目前已出現了另一種碳化硅晶體生長方法，即采用高溫化學氣相沉積方法（HTCVD）。它是用氣態的高純碳源和硅源，在2 200℃左右合成碳化硅分子，然后在籽晶上凝聚生長，生長速率一般為0.5～1mm/h左右，略高于PVT法，也有研究機構可做到2mm/h的生長速率。氣態的高純碳源和硅源比高純SiC粉末更容易獲得，成本更低。由于氣態源幾乎沒有雜質，因此，如果生長時不加入n型摻雜劑或p型摻雜劑，生長出的4H-SiC就是高純半絕緣（HPSI）半導體。HPSI與SI是有區別的，前者載流子濃度3.5×1013～8×1015/cm3范圍，具有較高的電子遷移率；后者同時進行n、p補償，是高阻材料，電阻率很高，一般用于微波器件襯底，不導電。如果要生長n型摻雜或p型摻雜的4H-SiC也非常好控制，只要分別通入氮或者硼的氣態源就可以實現，而且通過控制通入的氮或者硼的流量，就可以控制碳化硅晶體的導電強弱。目前瑞典的Norstel AB公司采用HTCVD商業化生產碳化硅襯底材料（n型、p型、H P S I型），它采用瑞典林雪平大學的生長技術，目前已有4英寸H P S I型4H - S i C襯底出售碳化硅由于其獨特的物理及電子特性，在一些應用上成為短波長光電元件，高溫，抗幅射以及高頻大功率元件。浙江碳化硅襯底4寸導電

碳化硅（SIC）是半導體界公認的“一種未來的材料”，是新世紀有廣闊發展潛力的新型半導體材料。預計在今后5～10年將會快速發展和有***成果出現。促使碳化硅發展的主要因素是硅（SI）材料的負載量已到達極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。根據數據顯示，碳化硅 (SiC)電力電子市場是具體而實在，且發展前景良好。這種趨勢非但不會改變，碳化硅行業還會進一步向前發展。用戶正在嘗試碳化硅技術，以應用于具體且具有發展前景的項目。蘇州碳化硅襯底進口n型碳化硅被譽為下一代半導體材料，其具有眾多優異的物理化學特性應用于光電器件、高頻大功率、高溫電子器件。

       采用碳化硅作襯底的LED器件亮度更高、能耗更低、壽命更長、單位芯片面積更小，且在大功率LED方面具有非常大的優勢。此外，碳化硅除了用作LED襯底，它還可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如肖特基二極管（SBD/JBS）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、晶閘管（GTO）、金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）等，用于智能電網、太陽能并網、電動汽車等行業。與傳統硅基功率電力電子器件相比，碳化硅基功率器件可以**降低能耗，節約電力。比如一臺35kW的太陽能光伏并網逆變器，全部使用硅器件，能耗可達2.8kW，轉換效率為92%，全部換成碳化硅的器件后，能耗可低至1.4kW，約為硅逆變器的50%，轉換效率上升4%，為96%，一座30MW的太陽能發電站，全部使用碳化硅功率器件后可節約大量電能，節能效果十分***。碳化硅可在超過200℃的高溫下長期穩定地工作，因此，相比于硅，碳化硅方案可以大量縮減冷卻負擔，實現系統的小型化和一體化。碳化硅基電力電子器件已經應用于新一代航空母艦的電磁彈射系統，大幅度提高了艦載機起降效率，增強了航母作戰性能。

碳化硅耐高溫，與強酸、強堿均不起反應，導電導熱性好，具有很強的抗輻射能力。用碳化硅粉直接升華法可制得大體積和大面積碳化硅單晶。用碳化硅單晶可生產綠色或藍色發光二極管、場效應晶體管，雙極型晶體管。用碳化硅纖維可制成雷達吸波材料，在***工業中前景廣闊。碳化硅超精細微粉是生產碳化硅陶瓷的理想材料。碳化硅陶瓷具有優良的常溫力學性能，如高的抗彎強度，優良的抗氧化性，耐腐蝕性，非常高的抗磨損以及低的磨擦系數，而且高溫力學性能（強度、抗蠕變性等）是已知陶瓷材料中比較好的材料，如晶須補強可改善碳化硅的韌性和強度。

由于碳化硅優異的理化性能，使其在石油、化工、微電子、汽車、航天航空、激光、原子能、機械、冶金行業中***得到應用。如砂輪、噴咀、軸承、密封件、燃氣輪機動靜葉片，反射屏基片，發動機部件，耐火材料等。 SiC作為第三代半導體材料的杰出**由于其特有的物理化學特性成為制作高頻、大功率、高溫器件的理想材料。

目前以SiC碳化硅為**的第三代半導體具有禁帶寬、熱導率高，擊穿場強高，飽和電子漂移速率高，化學性能穩定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優點，可***用于制造高溫，高頻，高功率，抗輻射，大功率和高密集集成電子器件，用SiC碳化硅襯底開發的電力電子器件（SBD、MOSFET、IGBT、BJT、JFET等）用在輸變電、風力發電、太陽能、混合動力汽車等電力電子領域，降低電力損失，減少發熱量，高溫工作，提高效率，增加可靠性等優點SiC單晶生長經歷了3個階段，即Acheson法、Lely法、改良Lely法。青島led碳化硅襯底

在現已開發的寬禁帶半導體中,碳化硅(SiC)半導體材料是研究**為成熟的一種。浙江碳化硅襯底4寸導電

SiC由Si原子和C原子組成，其晶體結構具有同質多型體的特點，在半導體領域最常見的是具有立方閃鋅礦結構的3C-SiC和六方纖鋅礦結構的4H-SiC和6H-SiC。21世紀以來以Si為基本材料的微電子機械系統(MEMS)已有長足的發展，隨著MEMS應用領域的不斷擴展，Si材料本身的性能局限性制約了Si基MEMS在高溫、高頻、強輻射及化學腐蝕等極端條件下的應用。因此尋找Si的新型替代材料正日益受到重視。在眾多半導體材料中，SiC的機械強度、熱學性能、抗腐蝕性、耐磨性等方面具有明顯的優勢，且與IC工藝兼容，故而在極端條件的MEMS應用中，成為Si的優先替代材料。浙江碳化硅襯底4寸導電

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