在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時，Polos 光刻機的亞微米級定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復制。某光電實驗室使用該設備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%。基于此模板生產的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應用于下一代折疊屏手機，相關技術已授權給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。技術Benchmark：Polos-μPrinter 入選《半導體技術》年度創新產品，推動無掩模光刻技術普及。江蘇光刻機分辨率1.5微米

在tumor轉移機制研究中，某tumor研究中心利用 Polos 光刻機構建了仿生tumor微環境芯片。通過無掩模激光光刻技術，在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網絡與間質纖維化結構，其中血管直徑可精確控制在 10-50μm。實驗顯示，該芯片模擬的tumor微環境中，tumor細胞遷移速度較傳統二維培養提升 2.3 倍，且化療藥物滲透效率降低 40%，與臨床數據高度吻合。該團隊通過軟件實時調整通道曲率和細胞外基質密度，成功復現了tumor細胞上皮 - 間質轉化（EMT）過程，相關成果發表于《Cancer Research》，并被用于新型抗轉移藥物的篩選平臺開發。黑龍江德國POLOS桌面無掩模光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模圖案靈活性：支持 STL 模型直接導入，30 分鐘完成從設計到曝光全流程。

Polos光刻機在微機械加工中表現outstanding。其亞微米分辨率可制造80 μm直徑的開環諧振器和2 μm叉指電極，適用于傳感器與執行器開發。結合雙光子聚合技術（如Nanoscribe系統），用戶還能擴展至3D微納結構打印，為微型機器人及光學元件提供多尺度制造方案。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。

SPS POLOS μ以緊湊的桌面設計降低實驗室設備投入，光束引擎通過壓電驅動實現高速掃描（單次寫入400 μm區域）。支持AZ5214E等光刻膠的高效曝光，成功制備3 μm間距微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速驗證。其無掩模特性進一步減少材料浪費，為中小型實驗室提供經濟解決方案62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。跨學科應用：覆蓋微機械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領域。

德國 Polos 光刻機系列的一大突出優勢，便是能夠輕松輸入任意圖案進行曝光。在科研工作中，創新的設計理念往往需要快速驗證，而 Polos 光刻機正滿足了這一需求。科研人員無需花費大量時間和成本制作掩模，只需將設計圖案導入系統，就能迅速開始光刻作業。? 在生物醫學工程領域，研究人員利用這一特性，快速制作出具有特殊結構的生物芯片，用于疾病診斷和藥物篩選。在材料科學研究中，可根據不同材料特性，定制獨特的圖案結構，探索材料的新性能。這種靈活的圖案輸入方式，remarkable縮短了科研周期，加速科研成果的產出，讓科研人員能夠將更多精力投入到創新研究中。電子學應用：2μm 線寬光刻能力，第三代半導體器件研發效率提升 3 倍。江蘇德國BEAM光刻機

多材料兼容：金屬 / 聚合物 / 陶瓷同步加工，微流控芯片集成傳感器一步成型。江蘇光刻機分辨率1.5微米

Polos-BESM在電子器件原型開發中展現高效性。例如，其軟件支持GDS文件直接導入，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團隊利用同類設備成功制備了高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯網硬件中的潛力。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。江蘇光刻機分辨率1.5微米