功率半成品在成熟節點上制造。這些設備旨在提高系統的效率并將能量損失降至比較低。通常，它們的額定值是由電壓和其他規格決定的，而不是由工藝幾何形狀決定的。多年來，占主導地位的功率半技術一直（現在仍然）基于硅，即功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。功率MOSFET被認為是低價、當下流行的器件，用于適配器、電源和其他產品中。它們用于高達900伏的應用中。在傳統的MOSFET器件中，源極和漏極位于器件的頂部。相比之下，功率MOSFET具有垂直結構，其中源極和漏極位于器件的相對側。垂直結構使設備能夠處理更高的電壓。6H-SiC結構**為穩定，適用于制造光電子器件。山東碳化硅襯底進口sic

SiC由Si原子和C原子組成，其晶體結構具有同質多型體的特點，在半導體領域最常見的是具有立方閃鋅礦結構的3C-SiC和六方纖鋅礦結構的4H-SiC和6H-SiC。21世紀以來以Si為基本材料的微電子機械系統(MEMS)已有長足的發展，隨著MEMS應用領域的不斷擴展，Si材料本身的性能局限性制約了Si基MEMS在高溫、高頻、強輻射及化學腐蝕等極端條件下的應用。因此尋找Si的新型替代材料正日益受到重視。在眾多半導體材料中，SiC的機械強度、熱學性能、抗腐蝕性、耐磨性等方面具有明顯的優勢，且與IC工藝兼容，故而在極端條件的MEMS應用中，成為Si的優先替代材料。河北碳化硅襯底4寸SIC禁帶寬度較大，具有熱傳導率高、耐高溫、抗腐蝕、化學穩定性高等特點。

PVT法和HTCVD法生長碳化硅晶體原理圖。兩者都可以用于生長4H-SiC碳化硅晶片，HTCVD更像是PVT的“加強版”。PVT法的優勢在于相對簡單易控制，市場占有率高，生長n型導電晶片很成熟。其劣勢是p型導電和高阻半絕緣型晶片生長成本高，不能生長高質量的高純半絕緣晶片。HTCVD法的優勢是可以生長導電型（n、p）和高純半絕緣晶片，可以控制摻雜濃度，使晶片中載流子濃度在3×1013～5×1019/cm3之間可調。其劣勢是技術門檻高，市場占有率低。

    碳化硅襯底材料是新的一代半導體材料，其應用領域具有較強的戰略意義。中國正逐步成長為全球寬禁帶半導體材料生產的主要競爭市場之一。碳化硅襯底短期內依然會面臨制備難度大、成本高昂的挑戰，目前碳化硅功率器件的價格仍數倍于硅基器件，下游應用領域仍需平衡碳化硅器件的高價格與因碳化硅器件的優越性能帶來的綜合成本下降之間的關系。碳化硅半導體主要應用于以5G通信、**、航空航天為的射頻領域和以新能源汽車、“新基建”為的電力電子領域，在民用、領域均具有明確且可觀的市場前景作者：見微數據鏈接：源：雪球著作權歸作者所有。商業轉載請聯系作者獲得授權，非商業轉載請注明出處。風險提示：本文所提到的觀點只個人的意見，所涉及標的不作推薦，據此買賣，風險自負。 碳化硅可在超過200℃的高溫下長期穩定地工作，因此，相比于硅，碳化硅方案可以大量縮減冷卻負擔。

因此，對于牽引逆變器，從IGBT轉移到SiCMOSFET是有意義的。但這并不是那么簡單，因為成本在等式中起著重要作用。然而，特斯拉已經采取了冒險行動。該公司在其型號3中使用了意法半導體公司的SiCMOSFET，并補充說特斯拉也在使用其他供應商。其他汽車制造商也在探索這項技術，盡管出于成本考慮，大多數原始設備制造商并未加入這一行列。不過，有幾種方法可以實現從IGBT到SiCMOSFET的切換。根據Rohm的說法，有兩種選擇：?將IGBT保留在系統中，但將硅二極管更換為SiC二極管。?用SiC基MOSFET和二極管替換硅基IGBT和二極管。SiC襯底吸收380納米以下的紫外光，不適合用來研發380納米以下的紫外LED。浙江碳化硅襯底進口導電

碳化硅材料的重要用途還包括：微波器件襯底、石墨烯外延襯底。山東碳化硅襯底進口sic

隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領域的爆發，了對第三代半導體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求，國內眾多企業紛紛通過加強技術研發與資本投入布局碳化硅產業，我們首先來探討一下碳化硅襯底的國產化進程。碳化硅分為立方相（閃鋅礦結構）、六方相（纖鋅礦結構）和菱方相3大類共 260多種結構，目前只有六方相中的 4H-SiC、6H-SiC才有商業價值。另碳化硅根據電學性能的不同主要可分為高電阻（電阻率 ≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底和低電阻（電阻率區間為 15~30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底，滿足不同功能芯片需求山東碳化硅襯底進口sic