江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其低損耗特性成為半導體加工領域的理想選擇。其獨特的多孔顯微組織調控技術，使得砂輪在高磨削效率的同時，磨耗比極低。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，6吋SiC線割片的磨耗比只為15%，而8吋SiC線割片的磨耗比也只為35%。這意味著在長時間的加工過程中，砂輪的磨損極小，使用壽命更長，為客戶節省了大量的成本。低損耗不只體現在砂輪本身的使用壽命上，還體現在加工后的晶圓表面質量上，損傷極小，進一步提升了產品的性價比，助力優普納在國產化替代進程中占據優勢。優普納碳化硅晶圓減薄砂輪，以技術創新為主，不斷突破性能瓶頸，為國產半導體材料加工提供有力支持。半導體磨削砂輪制程工藝

江蘇優普納碳化硅減薄砂輪憑借超細金剛石磨粒與高自銳性設計，在第三代半導體晶圓加工中實現低損傷、低粗糙度的行業突破。以DISCO-DFG8640設備為例，精磨8吋SiC線割片時，砂輪磨耗比達200%，表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度≤2μm，完全滿足5G芯片、功率器件對晶圓平整度的嚴苛要求。對比進口砂輪，優普納產品在相同加工條件下可減少磨削熱損傷30%，明顯提升晶圓良率，尤其適用于新能源汽車電驅模塊等高附加值領域。歡迎您的隨時致電咨詢。Dmix+砂輪報價基體優化設計的優普納砂輪，減少振動，增強冷卻液流動，提升加工效率與質量，適配不同設備，展現強適配性。

針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其高精度加工能力成為第三代半導體材料加工的理想選擇。其專研的強度高微晶增韌陶瓷結合劑和多孔顯微組織調控技術，賦予了砂輪優越的穩定性，能夠有效減少振動，確保加工后的晶圓表面粗糙度極低。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，6吋和8吋SiC線割片的加工結果顯示，表面粗糙度Ra值和總厚度變化TTV均達到了行業先進水平。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，也為優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場奠定了堅實的基礎，助力其品牌形象進一步鞏固。砂輪于東京精密-HRG200X減薄機上，使8吋SiC線割片磨耗比達300% Ra≤3nm TTV≤2μm 彰顯高精度與高磨耗比優勢。

在半導體加工領域，精度和效率是關鍵。江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，通過其超細金剛石磨粒和超高自銳性，實現了高磨削效率和低損傷的完美平衡。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，6吋和8吋SiC線割片的加工結果顯示，表面粗糙度Ra值和總厚度變化TTV均達到了行業先進水平。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，還為客戶節省了大量時間和成本，助力優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場中占據重要地位。通過多孔顯微組織調控技術，砂輪在DISCO-DFG8640減薄機上加工8吋SiC線割片 磨耗比30%，Ra≤30nm TTV≤3μm。砂輪更換周期

從材料特性到設備適配，優普納砂輪提供全方面解決方案，確保加工過程的高效性和穩定性。半導體磨削砂輪制程工藝

江蘇優普納科技有限公司：強度高微晶增韌陶瓷結合劑通過優化陶瓷相分布，提升砂輪抗沖擊性，減少磨粒脫落；多孔顯微組織調控技術增強冷卻液滲透效率，降低磨削熱損傷。兩項技術結合使砂輪壽命延長30%，磨削效率提升25%，尤其適用于高硬度SiC晶圓加工。實際案例顯示，在DISCO-DFG8640設備上，8吋晶圓精磨磨耗比達200%，遠優于行業平均水平。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。半導體磨削砂輪制程工藝