(guān)頻率,這將減少與基本開關(guān)頻率及其諧波相關(guān)的頻譜峰值,但以增加噪聲地板為代價(jià),如圖5所示。
擴(kuò)頻技術(shù)是一種很有吸引力的技術(shù),因?yàn)樗子趯?shí)現(xiàn),而且您可以將其與其他EMI降低方法結(jié)合使用。然而,它并不是***的,因?yàn)樗荒芟鄬?duì)減少現(xiàn)有的電磁干擾,而且本質(zhì)上,它的性能隨著開關(guān)頻率的降低而降低。此外,您傳統(tǒng)上只能將擴(kuò)頻應(yīng)用于單個(gè)頻帶,原因我們將在下一節(jié)中探討。
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為減少電源中的電磁干擾而進(jìn)行的省時(shí)、經(jīng)濟(jì)高效的創(chuàng)新-IT穩(wěn)壓IC關(guān)鍵技術(shù)
隨著電子系統(tǒng)變得越來(lái)越密集和互連,減少電磁干擾(EMI)的影響成為越來(lái)越重要的系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。
1、什么是EMI?
電磁干擾(EMI)是一種電磁能量,是開關(guān)電流和電壓產(chǎn)生的不良副產(chǎn)品,它來(lái)自各種物理現(xiàn)象,并在嚴(yán)格的電磁干擾測(cè)試中表現(xiàn)出來(lái)。
2、減少電磁干擾的常規(guī)方法
減少電磁干擾是一項(xiàng)充滿權(quán)衡的努力。減少電磁干擾的傳統(tǒng)方法包括使用大型、昂貴的濾波器或降低開關(guān)轉(zhuǎn)換率,這是一種直接影響效率的技術(shù)。
3、減少電磁干擾的創(chuàng)新
為了實(shí)現(xiàn)開關(guān)電源的所有優(yōu)點(diǎn),降低EMI技術(shù)必須解決傳統(tǒng)的權(quán)衡問(wèn)題。這需要針對(duì)低頻和高頻EMI的創(chuàng)造性解決方案,以及精確的建模技術(shù)。
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直流/直流負(fù)載點(diǎn)解決方案解決了規(guī)模、效率、性能或成本問(wèn)題約束條件。我們的解決方案范圍從分立器件到集成電源解決方案,集成電路封裝中包含磁性。由于工作電壓高達(dá)100V,TI的寬VIN產(chǎn)品組合消除了輸入保護(hù)組件,以降低成本和解決方案尺寸。降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器-集成MOSFET技術(shù)-穩(wěn)壓IC在過(guò)去幾年中達(dá)到了較高的密度,以在較小的封裝中提供更高的效率。
TI的DC/DC轉(zhuǎn)換器提供了許多高達(dá)30A的引人注目的解決方案。
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取消繞組-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
為了幫助很好小化無(wú)源濾波的尺寸,針對(duì)高功率密度5至20伏交流/直流適配器的65瓦有源箝位反激式硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管參考設(shè)計(jì)采用了隔離轉(zhuǎn)換器特有的基于消除繞組和屏蔽的方法。如圖15所示,改進(jìn)后的內(nèi)部變壓器結(jié)構(gòu)在內(nèi)部一次和二次層之間插入了一個(gè)額外的輔助繞組層(如黑色所示),用于CM平衡。輔助CM平衡層屏蔽了內(nèi)半初級(jí)到次級(jí)接口,并有助于產(chǎn)生抵消CM電壓,使外半初級(jí)層的CM注入為零。均衡輔助繞組和一次外層到二次層的寄生電容有助于通過(guò)從抵消層推送反相CM電流,使從外半初級(jí)層注入二次層的CM電流為零。凈效應(yīng)(流入二次層的CM電流接近于零)減少了CM發(fā)射,明顯幫助設(shè)計(jì)滿足EMI頻譜標(biāo)準(zhǔn),且CM濾波很好小。
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增強(qiáng)型熱棒? QFN公司
增強(qiáng)型HotRod quad flat no lead(QFN)封裝提供了HotRod封裝的所有EMI降低功能,并具有更低開關(guān)節(jié)點(diǎn)電容的額外優(yōu)勢(shì),從而大降低了振鈴。在具有增強(qiáng)型熱棒QFN的設(shè)備中,寄生在輸入電壓(VIN)和接地(GND)引腳上的電阻-導(dǎo)體-電容器(RLC)也較低
與HotRod軟件包相比。
LM60440-Q1降壓轉(zhuǎn)換器采用增強(qiáng)型熱棒QFN,下頁(yè)圖18顯示了引腳和電路板布局。增強(qiáng)型HotRod QFN不僅提高了效率,還包括封裝中心有一個(gè)大型模具連接墊(DAP)的封裝外形。與熱棒封裝相比,DAP有助于通過(guò)PCB更好地散熱,并將結(jié)溫升高降低15%以上。此外,VIN、GND和開關(guān)節(jié)點(diǎn)引腳上較低的RLC寄生也會(huì)提高效率并降低EMI。正如預(yù)期的那樣,這會(huì)產(chǎn)生更好的EMI,尤其是在交換機(jī)節(jié)點(diǎn)振鈴頻帶周圍
如下圖19所示。
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