到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括富士、英飛凌、利特弗斯、三菱、安半導體、意法半導體、Rohm、東芝和Wolfspeed。Wolfspeed是CREE的一部分。電力電子在世界電力基礎設施中發揮著關鍵作用。該技術用于工業（電機驅動）、交通（汽車、火車）、計算（電源）和可再生能源（太陽能、風能）。電力電子設備在系統中轉換或轉換交流電和直流電（AC和DC）。對于這些應用，行業使用各種功率半導體。一些半功率晶體管是晶體管，在系統中用作開關。它們允許電源在“開啟”狀態動，并在“關閉”狀態下停止。目前商用碳化硅外延設備生長速率一般為每小時10μm，且不能持續生長。遼寧進口碳化硅襯底

碳化硅（SiC）又叫金剛砂，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見，主要通過人工合成。按晶體結構的不同分類，碳化硅可分為兩大類：αSiC和βSiC。在熱力學方面，碳化硅硬度在20℃時高達莫氏9.2-9.3，是硬的物質之一，可以用于切割紅寶石；導熱率超過金屬銅，是Si的3倍、GaAs的8-10倍，且其熱穩定性高，在常壓下不可能被熔化；在電化學方面，碳化硅具有寬禁帶、耐擊穿的特點，其禁帶寬度是Si的3倍，擊穿電場為Si的10倍；且其耐腐蝕性極強，在常溫下可以免疫目前已知的所有腐蝕劑。進口led碳化硅襯底4寸碳化硅已成為全球半導體產業的前沿和制高點。

碳化硅耐高溫，與強酸、強堿均不起反應，導電導熱性好，具有很強的抗輻射能力。用碳化硅粉直接升華法可制得大體積和大面積碳化硅單晶。用碳化硅單晶可生產綠色或藍色發光二極管、場效應晶體管，雙極型晶體管。用碳化硅纖維可制成雷達吸波材料，在***工業中前景廣闊。碳化硅超精細微粉是生產碳化硅陶瓷的理想材料。碳化硅陶瓷具有優良的常溫力學性能，如高的抗彎強度，優良的抗氧化性，耐腐蝕性，非常高的抗磨損以及低的磨擦系數，而且高溫力學性能（強度、抗蠕變性等）是已知陶瓷材料中比較好的材料，如晶須補強可改善碳化硅的韌性和強度。

碳化硅被譽為下一代半導體材料，因為其具有眾多優異的物理化學特性，被廣泛應用于光電器件、高頻大功率、高溫電子器件。本文闡述了SiC研究進展及應用前景，從光學性質、電學性質、熱穩定性、化學性質、硬度和耐磨性、摻雜物六個方面介紹了SiC的性能。SiC有高的硬度與熱穩定性,穩定的結構,大的禁帶寬度 ,高的熱導率,優異的電學性能。同時介紹了SiC的制備方法：物***相沉積法和化學氣相沉積法，以及SiC薄膜表征手段。包括X射線衍射譜、傅里葉紅外光譜、拉曼光譜、X射線光電子能譜等。***講了SiC的光學性能和電學性能以及參雜SiC薄膜的光學性能研究進展。碳化硅可在超過200℃的高溫下長期穩定地工作，因此，相比于硅，碳化硅方案可以大量縮減冷卻負擔。

碳化硅襯底主要有導電型及半絕緣型兩種。其中，在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅外延片，可進一步制成碳化硅功率器件，應用于新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智能電網、航空航天等領域；在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層可以制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成微波射頻器件，應用于5G通訊、雷達等領域。中國碳化硅襯底領域的研究從20世紀90年代末開始，在行業發展初期受到技術水平、設備規模產能的限制，未能進入工業化生產。21世紀，中國企業歷經20年的研發與摸索，已經掌握了2-6英寸碳化硅襯底的生產加工技術。碳化硅的硬度很大，具有優良的導熱和導電性能，高溫時能抗氧化。蘇州碳化硅襯底4寸導電

碳化硅材料的重要用途還包括：微波器件襯底、石墨烯外延襯底。遼寧進口碳化硅襯底

功率半導體是大國重器，必將獲得國家戰略性支持。  功率半導體產業是高鐵、汽車、光伏、電網輸電等應用的上游**零部件。 功率半導體國產化是我國實現集成電路產業自主可控的關鍵環節。功率半導體必將獲得國家大基金及地方產業基金的持續戰略性支持。經過5-10年的發展，我國將出現一兩家企業躋身國際功率半導體產業一線梯隊。歐美日三地把控高端市場，中低端市場大陸廠商替代率穩步上升IGBT 及中高壓MOSFET 市場主要由歐美日三地企業把控，二極管、晶閘管、中低壓MOSFET 等市場國內企業在逐步蠶食海外廠商市場份額，進口替代率穩步上升。遼寧進口碳化硅襯底