半絕緣型碳化硅襯底主要應用于制造氮化鎵射頻器件。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成氮化鎵射頻器件；導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件。與傳統硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需在導電型襯底上生長碳化硅外延層得到碳化硅外延片，并在外延層上制造各類功率器件。大尺寸碳化硅襯底有助于實現降本增效，已成主流發展趨勢。襯底尺寸越大，單位襯底可生產更多的芯片，因而單位芯片成本越低，同時邊緣浪費的減少將進一步降低芯片生產成本。目前業內企業量產的碳化硅襯底主要以4英寸和6英寸為主，在半絕緣型碳化硅市場，目前襯底規格以4英寸為主；而在導電型碳化硅市場，目前主流的襯底產品規格為6英寸。國際巨頭CREE、II-VI以及國內的爍科晶體都已成功研發8英寸襯底產品。 碳化硅(SIC)是半導體界公認的“一種未來的材料”。北京碳化硅襯底進口4寸sic

設備制造商之間的一場大戰正在牽引逆變器領域展開，尤其是純電池電動汽車。一般來說，混合動力車正朝著48伏電池的方向發展。對于動力發明家來說，SiC對于混合動力車來說通常太貴了，盡管有例外。與混合動力一樣，純電池電動汽車由牽引逆變器組成。高壓母線將逆變器連接到蓄電池和電機。電池為汽車提供能量。驅動車輛的電機有三個接頭或電線。這三個連接延伸至牽引逆變器，然后連接至逆變器模塊內的六個開關。每個開關實際上都是一個功率半導體，在系統中用作電開關。對于開關，現有的技術是IGBT。因此，牽引逆變器可能由六個額定電壓為1200伏的IGBT組成。杭州碳化硅襯底進口6寸n型在現已開發的寬禁帶半導體中,碳化硅(SiC)半導體材料是研究**為成熟的一種。

碳化硅早在1842年就被發現了，但直到1955年，飛利浦（荷蘭）實驗室的Lely才開發出生長***碳化硅晶體材料的方法。到了1987年，商業化生產的SiC襯底進入市場，進入21世紀后，SiC襯底的商業應用才算***鋪開。碳化硅分為立方相（閃鋅礦結構）、六方相（纖鋅礦結構）和菱方相3大類共260多種結構，目前只有六方相中的4H-SiC、6H-SiC才有商業價值，美國科銳（Cree）等公司已經批量生產這類襯底。立方相（3C-SiC）還不能獲得有商業價值的成品。

碳化硅（SiC）又叫金剛砂，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見，主要通過人工合成。按晶體結構的不同分類，碳化硅可分為兩大類：αSiC和βSiC。在熱力學方面，碳化硅硬度在20℃時高達莫氏9.2-9.3，是硬的物質之一，可以用于切割紅寶石；導熱率超過金屬銅，是Si的3倍、GaAs的8-10倍，且其熱穩定性高，在常壓下不可能被熔化；在電化學方面，碳化硅具有寬禁帶、耐擊穿的特點，其禁帶寬度是Si的3倍，擊穿電場為Si的10倍；且其耐腐蝕性極強，在常溫下可以免疫目前已知的所有腐蝕劑。碳化硅材料的重要用途還包括：微波器件襯底、石墨烯外延襯底、人工鉆石。

N型碳化硅襯底材料是支撐電力電子行業發展必不可少的重要材料。其耐高壓、耐高頻等突出的物理特性可以廣泛應用于大功率高頻電子器件、電動汽車PCU、光伏逆變、軌道交通電力控制系統等領域，起到減小體積簡化系統，提升功率密度的作用，發光二極管（LED）是利用半導體中電子與空穴復合發光的一種電子元器件，是一種節能環保的冷光源。SiC材料具有與GaN晶格失配小、熱導率高、器件尺寸小、抗靜電能力強、可靠性高等優點是GaN系外延材料的理想襯底，由于其良好的熱導率，解決了功率型GaN-LED器件的散熱問題，特別適合制備大功率的半導體照明用LED，這樣提高了出光效率，又能有效的降低能耗。碳化硅半導體完整產業鏈條包括：碳化硅原料-晶錠-襯底-外延-芯片-器件-模塊。廣州碳化硅襯底進口4寸n型

碳化硅作襯底的LED器件亮度更高、能耗更低、壽命更長、單位芯片面積更小。北京碳化硅襯底進口4寸sic

PVT法和HTCVD法生長碳化硅晶體原理圖。兩者都可以用于生長4H-SiC碳化硅晶片，HTCVD更像是PVT的“加強版”。PVT法的優勢在于相對簡單易控制，市場占有率高，生長n型導電晶片很成熟。其劣勢是p型導電和高阻半絕緣型晶片生長成本高，不能生長高質量的高純半絕緣晶片。HTCVD法的優勢是可以生長導電型（n、p）和高純半絕緣晶片，可以控制摻雜濃度，使晶片中載流子濃度在3×1013～5×1019/cm3之間可調。其劣勢是技術門檻高，市場占有率低。北京碳化硅襯底進口4寸sic