在全球市場競爭日益激烈的背景下，江蘇優普納科技有限公司始終堅持以客戶為中心，不斷提升產品質量和服務水平。我們的襯底粗磨減薄砂輪已經在國內外的半導體制造企業中得到了廣泛應用和認可。未來，我們將繼續加大研發投入和技術創新力度，為客戶提供更加品質高、高效的砂輪產品和服務，推動半導體行業的持續發展和進步。同時，我們也期待與更多的合作伙伴攜手共進，共同開創半導體制造領域的美好未來。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。優普納碳化硅晶圓減薄砂輪，以高精度、低損耗，成為國產碳化硅減薄砂輪市場的先行者 推動產業技術升級。超精密砂輪特點

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其優越的低損耗特性，為客戶節省了大量的成本。其獨特的多孔顯微組織調控技術，使得砂輪在高磨削效率的同時，磨耗比極低。在實際應用中，6吋SiC線割片的磨耗比只為15%，而8吋SiC線割片的磨耗比也只為35%。這意味著在長時間的加工過程中，砂輪的磨損極小，使用壽命更長。低損耗不只體現在砂輪本身的使用壽命上，還體現在加工后的晶圓表面質量上，損傷極小，進一步提升了產品的性價比，助力優普納在國產化替代進程中占據優勢。SiC砂輪訂做價格砂輪于東京精密-HRG200X減薄機上，使8吋SiC線割片磨耗比達300% Ra≤3nm TTV≤2μm 彰顯高精度與高磨耗比優勢。

針對不同磨床特性，優普納提供基體優化設計服務，通過調整砂輪結構（如孔徑、厚度、溝槽）增強與設備的匹配度。例如，為適配DISCO-DFG8640高速減薄機，優普納開發了增強型冷卻流道砂輪，使8吋SiC晶圓加工效率提升25%，磨耗比控制在30%以內?？蛻艨筛鶕陨碓O備型號、晶圓尺寸（4吋/6吋/8吋）及工藝階段（粗磨/精磨）靈活選擇砂輪方案，實現“一機一策”的精確適配。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。

在科技日新月異的當下，非球面微粉砂輪行業的技術創新浪潮洶涌澎湃，江蘇優普納科技有限公司始終勇立潮頭。在結合劑技術創新方面，公司取得了重大突破。例如，研發出一種新型復合結合劑，融合了樹脂結合劑的良好自銳性與金屬結合劑的高剛性。這種結合劑在保證磨粒牢固把持的同時，極大地提升了砂輪的自銳性能，使砂輪在磨削過程中能始終保持高效切削狀態，大幅提高了加工效率與表面質量。在磨粒制備技術上，優普納針對不同光學材料的加工特性，開發出一系列定制化磨粒。對于硬度較高的光學玻璃材料，通過優化金剛石微粉磨粒的粒徑、形狀及表面處理工藝，使其在磨削時能更高效地切入材料，降低磨削力，減少工件表面損傷風險。此外，在砂輪制造工藝上，引入先進的自動化生產設備與高精度檢測技術。自動化設備實現了對砂輪制造過程的精確控制，從磨粒與結合劑的混合比例到砂輪成型的每一個環節，都能確保高度一致性；高精度檢測技術則對砂輪的各項性能指標進行實時監測，保證每一片出廠的砂輪都具備穩定且優越的性能，持續推動非球面微粉砂輪技術邁向新高度，為行業發展注入源源不斷的活力。碳化硅晶圓減薄砂輪超細金剛石磨粒與超高自銳性結合，實現高磨削效率與低損傷 表面粗糙度Ra≤3nm TTV≤2μm。

針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。在東京精密-HRG200X減薄機上，優普納砂輪對8吋SiC線割片進行精磨，磨耗比300%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。深圳砂輪型號

優普納科技以技術創新為驅動，不斷優化碳化硅晶圓減薄砂輪的性能，助力國產半導體材料加工邁向新高度。超精密砂輪特點

江蘇優普納科技有限公司的強度高微晶增韌陶瓷結合劑通過納米級陶瓷相復合技術，明顯提升砂輪抗沖擊性與耐磨性。在6吋SiC襯底粗磨中，砂輪磨耗比低至11%，且無邊緣崩缺現象，TTV精度穩定≤3μm。該技術尤其適用于碳化硅等高硬度材料加工，對比傳統樹脂結合劑砂輪，壽命延長50%，減少設備停機換輪頻率，助力客戶實現連續化生產。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。超精密砂輪特點